MX28F2000P
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144字节由8位组织
快速存取时间： 70/90/120 NS
低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 为100uA最大待机电流
编程和擦除电压12V
±
5%
命令寄存器架构
- 字节编程（ 15US典型值）
- 自动芯片擦除5秒典型
（包括预编程时间）
块擦除
优化的高密度架构受阻
- 四个4KB的块（上）
- 十四16 KB块
- 四个4KB的块（下）
自动擦除（芯片&块）和自动编程
- 数据查询
- 触发位
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
先进的CMOS闪存技术
兼容JEDEC标准的字节宽32针
EPROM引脚
包装类型：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
概述
该MX28F2000P是一个2兆比特的闪存或 -
ganized为256K个字节，每个字节8比特。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的
读/写的非易失性随机存取存储器。该
MX28F2000P封装在32引脚PDIP， PLCC
和TSOP 。它被设计成可重新编程和
擦除在系统或在标准EPROM编程
聚体。
该标准MX28F2000P提供存取时间
快70纳秒，高速运转使
微处理器无需等待。为了消除
总线冲突， MX28F2000P有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX28F2000P使用命令
注册管理这个功能，而
保持一个标准的32引脚引脚排列。该
命令寄存器允许100％的TTL电平控制
输入和擦除过程中固定电源电平
和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX28F2000P采用了12.0V
±
5 ％ VPP供应
进行自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0380
1
REV 。 1.5 ， 1998年10月29日
MX28F2000P
自动编程
该MX28F2000P是使用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的
的室温芯片编程时间
MX28F2000P小于5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
只写擦除设置命令和擦除的COM
命令。设备会自动预先计划和
验证整个阵列。然后设备会自动
次擦除脉冲宽度，提供擦除验证，
和计数序列的数目。状态位
类似的数据轮询和状态位来回切换
连续的读周期之间，提供反馈
用户为擦除操作的状态。
自动芯片擦除
该装置可使用自动擦除要擦除
算法。自动擦除算法automati-
美云计划整个阵列之前，电擦除。
电擦除的时序和验证是
控制器件内部。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制该擦除和编程电路。
在写周期中，指令寄存器内部
锁存地址和数据需要的编程
和擦除操作。对于系统设计simplifica-
和灰，所述MX28F2000P被设计为支持
WE或CE控制写入。在一个系统中写
周期，地址锁存WE的下降沿
或CE为准过去。数据被锁存的
WE或CE的上升沿发生者为准第一次。对
简化下面的讨论中，在WE引脚用作
在整个的这个剩下的写周期控制销
文本。所有的建立和保持时间是相对于该
WE信号。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX28F2000P electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
自动闭塞ERASE
该MX28F2000P是使用块（S ）可擦除MXIC的
自动块擦除算法。块擦除模式允许
该阵列的块，以在一个擦除周期被擦除。
自动块擦除算法自动
程序指定的块（多个）之前，电
抹去。电擦除的定时与验证
被控制器件内部。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户能够只编写一个程序，建立命令和
的程序指令（程序数据和地址）。该
设备自动次编程脉冲
宽度，提供了程序验证，并计数
序列号。类似数据的状态位
轮询和状态位之间连续切换
读周期，将反馈提供给用户作为对
编程操作的状态。
P / N ： PM0380
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REV 。 1.5 ， 1998年10月29日
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