初步
MX28F2100B
2M- BIT [ 256K ×8 / 128K ×16 ]的CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144x8 / 131,072x16切换
快速存取时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 为100uA最大待机电流
编程和擦除电压12V
±
7%
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 50美国典型值）
- 自动芯片擦除5秒典型
（包括预编程时间）
- 块擦除（从5块中的任何一个： 16K字节X1 ，
8K字节×2 ， 96K字节的X1 ，和128K字节×1）
- 自动删除与擦除挂起功能
设备状态检测状态寄存器功能
自动擦除（芯片&块）和自动编程
=状态寄存器
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
包装类型：
44引脚SOP
- 48引脚TSOP （类型1 ）
概述
该MX28F2100B是一个2兆比特的闪存或 -
ganized为256K字节的8位或16的128K字
比特转换。旺宏的快闪记忆体提供
最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX28F2100B
封装采用44引脚SOP和48引脚TSOP （ I） 。这是
设计成可重新编程和擦除的系统内
或在标准EPROM编程器。
该标准MX28F2100B提供存取时间
高速快70ns的，让操作
微处理器无需等待。为了消除
总线冲突， MX28F2100B有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX28F2100B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许为100％的TTL电平的控制输入和
擦除过程中固定电源水平和
编程，同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX28F2100B采用了12.0V
±
7 ％ VPP供应
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
块结构
A16~A0
1FFFFH
128千字节的块
10000H
0FFFFH
96 K-字节块
04000H
03FFFH
03000H
02FFFH
02000H
01FFFH
00000H
字模式（ X16 ） MEMOR 地图
*字节模式操作应包括
A- 1 （ LSB ）为解决
8 K字节的块
8 K字节的块
16 K字节的块
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REV 。 1.5 ，三月24 ， 1998年
MX28F2100B
自动编程
该MX28F2100B是使用字节/字编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的
的室温芯片编程时间
MX28F2100B小于5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
只写擦除设置命令和擦除
命令。该设备将自动预先计划
和验证整个阵列。那么该设备automati-
美云次擦除脉冲宽度，提供了擦除
验证，并计算序列的数量。一个状态
寄存器提供反馈给用户，以该状态
的擦除操作。应该注意的是一个擦除后
设置命令，如果下一命令是不是一个擦除
命令，那么状态机将同时设置
状态的程序状态和擦除状态位
注册为"1" ，请将设备到读状态
注册状态，并等待下一个命令。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存地址和数据需要的编程
和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX28F2100B electri-
美云擦除扇区或芯片内的所有位同时进行
使用福勒- Nordheim隧穿。该数组是亲
编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
在一个程序周期中，状态机将控制
程序序列和指令寄存器不会重新
有反应的任何命令集。在一个部门/芯片擦除
周期，指令寄存器会回应擦除可持
挂起命令。擦除暂停结束后，
设备停留在状态寄存器读状态。状态后
机已经完成了它的任务，它将允许在命令
注册以充分发挥其指令集响应。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒删除批量删除
根据旺宏的高可靠性芯片擦除脉冲
算法。典型擦除在室温下是
完成的，在不到五秒钟。该装置
也可以使用自动擦除擦除
算法。自动擦除算法automati-
美云计划整个阵列之前，电擦除。
电擦除的时序和验证是
内部控制。
自动闭塞ERASE
该MX28F2100B是使用块（S ）可擦除MXIC的
自动块擦除算法。块擦除模式允许
的阵列的5块1在一个擦除擦除
周期。自动块擦除算法automati-
美云方案中指定块（多个）之前，电
抹去。电擦除的定时与验证
被控制器件内部。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户能够只编写一个程序，建立命令和
的程序指令（程序数据和地址）。该
设备自动次编程脉冲
宽度，提供了程序验证，并计数
序列号。状态寄存器亲计划
志愿组织反馈给用户，以的状态
编程操作。
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MX28F2100B
表1.软件命令定义
命令
公共汽车
周期
1
2
2
2
2
2
2
2
1
1
2
1
第一总线周期
地址
数据
X8
X16
X
X
X
X
X
X
VERIFY
地址
读取设备识别码
擦除挂起
删除恢复
读状态寄存器
清除状态寄存器
写
写
写
写
写
X
X
X
X
X
90H
B0H
D0H
70H
50H
XX90H
XXB0H
XXD0H
XX70H
XX50H
读
---
---
读
---
ADI
---
---
X
---
FFH
10H
或40H
写
写
写
写
写
20H
60H
30H
20H
A0H
XXFFH
XX10H
或XX40H
XX20H
XX60H
XX30H
XX20H
XXA0H
写
写
写
写
读
第二个总线周期
地址
数据
X8
X16
---
地址
X
块
地址
设置自动擦除/
自动擦除（芯片）
设置自动擦除/
自动擦除（块）
擦除验证
块
地址
X
VERIFY
数据
DDI
---
---
SRD
---
VERIFY
数据
DDI
---
---
SRD
---
D0H
XXD0H
X
30H
XX30H
---
数据
20H
60H
---
数据
XX20H
XX60H
项目计划项目
模式
写
写
模式
---
写
读取内存阵列
设置自动程序/
自动编程
设置擦除/擦除（芯片）
设置擦除/擦除（块）
注意：
1.写和读模式在模式选择表中定义的。
2. ADI =的设备标识符的地址; A0 = 0为制造代码， A0 = 1的设备代码。
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 2BH的设备代码（字节= VIL） ; 00C2H的
生产代码， 002BH的设备代码（字节= VIH ）
X = X可以为VIL或VIH
SRD =状态寄存器的数据
命令德网络nitions
在VPP引脚放置高压启用读/写
操作。设备操作由写入所选
特定的数据模式到命令寄存器。 TA-
竹叶提取1定义这些MX28F2100B寄存器命令。
表2定义MX28F2100B的总线操作。
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