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初步
MX29F1610A
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS
单电压闪存EEPROM
特点
5V
±
10 %的写入和擦除
JEDEC标准的EEPROM命令
耐力: 100,000次
快速存取时间:90 /100 / 120ns的
扇区擦除架构
- 每128K字节等于16部门
- 扇区擦除时间: 1.3微秒典型
自动清除和自动编程算法
- 自动擦除扇区中的任何一个
或者整个芯片擦除挂起功能
- 自动程序和数据验证
指定的地址
用于检测状态寄存器功能
编程或擦除周期完成
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
软件和硬件的数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器对于
128字节/每页64字
- 页编程时间: 0.9ms典型
- 字节编程时间: 7us平均
低功耗
- 30毫安典型工作电流
- 1uA的典型待机电流
CMOS和TTL兼容输入和输出
扇区保护
- 硬件方法,它可以保护任意组合
自写或擦除操作部门。
深度掉电输入
- ICC 1uA的典型
行业标准的表面贴装封装
- 48引脚TSOP , TYPE
I
- 44引线SOP
概述
该MX29F1610A是16兆比特的闪存
作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。该
MX29F1610A包括16-128KB ( 131,072 )块或16
64KW ( 65,536 )块。旺宏的快闪记忆体提供
最有成本效益和可靠的读/写的非易失性
随机存取存储器。该MX29F1610A打包
采用48引脚TSOP或者44引脚SOP 。对于48引脚TSOP , CE2和
RY / BY是额外的引脚与44引脚SOP封装相比。
这是优化的产品(如固态硬盘
驱动器或闪存卡)控制引脚预算。所有
以上三个引脚( CE2 , RY / BY和PWD )加上一个额外的
不提供44引脚SOP VCC引脚。它被设计成
被重新编程和擦除在系统或在标
EPROM编程器。
该标准MX29F1610A提供存取时间快
为90ns ,高速微处理器,允许操作
无需等待。为了消除总线冲突,
MX29F1610A拥有独立的芯片使( CE1和CE2 )
输出使能(OE )和写使能(WE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F1610A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %的TTL
电平控制输入,并在固定的电源电平
擦除和编程,同时保持最高
EPROM的兼容性。
为了让简单的系统内可重编程中,
MX29F1610A不需要高的输入电压为
编程。五伏,只命令确定
该装置的操作。读数据从装置中
类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次。该MXIC的电池设计
优化了擦除和编程机制。在
此外,先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29F1610A采用的是5V
±
10 %的VCC电源进行
自动清除和自动编程算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N : PM0506
1
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
MX29F1610A
销刀豆网络gurations
48 TSOP ( TYPE
I)
(12毫米X 20毫米)
RY / BY
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
WP
WE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
PWD
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE1
CE2
MX29F1610A
PWD
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE1
CE2
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
MX29F1610A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
RY / BY
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
WP
WE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VCC
(普通型)
(反式)
44 SOP ( 500mil )
WE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
WP
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号
A0 - A19
Q0 - Q14
Q15 / A - 1
CE1/CE2
PWD
OE
WE
RY / BY
WP
字节
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 (字模式) / LSB地址(字节模式)
芯片使能输入
深掉电输入
输出使能输入
写使能输入
READY / BUSY输出
部门写保护输入
字/字节选择输入
电源
接地引脚
MX29F1610A
P / N : PM0506
2
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
MX29F1610A
框图
WE
CE1/CE2
OE
WP
PWD
字节
控制
输入
逻辑
编程/擦除
高压
状态
RY / BY
( WSM )
命令接口
注册
X解码器
MX29F1610A
FL灰
ARRAY
ARRAY
来源
HV
Y型通门
(CIR)
地址
LATCH
Q15/A-1
A0-A19
卜FF器
命令
数据
解码器
y解码器
SENSE
扩音器
PGM
数据
HV
命令
数据锁存器
页面
节目
数据锁存器
Q0-Q15/A-1
I / O缓冲器
P / N : PM0506
3
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
MX29F1610A
Table1.PIN说明
符号
A0 - A19
Q0 - Q7
TYPE
输入
输入/输出
名称和功能
地址输入:内存地址。地址被内部锁存
在写周期。
低字节数据总线:在命令接口输入的数据和命令
寄存器( CIR )的写周期。输出数组中的地位和识别数据
适当的阅读模式。浮时的芯片将被取消选择或输出
禁用。
高字节数据总线:在×16数据写入操作的输入数据。输出
阵列,在适当的阅读模式标识符数据;不使用状态寄存器
读取。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止
高字节数据输入/输出之间进行选择(字节=高)和LSB
地址(字节= LOW )
芯片使能输入:启动设备的控制逻辑,输入缓冲器,
解码器和读出放大器。与任一CE1和CE2是高,该装置是DE-
选择和完成时的功耗降低到备用水平
目前任何程序或擦除操作。这两个CE1 , CE2必须低到
选择该设备。不提供44引脚SOP封装CE2 。
所有的时序规格相同的两个信号。设备选择时
与CE1或CE2后者下降沿。 CE1和CE2的第一个上升沿
禁用该设备。
POWER- DOWN :将器件置于深度掉电模式。 PWD是低电平有效;
PWD高大的城门正常运行。 PWD也锁定了擦除或编程
操作时,低电平有效时电源转换提供数据保护。
输出使能:盖茨设备的数据通过在输出缓冲器
一个读周期OE为低电平有效。
写使能:控制写入命令接口寄存器( CIR ) 。
WE为低电平有效。
READY / BUSY :表示内部写状态机( WSM )的状态。
当低则表示WSM正执行一个擦除或写入操作。
RY / BY高表明WSM等待新的命令,扇区擦除是
暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY始终处于活动状态
并且不浮动三态时关闭芯片取消或数据输出的
禁用。
写入保护功能:所有的部门可以通过编写一个非易失性保护─被保护
位的每个扇区。当WP为低电平时,所有prottect位状态不能被改变,
也就是说,用户不能执行扇区保护和部门撤消。在WP
输入缓冲器被禁止时, PWD变为低电平(深度省电模式) 。
字节使能:在x8模式字节低的地方的设备。所有数据被输入或
输出上Q0-7和Q8-14浮动。 AddressQ15 / A- 1高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式,并关闭Q15 /
A- 1的输入缓冲区。地址A0,则成为最低阶地址。
器件电源( 5V ± 10 % )
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
Q8 - Q14
输入/输出
.Q15 / A -1
CE1/CE2
输入/输出
输入
PWD
输入
OE
WE
RY / BY
输入
输入
漏极开路
产量
WP
输入
字节
输入
VCC
GND
P / N : PM0506
4
MX29F1610A
总线操作
快闪记忆体读取,擦除,并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期来或从闪速存储器符合
标准的微处理器总线周期。
表2.1总线操作的字宽模式(字节= VIH )
模式
OutputDisable
待机
注PWD CE1 CE2 OE
1,2,7
1,6,7
1,6,7
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIH
X
WE
VIH
VIH
X
A0
X
X
X
A1
X
X
X
A9
X
X
X
Q0-Q7
DOUT
高阻
高阻
Q8-Q14
DOUT
高阻
高阻
Q15/A-1
DOUT
高阻
高阻
RY / BY
X
X
X
DeepPower向下
1,3
4,8
4,8
1,5,6
VIL
VIH
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIH
VIL
X
VIL
VIH
X
X
VIL
VIL
X
X
VID
VID
X
高阻
C2H
FAH / FBH
DIN
高阻
00H
00H
DIN
高阻
0B
0B
DIN
VOH
VOH
VOH
X
ManufacturerID
器件ID
MX29F1610A
表2.2总线操作的字节宽模式(字节= VIL )
模式
OutputDisable
待机
注PWD CE1 CE2 OE
1,2,7,9
1,6,7
1,6,7
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIH
X
WE
VIH
VIH
X
A0
X
X
X
A1
X
X
X
A9
X
X
X
Q0-Q7
DOUT
高阻
高阻
Q8-Q14
高阻
高阻
高阻
Q15/A-1
VIL / VIH
X
X
RY / BY
X
X
X
DeepPower向下
1,3
4,8
4,8
1,5,6
VIL
VIH
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIH
VIL
X
VIL
VIH
X
X
VIL
VIL
X
X
VID
VID
X
高阻
C2H
FAH / FBH
DIN
高阻
高阻
高Z
高阻
X
VIL
VIL
VIL / VIH
VOH
VOH
VOH
X
ManufacturerID
器件ID
MX29F1610A
注意事项:
1.X可以VIH或VIL的地址和控制销除RY / BY它可以是VOL或VOH 。
2.RY / BY输出为开漏。当WSM就绪,擦除暂停或设备处于深度掉电模式下, RY / BY将在VOH
如果它是通过一个1K 100K电阻连接到VCC 。当RY / BY在VOH是独立的OE而WSM操作正在进行中。
3.PWD在GND ± 0.2V ,确保最低的深掉电电流。
4. A0和A1在VIL为制造商ID代码。 A0的VIH和A1在VIL提供设备的ID码。 A0在VIL , A1的VIH和适当的
扇区地址为部门保护代码。 (请参考表4 )
5.命令为不同的擦除操作,数据的程序操作或部门保护的操作只能通过成功完成
正确的命令序列。
6.While的WSM运行。 RY / BY的等级模式停留在VOL ,直到所有的操作完成。 RY / BY去VOH时WSM不
忙碌或擦除挂起模式。
7. RY / BY可能在VOL ,而WSM正忙于执行各种操作。例如,状态寄存器的写操作过程中读取。
8. VID = 11.5V- 12.5V 。
9. Q15 / A - 1 = VIL , Q0 - Q7 = D0 - D7出来。 Q15 / A - 1 = VIH , Q0 - Q7 = D8 -D15出来。
P / N : PM0506
5
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
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    -
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联系人:刘先生
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