初步
MX27C8111
特点
8M - BIT [ 1M ×8 / 512K X16 ]的CMOS OTP ROM
配页模式
完全兼容TTL
工作电流： 60毫安
套餐类型：
- 42引脚塑料DIP
- 44引脚SOP
随着页模式功能， 8字/ 16字节页
1M ×8或512K ×16的组织
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 90/100/120/150 NS
网页模式访问时间50/60/75 NS
完全静态的操作
概述
该MX27C8111是8M位一次性可编程
只读存储器与页模式。它是作为
1M ×8或512K ×16 ，采用单+ 5伏
供应，有一个静态待机模式，并具有快速
单一地址位置编程。所有的编程
信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有
EPROM编程器也可以使用。该MX27C8111
支持智能快速编程算法
可导致少于两分钟的编程时间。
MX27C8111提供页面读取模式，
可以大大减少读取时间。正常的读
访问时间和页面模式读取访问时间快
90 / 50ns的。它被设计成与所有兼容
微处理器和类似的应用，其中高
perofmrance ，大一点的存储和简单接口
是重要的设计考虑因素。
这一次可编程只读存储器是
封装在工业标准42脚双列直插式塑料
封装和44引脚SOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
SOP
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
Q15/A1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
P / N ： PM0329
MX27C8111
MX27C8111
1
REV 。 2.6 ，八月22 ， 2001年
MX27C8111
功能说明
THE MX27C8111编程
AUTO IDENTIFY模式
当MX27C8111交付，该芯片具有全
8M位在"ONE"或HIGH状态。 "ZEROs"是装
入MX27C8111通过的过程
编程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
与16位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前，
同时或Vpp的后取出。当
编程的MXIC一次性可编程只读
只读存储器，一个0.1uF的电容跨Vpp的要求
和地抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
自动识别模式允许读出一个二进制的
从一次性可编程只读代码只
内存将确定其制造商和设备
型。此模式适用于通过编程使用
设备，用于自动匹配的目的
设备以与它的对应编程
规划算法。此模式是官能的
所需25 ° 5 ° C的环境温度范围
C±
编程时MX27C8111 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C8111 ，这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商，
设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ Q15 ）定义为奇偶校验位。
在VIH ， VPP在其编程电压。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平50微秒脉冲的CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C8111提供页面模式与8个字/ 16
每页字节。为了得到快速页面的好处
读出时，用户应该保持芯片使能（CE ）和低
切换地址A0 A2字模式或A- 1 A2字节
模式。页面读取访问时间（ TPA）等于延迟
从地址到稳定的数据输出。这是快两倍
正常TACC和强烈推荐。
编程禁止模式
多MX27C8111的并行编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C8111的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C8111
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V会编程
MX27C8111 。一个高层次的CE输入抑制其他
从MX27C8111s被编程。
字宽模式
以字节/ VPP在VCC
±
0.2V输出Q0-7本
数据Q0-7和输出Q8-15目前的数据Q8-15 ，后
CE和OE适当启用。
程序校验模式
字节宽模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
核查应与OE的VIL ， CE进行
以字节/ VPP在GND
±
0.2V ，输出Q8-15被三 -
说。如果Q15 / A - 1 = VIH ，输出Q0-7当前数据位
P / N ： PM0329
REV 。 2.6 ，八月22 ， 2001年
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MX27C8111
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
Q8-15 。如果Q15 / A - 1 = VIL ，输出Q0-7当前数据位
Q0-7.
待机模式
该MX27C8111具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C8111还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在印刷电路板的影响轨迹上的一个时间
可编程只读存储器阵列，一个4.7微法堆积
电解电容应该与VCC之间使用
GND为每八台设备。的位置
电容应靠近那里的电源
连接至阵列。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
模式选择表
BYTE /
模式
阅读（字）
阅读（高字节）
阅读（低字节）
输出禁用
待机
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
Q15/A-1
Q15退房
VIH
VIL
高Z
高Z
Q15在
Q15退房
高Z
0B
1B
VPP(5)
VCC
GND
GND
X
X
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
Q8-14
Q8-14出
高Z
高Z
高Z
高Z
Q8-14在
Q8-14出
高Z
00H
38H
Q0-7
Q0-7出
Q8-15出
Q0-7出
高Z
高Z
Q0-7在
Q0-7出
高Z
C2H
16H
注意事项：
1. VH = 12.0V
±
0.5V
2. X =要么VIH或VIL 。
3， A1 -A8 ， A10 ， A18 = VIL （自动选择）
4.请参阅DC编程特性的VPP电压。
5. BYTE / VPP是直流电压的条件下用于操作
只。
6.生产代码= 00C2H
设备代码= B816H
P / N ： PM0329
REV 。 2.6 ，八月22 ， 2001年
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QQ：2881677436 复制
