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初步
MX29F080
8M - BIT [ 1024K ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
1,048,576 ×8字节模式下stuction
单电源工作
- 仅5.0V的读取,擦除和编程操作
手术
快速访问时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程( 7us典型值)
- 部门16等于部门擦除每个64K字节
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据,
或程序的数据,另一个扇区是不存在
擦除,然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除操作完成。
就绪/忙( RY / BY )
- 提供基法的检测程序硬件
和擦除操作complation 。
行业组保护/取消保护芯片的5V / 12V系
统。
行业组保护
- 硬件保护方法,每个小组, CON组
两个相邻扇区sists
- 临时业集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型:
- 40引脚TSOP和44引脚SOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F080是举办了8兆比特闪存
为1024K字节的8位。旺宏的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非vola-
瓷砖随机存取存储器。该MX29F080是封装
年龄在40引脚TSOP和44引脚SOP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29F080提供存取时间快
为70ns ,高速微处理器,允许操作
无需等待。为了消除总线冲突,
MX29F080有独立的芯片使能( CE )和输出
启用( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F080使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计,以优化
擦除和编程机制。此外,该
先进的隧道氧化处理组合
和低的内部电场为擦除和
编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F080采用5.0V ± 10 % VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N : PM0579
REV 。 1.4 , JAN 16 , 2002
1
MX29F080
销刀豆网络gurations
40 TSOP (标准型) ( 10毫米x10 20毫米)
逻辑符号
20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE
VCC
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
NC
WE
OE
RY / BY
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VSS
VSS
Q3
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
A0-A19
Q0-Q7
8
MX29F080
CE
OE
WE
RESET
RY / BY
44 SOP
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
Q3
VSS
VSS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RY / BY
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
WE
OE
RESET
RY / BY
VCC
VSS
NC
引脚名称
地址输入
8数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
硬件复位引脚,低电平有效
读/忙输出
+ 5.0V单电源供电
接地装置
引脚没有内部连接
P / N : PM0579
MX29F080
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
2
MX29F080
部门结构
MX29F080扇区地址表
业集团
SGA0
SGA0
SGA1
SGA1
SGA2
SGA2
SGA3
SGA3
SGA4
SGA4
SGA5
SGA5
SGA6
SGA6
SGA7
SGA7
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
A19
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
000000h-00FFFFh
010000h-01FFFFh
020000h-02FFFFh
030000h-03FFFFh
040000h-04FFFFh
050000h-05FFFFh
060000h-06FFFFh
070000h-07FFFFh
080000h-08FFFFh
090000h-09FFFFh
0A0000h-0AFFFFh
0B0000h-0BFFFFh
0C0000h-0CFFFFh
0D0000h-0DFFFFh
0E0000h-0EFFFFh
0F0000h-0FFFFFh
注: SA =扇区地址;
SGA
=业集团ADDRES
注:所有行业都是64字节大小。
P / N : PM0579
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
3
MX29F080
框图
CE
OE
WE
控制
输入
逻辑
高压
( WSM )
编程/擦除
状态
X解码器
MX29F080
FL灰
ARRAY
ARRAY
状态
注册
地址
LATCH
A0-A19
卜FF器
SENSE
扩音器
y解码器
Y型通门
来源
HV
命令
数据
解码器
PGM
数据
HV
命令
数据锁存器
节目
数据锁存器
Q0-Q7
I / O缓冲器
P / N : PM0579
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
4
MX29F080
自动编程
该MX29F080是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F080的温度小于8秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
提供了擦除验证,并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中,指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿,并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ,取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,重新
责任,和成本效益。该MX29F080 electri-
美云擦除同时使用福勒, Nord-所有位
海姆隧道。该字节通过编程
热电子的EPROM编程机制
注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将使命令寄存器
之三,以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于8秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前,整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F080是使用部门(S )可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法
自动程序之前指定扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令(包括
2解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了亲
克验证,并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战,提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N : PM0579
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
5
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