MX29F040
4M- BIT [ 512KX8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
524,288 ×8只
单电源工作
- 5.0V只为读操作，擦除和编程OP-
关合作
快速存取时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除
每个64K字节等于8行业
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PLCC ， TSOP或PDIP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
概述
该MX29F040是组织了4兆比特闪存
为512K字节的8位。旺宏的闪存报价
最具成本效益和可靠的读/写非vola-
瓷砖随机存取存储器。该MX29F040是封装
年龄在32引脚PLCC ， TSOP ， PDIP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29F040提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F040有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F040使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过10万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计，以优化
擦除和编程机制。此外，该
先进的隧道氧化处理组合
和低的内部电场为擦除和
编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F040采用5.0V ± 10 ％ VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0538
REV 。 2.3 ，十二月10 ， 2004年
1
MX29F040
销刀豆网络gurations
32 PDIP
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
30
29
WE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
A14
A13
A8
A9
MX29F040
9
MX29F040
25
A11
OE
A10
CE
13
14
GND
Q1
Q2
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
32 TSOP （标准型） （采用8mm x 20毫米）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX29F040
引脚说明
符号
A0~A18
Q0~Q7
CE
WE
OE
GND
VCC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
接地引脚
+ 5.0V单电源供电
部门结构
MX29F040扇区地址表
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
A18
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
注：所有行业都是64字节大小。
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MX29F040
自动编程
该MX29F040是使用中的自动字节编程
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F040的温度是少于4秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址锁存WE或CE的下降沿，
以较迟者为准发生，并且数据被锁存的
上升WE或CE的优势，先发生者为准。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29F040电
删除同时使用福勒- Nordheim隧的所有位
隧道。的字节是通过使用编程的
热电子EPROM编程机制注射
化。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F040是使用部门（S ）可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法
自动程序之前指定扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似的数据轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
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MX29F040
表1.软件命令定义
第一巴士
命令
RESET
读
阅读硅ID
部门保护验证
节目
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
解锁部门
保护/取消保护
公共汽车
周期
1
1
4
4
4
6
6
1
1
6
周期
ADDR
XXXh
RA
555H
555H
555H
555H
555H
XXXh
XXXh
555H
数据
F0H
RD
AAH
AAH
AAH
AAH
AAH
B0H
30H
AAH
2AAH 55H
555H 80H
555H AAH
2AAH 55H
555H 20H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
555H 90H
555H 90H
555H A0H
555H 80H
555H 80H
ADI
02
PA
DDI
01H
PD
2AAH 55H
2AAH 55H
555H 10H
SA
30H
（ SA ）× 00H
第二巴士
周期
ADDR
第三巴士
周期
数据地址
四巴士
周期
数据地址
第五公交车
周期
数据地址
数据
第六巴士
周期
地址数据
555H AAH
555H AAH
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0 ， A0 = 0为生产代码中， A1 = 0 ， A0 = 1的设备代码A2- A18 =做
不关心。
（参见表3 ）
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， A4H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A10 A0 。
地址位A11 A18 = X =不关心，除了程序地址（ PA）和部门的所有地址的命令
地址（SA）。写序列可能与A11 A18在任何状态下启动。
4.对于保障部门检验操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该行业已被保护。如果读出
数据为00H ，则意味着该扇区仍然未受到保护。
命令德网络nitions
设备操作都通过写入特定网络 AD-选择
礼服和数据序列到命令寄存器。
书写不正确的地址和数据值，或将它们写
在不当的顺序将重置设备的
阅读模式。表1定义了有效的命令寄存器
序列。需要注意的是擦除挂起（ B0H ）和
删除恢复（ 30H ）命令都必须同时
扇区擦除操作正在进行中。或者两者的
复位命令序列将复位器件（当
适用）。
P / N ： PM0538
REV 。 2.3 ，十二月10 ， 2004年
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