MX28F160C3T/B
16M - BIT [ 1M X16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
位组织： 1,048,576 ×16
单电源工作
- VCC = VCCQ = 2.7 3.6V的读取，擦除和编程
手术
- VPP = 12V快速生产编程
- 工作温度： -40 ° C 85°C
快速存取时间70 /90 / 110ns的
低功耗
- 9毫安典型的有源读取电流， F = 5MHz时
- 18毫安典型的编程电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 21毫安典型的擦除电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 在节能7UA典型待机电流
模式
部门架构
- 部门结构： 4Kword ×2 （引导区） ， 4Kword
×6 （参数扇区） ， 32Kword ×31 （主业）
- 顶部/底部启动
自动擦除和自动程序
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
- 自动扇区擦除在指定部门
自动暂停增强
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，字写和部门锁定/
解锁配置
状态回复
- 检测编程和擦除操作完井
化。
- 命令的用户界面（ CUI）
- 状态寄存器（ SR ）
数据保护性能
- 包括引导扇区及参数和主要部门
要锁定/解锁
100000最小擦除/编程周期
??通用闪存接口（ CFI ）
128位保护寄存器
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球CSP （采用8mm x 6毫米）
概述
该MX28F160C3T / B为16兆比特的闪存
组织为16位的1M字。数据100万字
被布置在8 4Kword引导和参数扇区，
和31 32K字的主要部门有哪些indi-
vidually擦除。旺宏的快闪记忆体提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX28F160C3T / B被包装在
48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成可再
编程和擦除的系统或在标准
EPROM编程器。
标准MX28F160C3T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX28F160C3T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
P / N ： PM0867
REV 。 1.2 ，三月17 ， 2004年
1
MX28F160C3T/B
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX28F160C3T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
A命令的用户界面（ CUI）作为跨
系统处理器和内部操作之间脸
化设备。写一个有效的命令序列
崔启动设备的自动化。内部写
状态机（ WSM ）自动执行algo-
rithms和时间安排必要的擦除，字写和
部门锁定/解锁配置操作。
扇区擦除操作将擦除设备的32K-之一
通常在1.0秒， 4K字的单词行业典型行业
在0.5S美云独立于其他部门。每节
器可独立擦除的最小100,000次。
扇区擦除暂停模式允许系统软件
暂停扇区擦除从任何其他读取或写入数据
部门。
写入存储器的数据以字为单位执行
在0.8S一般设备的32K字部门和
4K字部门内0.1S一般。 Word程序可持
挂起模式使系统能够读取的数据或执行
从任何其它存储器阵列的位置的代码。
个别部门MX28F160C3T / B提供锁相
通过使用位39部门的联合荷兰国际集团锁相
位和WP ，锁定和解锁部门。
状态寄存器指示时， WSM的部门
擦除， Word程序或锁定的配置操作
完成的。
访问时间为70 /90 / 110ns的（ tELQV ）在能操作
阿婷温度范围（-40 ° C至+ 85° C）和VCC支持
层电压范围为2.7V 3.6V 。
MX28F160C3T / B的省电模式功能substan-
tially降低有功电流时，该设备是在静态
模式（地址不切换） 。在这种模式下，典型
CAL ICCS电流7UA （ CMOS） ，在3.0V VCC 。
由于CE和RP是在VCC ， ICC CMOS待机模式
启用。当RP是GND ，复位模式被启用
这最大限度地降低功耗和提供数据
写保护。
复位时间（ tPHQV ）从RP切换的高要求
直到输出是有效的。类似地，该装置具有一个唤醒
时间（ tPHEL ）从RP高，直到写入崔正
认可。随着RP在GND时， WSM被复位，
状态寄存器被清除。
P / N ： PM0867
REV 。 1.2 ，三月17 ， 2004年
2
MX28F160C3T/B
销刀豆网络gurations
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RP
VPP
WP
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
Q15
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
MX28F160C3T/B
48球CSP （采用8mm x 6毫米）顶视图，球下来MX28F160C3T / BXA
（球间距= 0.75毫米，球宽= 0.35毫米）
A1
A13
B1
A14
C1
A15
D1
A16
E1
VCCQ
F1
GND
A2
A11
B2
A10
C2
A12
D2
DQ14
E2
DQ15
F2
DQ7
A3
A8
B3
WE
C3
A9
D3
DQ5
E3
DQ6
F3
DQ13
A4
VPP
B4
RP
C4
NC
D4
DQ11
E4
DQ12
F4
DQ4
A5
WP
B5
A18
C5
NC
D5
DQ2
E5
DQ3
F5
VCC
A6
A19
B6
A17
C6
A6
D6
DQ8
E6
DQ9
F6
DQ10
A7
A7
B7
A5
C7
A3
D7
CE
E7
DQ0
F7
DQ1
A8
A4
B8
A2
C8
A1
6.0 mm
D8
A0
E8
GND
F8
OE
8.0 mm
P / N ： PM0867
REV 。 1.2 ，三月17 ， 2004年
4
MX28F160C3T/B
表1.引脚说明
符号
A0-A19
TYPE
输入
说明与功能
地址输入的内存地址。数据引脚悬空为高阻抗当芯片
取消或输出禁用。地址写在内部锁存或
擦除周期。
DQ0-DQ15
输入/输出
数据输入/输出：在第二CE和WE周期阵列的输入数据的过程中亲
克命令。数据在内部锁存。输出阵列和配置数据。该
数据引脚悬空为三态时，芯片将被取消选择。
CE
输入
芯片使能：开启设备的控制逻辑，输入缓冲器，并读出放大器。
CE高去选择存储设备并降低功耗待机模式
的水平。 CE为低电平有效。
RP
输入
复位/深度掉电：当RP = VIL ，设备处于复位/深度掉电模式下，
该驱动器的输出为高Z，复位WSM并最大限度地减少目前的水平。
当RP = VIH ，该装置是正常的操作。当从VIL RP过渡到VIH，
WE
VPP
输入
输入/电源
设备默认为读阵列模式。
写使能：控制写入崔和阵列领域。 WE = VIL变得活跃。该
数据和地址被锁存在第二WE脉冲的上升沿。
编程/擦除电源： （ 1.65V 3.6V或11.4V 12.6V ）
低VPP<VPPLK ，以防止编程和擦除命令的任何内容。
设置VPP = VCC为在系统读取，编程和擦除操作。
提高VPP至12V ±5％为更快速编程和擦除在生产环境中。
输出使能：在一个真正的循环闸设备的输出。
写入保护功能：当WP为VIL ，在行业标锁定无法解锁
通过软件。当WP为VIH ，锁定下来机制是禁用和部门
先前锁定现已锁定，并可以通过软解锁和锁定
洁具。经过WP变低，任何部门先前标记锁定恢复到那个状态。
设备供电： （ 2.7V 3.6V ） 。
I / O电源：电源输入/输出缓冲器。 （ VCCQ必须连接到VCC ）
接地电压：所有的GND引脚不得连接。
OE
WP
输入
输入
VCC
VCCQ
GND
供应
输入
供应
P / N ： PM0867
REV 。 1.2 ，三月17 ， 2004年
5
QQ：2880707522 复制
