初步
MX29F1610A
16M - BIT [ 2M ×8 / 1M X16 ] CMOS
单电压闪存EEPROM
特点
5V
±
10 %的写入和擦除
JEDEC标准的EEPROM命令
耐力: 100,000次
快速存取时间:90 /100 / 120ns的
扇区擦除架构
- 每128K字节等于16部门
- 扇区擦除时间: 1.3微秒典型
自动清除和自动编程算法
- 自动擦除扇区中的任何一个
或者整个芯片擦除挂起功能
- 自动程序和数据验证
指定的地址
用于检测状态寄存器功能
编程或擦除周期完成
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
软件和硬件的数据保护
页编程操作
- 内部地址和数据锁存器对于
128字节/每页64字
- 页编程时间: 0.9ms典型
- 字节编程时间: 7us平均
低功耗
- 30毫安典型工作电流
- 1uA的典型待机电流
CMOS和TTL兼容输入和输出
扇区保护
- 硬件方法,它可以保护任意组合
自写或擦除操作部门。
深度掉电输入
- ICC 1uA的典型
行业标准的表面贴装封装
- 48引脚TSOP , TYPE
I
- 44引线SOP
概述
该MX29F1610A是16兆比特的闪存
作为组织或者1M wordx16或2M bytex8 。该
MX29F1610A包括16-128KB ( 131,072 )块或16
64KW ( 65,536 )块。旺宏的快闪记忆体提供
最有成本效益和可靠的读/写的非易失性
随机存取存储器。该MX29F1610A打包
采用48引脚TSOP或者44引脚SOP 。对于48引脚TSOP , CE2和
RY / BY是额外的引脚与44引脚SOP封装相比。
这是优化的产品(如固态硬盘
驱动器或闪存卡)控制引脚预算。所有
以上三个引脚( CE2 , RY / BY和PWD )加上一个额外的
不提供44引脚SOP VCC引脚。它被设计成
被重新编程和擦除在系统或在标
EPROM编程器。
该标准MX29F1610A提供存取时间快
为90ns ,高速微处理器,允许操作
无需等待。为了消除总线冲突,
MX29F1610A拥有独立的芯片使( CE1和CE2 )
输出使能(OE )和写使能(WE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F1610A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %的TTL
电平控制输入,并在固定的电源电平
擦除和编程,同时保持最高
EPROM的兼容性。
为了让简单的系统内可重编程中,
MX29F1610A不需要高的输入电压为
编程。五伏,只命令确定
该装置的操作。读数据从装置中
类似于从一个EPROM读取。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次。该MXIC的电池设计
优化了擦除和编程机制。在
此外,先进的隧道氧化物的组合
处理和低内部电场进行擦除和
编程操作产生可靠的自行车。该
MX29F1610A采用的是5V
±
10 %的VCC电源进行
自动清除和自动编程算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N : PM0506
1
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
MX29F1610A
Table1.PIN说明
符号
A0 - A19
Q0 - Q7
TYPE
输入
输入/输出
名称和功能
地址输入:内存地址。地址被内部锁存
在写周期。
低字节数据总线:在命令接口输入的数据和命令
寄存器( CIR )的写周期。输出数组中的地位和识别数据
适当的阅读模式。浮时的芯片将被取消选择或输出
禁用。
高字节数据总线:在×16数据写入操作的输入数据。输出
阵列,在适当的阅读模式标识符数据;不使用状态寄存器
读取。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止
高字节数据输入/输出之间进行选择(字节=高)和LSB
地址(字节= LOW )
芯片使能输入:启动设备的控制逻辑,输入缓冲器,
解码器和读出放大器。与任一CE1和CE2是高,该装置是DE-
选择和完成时的功耗降低到备用水平
目前任何程序或擦除操作。这两个CE1 , CE2必须低到
选择该设备。不提供44引脚SOP封装CE2 。
所有的时序规格相同的两个信号。设备选择时
与CE1或CE2后者下降沿。 CE1和CE2的第一个上升沿
禁用该设备。
POWER- DOWN :将器件置于深度掉电模式。 PWD是低电平有效;
PWD高大的城门正常运行。 PWD也锁定了擦除或编程
操作时,低电平有效时电源转换提供数据保护。
输出使能:盖茨设备的数据通过在输出缓冲器
一个读周期OE为低电平有效。
写使能:控制写入命令接口寄存器( CIR ) 。
WE为低电平有效。
READY / BUSY :表示内部写状态机( WSM )的状态。
当低则表示WSM正执行一个擦除或写入操作。
RY / BY高表明WSM等待新的命令,扇区擦除是
暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY始终处于活动状态
并且不浮动三态时关闭芯片取消或数据输出的
禁用。
写入保护功能:所有的部门可以通过编写一个非易失性保护─被保护
位的每个扇区。当WP为低电平时,所有prottect位状态不能被改变,
也就是说,用户不能执行扇区保护和部门撤消。在WP
输入缓冲器被禁止时, PWD变为低电平(深度省电模式) 。
字节使能:在x8模式字节低的地方的设备。所有数据被输入或
输出上Q0-7和Q8-14浮动。 AddressQ15 / A- 1高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式,并关闭Q15 /
A- 1的输入缓冲区。地址A0,则成为最低阶地址。
器件电源( 5V ± 10 % )
地
REV.1.7 ,六月15 , 2001年
Q8 - Q14
输入/输出
.Q15 / A -1
CE1/CE2
输入/输出
输入
PWD
输入
OE
WE
RY / BY
输入
输入
漏极开路
产量
WP
输入
字节
输入
VCC
GND
P / N : PM0506
4
MX29F1610A
总线操作
快闪记忆体读取,擦除,并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期来或从闪速存储器符合
标准的微处理器总线周期。
表2.1总线操作的字宽模式(字节= VIH )
模式
读
OutputDisable
待机
注PWD CE1 CE2 OE
1,2,7
1,6,7
1,6,7
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIH
X
WE
VIH
VIH
X
A0
X
X
X
A1
X
X
X
A9
X
X
X
Q0-Q7
DOUT
高阻
高阻
Q8-Q14
DOUT
高阻
高阻
Q15/A-1
DOUT
高阻
高阻
RY / BY
X
X
X
DeepPower向下
1,3
4,8
4,8
1,5,6
VIL
VIH
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIH
VIL
X
VIL
VIH
X
X
VIL
VIL
X
X
VID
VID
X
高阻
C2H
FAH / FBH
DIN
高阻
00H
00H
DIN
高阻
0B
0B
DIN
VOH
VOH
VOH
X
ManufacturerID
器件ID
MX29F1610A
写
表2.2总线操作的字节宽模式(字节= VIL )
模式
读
OutputDisable
待机
注PWD CE1 CE2 OE
1,2,7,9
1,6,7
1,6,7
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIH
X
WE
VIH
VIH
X
A0
X
X
X
A1
X
X
X
A9
X
X
X
Q0-Q7
DOUT
高阻
高阻
Q8-Q14
高阻
高阻
高阻
Q15/A-1
VIL / VIH
X
X
RY / BY
X
X
X
DeepPower向下
1,3
4,8
4,8
1,5,6
VIL
VIH
VIH
VIH
X
VIL
VIL
VIL
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIH
VIL
X
VIL
VIH
X
X
VIL
VIL
X
X
VID
VID
X
高阻
C2H
FAH / FBH
DIN
高阻
高阻
高Z
高阻
X
VIL
VIL
VIL / VIH
VOH
VOH
VOH
X
ManufacturerID
器件ID
MX29F1610A
写
注意事项:
1.X可以VIH或VIL的地址和控制销除RY / BY它可以是VOL或VOH 。
2.RY / BY输出为开漏。当WSM就绪,擦除暂停或设备处于深度掉电模式下, RY / BY将在VOH
如果它是通过一个1K 100K电阻连接到VCC 。当RY / BY在VOH是独立的OE而WSM操作正在进行中。
3.PWD在GND ± 0.2V ,确保最低的深掉电电流。
4. A0和A1在VIL为制造商ID代码。 A0的VIH和A1在VIL提供设备的ID码。 A0在VIL , A1的VIH和适当的
扇区地址为部门保护代码。 (请参考表4 )
5.命令为不同的擦除操作,数据的程序操作或部门保护的操作只能通过成功完成
正确的命令序列。
6.While的WSM运行。 RY / BY的等级模式停留在VOL ,直到所有的操作完成。 RY / BY去VOH时WSM不
忙碌或擦除挂起模式。
7. RY / BY可能在VOL ,而WSM正忙于执行各种操作。例如,状态寄存器的写操作过程中读取。
8. VID = 11.5V- 12.5V 。
9. Q15 / A - 1 = VIL , Q0 - Q7 = D0 - D7出来。 Q15 / A - 1 = VIH , Q0 - Q7 = D8 -D15出来。
P / N : PM0506
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REV.1.7 ,六月15 , 2001年