MX29F002/002N
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144x 8只
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
编程和擦除电压为5V ± 10 ％
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节
X1和64K字节×3 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区或任意组合
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，然后
恢复的擦除操作。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除周期结束。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件复位引脚（仅适用于29F002T / B ）
- 复位内部状态机读取模式
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
20年数据保留
概述
该MX29F002T / B为2兆比特的闪存器官
源化的256K字节只有8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F002T / B为
封装采用32引脚PDIP ， PLCC和32引脚TSOP （ I） 。这是
设计成可重新编程和擦除在系统或IN-
标准EPROM编程器。
标准MX29F002T / B提供了存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F002T / B拥有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F002T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
MXIC的Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F002T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
经证明，以应力高达100毫安的地址和
数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0547
1
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
MX29F002/002N
销刀豆网络gurations
32 PDIP
RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
32 TSOP （类型1）
NC在MX29F002NT / B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
（ NC上MX29F002NT / B ） RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX29F002T/B
MX29F002T/B
（普通型）
32 PLCC
NC在MX29F002NT / B
RESET
VCC
A12
A15
A16
A17
WE
部门结构
A17~A0
3FFFFH
3BFFFH
A14
A13
A8
A9
9
16 K字节
（引导扇区）
8
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
39FFFH
8
37FFFH
2FFFFH
64
1FFFFH
64
0FFFFH
64
00000H
32
MX29F002T/B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
VSS
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
MX29F002T部门架构
A17~A0
3FFFFH
64
2FFFFH
64
1FFFFH
0FFFFH
07FFFH
05FFFH
03FFFH
00000H
8
8
K- BYTE
K- BYTE
64
32
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
引脚说明
符号
A0~A17
Q0~Q7
CE
WE
RESET
OE
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
16 K字节
（引导扇区）
MX29F002B部门架构
P / N ： PM0547
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
2
MX29F002/002N
自动编程
该MX29F002T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的
在房间里的MX29F002T / B芯片编程时间
温度是小于3.5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将
自动预编程和验证整个阵列。
然后自动装置倍擦除脉冲
宽度，验证擦除，并计数的数目
序列。类似的数据轮询状态位和
连续读周期之间的状态位来回切换
提供反馈给用户来的状态
编程操作。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存地址和数据需要的编程
和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，和数据
被锁在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29F002T / B electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
程序序列和指令寄存器不会重新
有反应的任何命令集。在一个扇区擦除周期，
命令寄存器将只响应擦除挂起
命令。擦除后暂停结束后，设备
停留在读模式。之后的状态机具有的COM
pleted它的任务，它将允许在命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
典型擦除在室温下完成
在少于3秒。该设备在使用擦除
自动擦除算法。自动擦除
之前的算法自动程序整个阵列
电擦除。定时和验证的
电擦除在内部由装置控制。
自动扇区擦除
该MX29F002T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户可以只写一个程序设置命令包括
2解锁写周期和A0H和程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，验证了亲
克，和计数序列的数量。一个状态
类似的数据轮询和状态位肘位
连续的读周期之间，提供反馈信息
给用户以编程的状态
操作。
P / N ： PM0547
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
4
MX29F002/002N
TABLE1 。软件命令定义
命令
公共汽车
周期
RESET
读
阅读硅ID
部门保护
验证
Porgram
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
解锁部门
保护/取消保护
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0， A 0 = 0为制造代码中，A1 = 0， A0 = 1时为设备代码（参考表3）。
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 00B0h / 0034H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A0 A10 。地址位A11 A17 = X =不
关心，除了程序地址（ PA）和扇区地址（ SA ）的所有地址的命令。写序，可以启动
与A11 A17中的任一状态。
4.对于部门保护验证操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该行业已被保护。如果读出的数据是00H ，
这意味着该扇区仍然未受到保护。
4
6
6
1
1
6
555H AAH
555H AAH
555H AAH
XXXH B0H
XXXH 30H
555H AAH
2AAH 55H
555H
80H
555H AAH
2AAH 55H
555H 20H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
555H A0H
555H
555H
80H
80H
1
1
4
4
第一巴士
周期
地址数据
XXXH F0H
RA
RD
2AAH 55H
2AAH 55H
555H 90H
555H 90H
ADI
（SA）的
DDI
00H
第二巴士
周期
地址数据
第三巴士
周期
地址数据
四巴士
周期
地址数据
第五公交车
周期
地址数据
第六巴士
周期
地址数据
555H AAH
555H AAH
（ X02H ） 01H
PA
PD
2AAH
2AAH
55H 555H 10H
55H
SA
30H
555H AAH
555H AAH
命令德网络nitions
设备操作都通过写入特定网络 AD-选择
礼服和数据序列到命令寄存器。
书写不正确的地址和数据值，或将它们写
在不适当的顺序将设备复位到读
模式。表1定义了有效的命令寄存器
序列。需要注意的是擦除挂起（ B0H ）和
删除恢复（ 30H ）命令都必须同时
扇区擦除操作正在进行中。或者两者的
复位命令序列将复位器件（当
适用）。
P / N ： PM0547
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
5
MX29F002 / 002N T / B
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144x 8只
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
编程和擦除电压为5V ± 10 ％
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节
X1和64K字节×3 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区或任意组合
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，然后
恢复的擦除操作。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除周期结束。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件复位引脚（仅适用于29F002T / B ）
- 复位内部状态机读取模式
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
20年数据保留
概述
该MX29F002T / B为2兆比特的闪存器官
源化的256K字节只有8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F002T / B为
封装采用32引脚PDIP ， PLCC和32引脚TSOP （ I） 。这是
设计成可重新编程和擦除在系统或IN-
标准EPROM编程器。
标准MX29F002T / B提供了存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F002T / B拥有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F002T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
MXIC的Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F002T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
证明了应力高达100毫安的地址和
数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0547
1
REV 。 1.5 ，三月28 ， 2005年
MX29F002 / 002N T / B
销刀豆网络gurations
32 PDIP
RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
32 TSOP （类型1）
NC在MX29F002NT / B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
（ NC上MX29F002NT / B ） RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX29F002T/B
MX29F002T/B
（普通型）
32 PLCC
NC在MX29F002NT / B
RESET
VCC
A12
A15
A16
A17
WE
部门结构
A17~A0
3FFFFH
3BFFFH
A14
A13
A8
A9
9
16 K字节
（引导扇区）
8
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
39FFFH
8
37FFFH
2FFFFH
64
1FFFFH
64
0FFFFH
64
00000H
32
MX29F002T/B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
VSS
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
MX29F002T部门架构
A17~A0
3FFFFH
64
2FFFFH
64
1FFFFH
0FFFFH
07FFFH
05FFFH
03FFFH
00000H
8
8
K- BYTE
K- BYTE
64
32
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
K- BYTE
引脚说明
符号
A0~A17
Q0~Q7
CE
WE
RESET
OE
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
16 K字节
（引导扇区）
MX29F002B部门架构
P / N ： PM0547
REV 。 1.5 ，三月28 ， 2005年
2
MX29F002 / 002N T / B
自动编程
该MX29F002T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的芯片
该MX29F002T / B在室温下的编程时间
小于3.5秒。
美云的预编程和验证整个阵列。然后，
自动装置倍擦除脉冲宽度，验证
擦除操作，并计算序列的数量。一个状态
类似的数据轮询和状态位之间切换位
连续的读周期提供反馈给用户作为
于编程操作的状态。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到内部的状态机，它控制
擦除和编程电路。在写周期，
命令寄存器内部锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。中
系统写周期，地址被锁存在下降沿
边缘，并且数据被锁存在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29F002T / B electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
程序序列和指令寄存器不会重新
有反应的任何命令集。在一个扇区擦除周期，
命令寄存器将只响应擦除挂起
命令。擦除后暂停结束后，设备
停留在读模式。之后的状态机具有的COM
pleted它的任务，它将允许在命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
典型擦除在室温下完成的
少于3秒。该设备在使用擦除
自动擦除算法。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
由设备内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F002T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。时机
和验证电擦除的内部控制，
通过该设备。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户可以只写一个程序设置命令包括2
解锁写周期和A0H和程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，验证程序，
和计数序列的数目。类似的状态位
以数据轮询和之间的状态位来回切换
连续的读周期，提供反馈给用户作为
于编程操作的状态。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
写指令到指令寄存器中使用标准
微处理器写时序。该装置将automati-
P / N ： PM0547
REV 。 1.5 ，三月28 ， 2005年
4
MX29F002 / 002N T / B
表1.软件命令定义
命令
公共汽车
周期
RESET
读
阅读硅ID
部门保护
验证
节目
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
解锁部门
保护/取消保护
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0， A 0 = 0为制造代码中，A1 = 0， A0 = 1时为设备代码（参考表3）。
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 00B0h / 0034H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A0 A10 。地址位A11 A17 = X =不
关心，除了程序地址（ PA）和扇区地址（ SA ）的所有地址的命令。写序，可以启动
与A11 A17中的任一状态。
4.对于部门保护验证操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该行业已被保护。如果读出的数据是00H ，
这意味着该扇区仍然未受到保护。
4
6
6
1
1
6
555H AAH
555H AAH
555H AAH
XXXH B0H
XXXH 30H
555H AAH
2AAH 55H
555H 80H
555H AAH
2AAH 55H
555H 20H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
555H A0H
555H 80H
555H 80H
1
1
4
4
第一巴士
周期
地址数据
XXXH F0H
RA
RD
2AAH 55H
2AAH 55H
555H 90H
555H 90H
ADI
（SA）的
DDI
00H
第二巴士
周期
地址数据
第三巴士
周期
地址数据
四巴士
周期
地址数据
第五公交车
周期
地址数据
第六巴士
周期
地址数据
555H AAH
555H AAH
（ X02H ） 01H
PA
PD
2AAH
2AAH
55H 555H 10H
55H SA
30H
555H AAH
555H AAH
命令德网络nitions
设备操作由写入特定的地址选
和数据序列到命令寄存器。写作
不正确的地址和数据值，或者将它们写在
不当顺序将设备复位到读模式。
表1定义了有效的寄存器中的命令序列。
需要注意的是擦除挂起（ B0H ），并删除恢复
（ 30H ）命令都必须同时扇区擦除
操作正在进行中。无论是两个复位命令
序列将复位器件（如适用） 。
P / N ： PM0547
REV 。 1.5 ，三月28 ， 2005年
5
QQ：2880707522 复制
