初步
MX29F080
8M - BIT [ 1024K ×8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
1,048,576 ×8字节模式下stuction
单电源工作
- 仅5.0V的读取,擦除和编程操作
手术
快速访问时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程( 7us典型值)
- 部门16等于部门擦除每个64K字节
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程,并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据,
或程序的数据,另一个扇区是不存在
擦除,然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除操作完成。
就绪/忙( RY / BY )
- 提供基法的检测程序硬件
和擦除操作complation 。
行业组保护/取消保护芯片的5V / 12V系
统。
行业组保护
- 硬件保护方法,每个小组, CON组
两个相邻扇区sists
- 临时业集团撤消允许代码
改变先前锁定行业
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型:
- 40引脚TSOP和44引脚SOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F080是举办了8兆比特闪存
为1024K字节的8位。旺宏的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非vola-
瓷砖随机存取存储器。该MX29F080是封装
年龄在40引脚TSOP和44引脚SOP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29F080提供存取时间快
为70ns ,高速微处理器,允许操作
无需等待。为了消除总线冲突,
MX29F080有独立的芯片使能( CE )和输出
启用( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能, EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F080使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 %
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计,以优化
擦除和编程机制。此外,该
先进的隧道氧化处理组合
和低的内部电场为擦除和
编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F080采用5.0V ± 10 % VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N : PM0579
REV 。 1.4 , JAN 16 , 2002
1
MX29F080
销刀豆网络gurations
40 TSOP (标准型) ( 10毫米x10 20毫米)
逻辑符号
20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE
VCC
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
NC
WE
OE
RY / BY
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VSS
VSS
Q3
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
A0-A19
Q0-Q7
8
MX29F080
CE
OE
WE
RESET
RY / BY
44 SOP
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
Q3
VSS
VSS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RY / BY
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
引脚说明
符号
A0~A19
Q0~Q7
CE
WE
OE
RESET
RY / BY
VCC
VSS
NC
引脚名称
地址输入
8数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
硬件复位引脚,低电平有效
读/忙输出
+ 5.0V单电源供电
接地装置
引脚没有内部连接
P / N : PM0579
MX29F080
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
2
MX29F080
自动编程
该MX29F080是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F080的温度小于8秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
提供了擦除验证,并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中,指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿,并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ,取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,重新
责任,和成本效益。该MX29F080 electri-
美云擦除同时使用福勒, Nord-所有位
海姆隧道。该字节通过编程
热电子的EPROM编程机制
注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将使命令寄存器
之三,以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于8秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前,整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F080是使用部门(S )可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法
自动程序之前指定扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令(包括
2解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了亲
克验证,并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战,提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N : PM0579
REV 。 1.4 ,一月16 , 2002年
5