MX29F200T/B
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
5.0V ±读10 ％ ，擦除和写入操作
131072x16 / 262144x8切换
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 40毫安最大工作电流@ 5MHz的
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 擦除（ 16K - Bytex1 ， 8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和
64K字节×3）
自动擦除（芯片）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了硬件方法或检测程序
或擦除周期结束
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
擦除暂停/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
节目数据到一个扇区一个没有被擦除，然后
恢复的擦除操作。
硬件复位引脚
- 重置内部状态机TEST的阅读模式
20年数据保留
概述
该MX29F200T / B是2兆比特，单5伏闪光
内存组织为1M字X16或2M bytex8 MXIC的
闪存提供最具成本效益和可靠性
能够读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F200T / B封装采用44引脚SOP和48-
引脚TSOP 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F200T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F200T / B拥有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F200T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F200T / B采用的是5.0V
±
10 ％的Vcc
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0549
REV 。 1.3 ，十二月24 ， 2001年
1
MX29F200T/B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500mil ）
NC
RY / BY
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
48 TSOP （I型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29F200T/B
MX29F200T/B
（普通型）
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
MX29F200T/B
（反式）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
引脚说明
符号
A0-A16
Q0-Q14
Q15/A-1
CE
OE
RESET
WE
RY / BY
字节
VCC
GND
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
输出使能输入
硬件复位引脚，低电平有效
写使能输入
读/忙输出
字/字节选择输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
引脚没有内部连接
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2
MX29F200T/B
自动编程
该MX29F200T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法不要求系统时间
出序列，或验证编程的数据。该
在MX29F200T / B的典型芯片编程时间
室温下小于2秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除和计数序列的数量。
连续读周期之间的状态位来回切换
提供反馈给用户来的状态
编程操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程
电路。在写周期中，命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期，地址锁存下降沿，
和数据被锁存在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，
可靠性和成本效益。该MX29F200T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节被编程
用热的EPROM编程机制
电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。经过擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将允许命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比2秒少。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
由设备内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F200T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序设置命令（包括2-
解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，验证了亲
克，和计数序列的数量。状态位
类似的数据轮询和之间的状态位来回切换
连续的读周期，提供反馈给用户
以编程操作的状态。
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