MX29F004T/B
4M- BIT [ 512KX8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
524,288 ×8只
单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除
（部门结构： 16KB / 8KB / 8KB / 32KB和64KBx7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
与擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序的数据，另一个扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PLCC ， TSOP或PDIP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
概述
该MX29F004T / B是4兆比特闪存
组织为512K字节的8位。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的读取/
写的非易失性随机存取存储器。该
MX29F004T / B封装在32引脚PLCC ， TSOP ，
PDIP 。它被设计成可重新编程和擦除
系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F004T / B提供了存取时间快
作为为70ns ，高速，允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线
争中， MX29F004T / B具有独立的芯片使能
（ CE）和输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F004T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过10万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计，以优化
擦除和编程机制。此外，
先进的隧道氧化物组合
处理和低的内部电场为擦除
和编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F004T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC电源
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闭锁保护证明了应力达
100毫安的地址和数据引脚从-1V到
VCC + 1V 。
P / N ： PM0554
REV 。 1.4 ，六月12 ， 2001年
1
MX29F004T/B
销刀豆网络gurations
32 PDIP
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
30
29
WE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
A14
A13
A8
A9
MX29F004T/B
9
MX29F004T/B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
32 TSOP （标准型） （采用8mm x 20毫米）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MX29F004T/B
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
符号
A0~A18
Q0~Q7
CE
WE
OE
GND
VCC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
接地引脚
+ 5.0V单电源供电
P / N ： PM0554
REV 。 1.4 ，六月12 ， 2001年
2
MX29F004T/B
自动编程
该MX29F004T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法使得外部系统做
不需要有时间按顺序也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F004T / B的温度是少于4秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
写指令到指令寄存器中使用标准
微处理器写时序。该设备将
自动预编程和验证整个
数组。擦除，然后设备会自动倍
脉冲宽度，提供了擦除验证，并计数
序列号。状态位之间切换
连续的读周期提供反馈给用户
以编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程
电路。在写周期中，命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期，地址被锁存的下降沿
WE或CE ， whicheven后来发生的，和数据
锁存WE的上升沿或CE ， whicheven
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，
可靠性和成本效益。该MX29F004T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节被编程
用热的EPROM编程机制
电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将允许命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F004T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法
自动程序之前指定扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（其中包括2个
解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了程序
验证，并计数序列的数量。一
类似的数据轮询和状态位来回切换状态位
连续的读周期之间，提供反馈
用户以编程操作的状态。
P / N ： PM0554
REV 。 1.4 ，六月12 ， 2001年
5
MX29F004T/B
4M- BIT [ 512KX8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
524,288 ×8只
单电源工作
- 5.0V只为读操作，擦除和编程OP-
关合作
快速存取时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除
（部门结构： 16KB / 8KB / 8KB / 32KB和64KBx7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
包装类型：
- 32引脚PLCC ， TSOP或PDIP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX29F004T / B是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F004T / B为
封装采用32引脚PLCC ， TSOP ， PDIP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或标
准EPROM编程器。
标准MX29F004T / B提供了存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F004T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F004T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过10万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计，以优化
擦除和编程机制。此外，
先进的隧道氧化物组合
处理和低的内部电场为擦除
和编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F004T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC电源
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0554
REV 。 1.9 ，十月19 ， 2004年
1
MX29F004T/B
销刀豆网络gurations
32 PDIP
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 PLCC
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
30
29
WE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
A14
A13
A8
A9
MX29F004T/B
9
MX29F004T/B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
32 TSOP （标准型） （采用8mm x 20毫米）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX29F004T/B
引脚说明
符号
A0~A18
Q0~Q7
CE
WE
OE
GND
VCC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
接地引脚
+ 5.0V单电源供电
P / N ： PM0554
REV 。 1.9 ，十月19 ， 2004年
2
MX29F004T/B
自动编程
该MX29F004T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F004T / B的温度低于4仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。
然后自动装置倍擦除脉冲
宽度，提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址锁存WE或CE的下降沿，
以较迟者为准发生，并且数据被锁存的
上升WE或CE的优势，先发生者为准。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F004T / B elec-
trically删除所有位使用福勒调谐同步
neling 。该字节被使用的EPROM编程
热电子注入编程机制。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F004T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。
自动扇区擦除算法自动
程序之前，电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的被CON组
该装置内的内部控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N ： PM0554
REV 。 1.9 ，十月19 ， 2004年
5
QQ：2881677436 复制
