初步
MX27C4111
4M- BIT [ 512K ×8 / 256K X16 ]的CMOS EPROM
配页模式
特点
随着页模式功能， 8字/ 16字节页
512K ×8或256K ×16的组织
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 90/100/120/150 NS
网页模式访问时间50/60/75 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 60毫安
套餐类型：
- 40引脚塑料DIP
- 40引脚SOP
概述
该MX27C4111是4M位一次性可编程
只读存储器与页模式。它是作为
512K ×8或256K ×16 ，采用单+ 5伏
供应，有一个静态待机模式，并具有快速
单一地址位置编程。所有的编程
信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有的EPROM
程序员可以使用。该MX27C4111支持
一个智能化的快速编程算法，这可能会导致
在不到两分钟的编程时间。
MX27C4111提供页面读取模式，
可以大大减少读取时间。正常的读
访问时间和页面模式读取访问时间快
90 / 50ns的。它被设计成与所有兼容
微处理器和类似的应用，其中高
perofmrance ，大一点的存储和简单接口
是重要的设计考虑因素。
这EPROM包装行业标准40针
双列直插式封装和40引脚的SOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
框图
CE
OE
BYTE / VPP
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q14
Q15/A-1
MX27C4111
.
.
.
A0~A17
地址
输入
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
Y选择
X解码器
.
.
.
.
4M位
CELL
MAXTRIX
VCC
GND
P / N ： PM0239
1
REV 。 2.7 ，十一月19 ， 2002年
MX27C4111
功能说明
THE MX27C4111编程
当MX27C4111被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全4M位在"ONE"或HIGH状态。 "ZEROs"
被装入MX27C4111通过程序
的编程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
与16位并行数据引脚。
VCC必须同时或VPP前申请，
并同时或VPP后除去。当
编程的MXIC EPROM ，一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能，在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27C4111 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C4111 ，这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商，
设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ Q15 ）定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C4111提供页面模式与8个字/ 16
每页字节。为了得到快速页面的好处
读出时，用户应该保持芯片使能（CE ）和低
切换地址A0 A2字模式或A- 1 A2字节
模式。页面读取访问时间（ TPA）等于
从稳定的地址到数据输出延时。它的两倍
快，正常TACC和强烈推荐。
编程禁止模式
多MX27C4111的并行编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C4111的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C4111
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V会编程
MX27C4111 。一个高层次的CE输入抑制其他
从MX27C4111s被编程。
字宽模式
以字节/ VPP在VCC
±
0.2V输出Q0-7本
数据Q0-7和输出Q8-15目前的数据Q8-15 ，后
CE和OE适当启用。
字节宽模式
程序校验模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
核查应与OE的VIL ， CE进行
在VIH和VPP在其编程电压。
以字节/ VPP在GND
±
0.2V ，输出Q8-15被三 -
说。如果Q15 / A - 1 = VIH ，输出Q0-7当前数据位
Q8-15 。如果Q15 / A - 1 = VIL ，输出Q0-7当前数据位
Q0-7.
P / N ： PM0239
3
REV 。 2.7 ，十一月19 ， 2002年
MX27C4111
待机模式
该MX27C4111具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C4111还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
从系统控制连接到所述读行
总线。这保证了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而输出
销仅有源当数据从一个期望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间为每八台设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
模式选择表
BYTE /
模式
阅读（字）
阅读（高字节）
阅读（低字节）
输出禁用
待机
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
Q15/A-1
Q15退房
VIH
VIL
高Z
高Z
Q15在
Q5退房
高Z
0B
1B
VPP(5)
VCC
GND
GND
X
X
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
Q8-14
Q8-14出
高Z
高Z
高Z
高Z
Q8-14在
Q8-14出
高Z
00H
38H
Q0-7
Q0-7出
Q8-15出
Q0-7出
高Z
高Z
Q0-7在
Q0-7出
高Z
C2H
00H
注意事项：
1.VH = 12.0V
±
0.5V
2.X =要么VIH或VIL
3.A1 - A8 ， A10 - A17 = VIL （对于自动选择）
4.See DC编程特性VPP
电压。
5.BYTE / VPP是根据DC用于操作
只有电压条件下。
6.Manufacture码= 00C2H
设备代码= B800H
P / N ： PM0239
4
REV 。 2.7 ，十一月19 ， 2002年
初步
MX27C4111
4M- BIT [ 512K ×8 / 256K X16 ]的CMOS EPROM
配页模式
特点
随着页模式功能， 8字/ 16字节页
512K ×8或256K ×16的组织
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 90/100/120/150 NS
网页模式访问时间50/60/75 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 60毫安
套餐类型：
- 40引脚塑料DIP
- 40引脚SOP
概述
该MX27C4111是4M位一次性可编程
只读存储器与页模式。它是作为
512K ×8或256K ×16 ，采用单+ 5伏
供应，有一个静态待机模式，并具有快速
单一地址位置编程。所有的编程
信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有的EPROM
程序员可以使用。该MX27C4111支持
一个智能化的快速编程算法，这可能会导致
在不到两分钟的编程时间。
MX27C4111提供页面读取模式，
可以大大减少读取时间。正常的读
访问时间和页面模式读取访问时间快
90 / 50ns的。它被设计成与所有兼容
微处理器和类似的应用，其中高
perofmrance ，大一点的存储和简单接口
是重要的设计考虑因素。
这EPROM包装行业标准40针
双列直插式封装和40引脚的SOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
框图
CE
OE
BYTE / VPP
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q14
Q15/A-1
MX27C4111
.
.
.
A0~A17
地址
输入
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
Y选择
X解码器
.
.
.
.
4M位
CELL
MAXTRIX
VCC
GND
P / N ： PM0239
1
REV 。 2.6 ，八月20 ， 2001年
MX27C4111
功能说明
THE MX27C4111编程
当MX27C4111被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全4M位在"ONE"或HIGH状态。 "ZEROs"
被装入MX27C4111通过程序
的编程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
与16位并行数据引脚。
VCC必须同时或VPP前申请，
并同时或VPP后除去。当
编程的MXIC EPROM ，一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能，在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27C4111 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C4111 ，这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商，
设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ Q15 ）定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C4111提供页面模式与8个字/ 16
每页字节。为了得到快速页面的好处
读出时，用户应该保持芯片使能（CE ）和低
切换地址A0 A2字模式或A- 1 A2字节
模式。页面读取访问时间（ TPA）等于
从稳定的地址到数据输出延时。它的两倍
快，正常TACC和强烈推荐。
编程禁止模式
多MX27C4111的并行编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C4111的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C4111
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V会编程
MX27C4111 。一个高层次的CE输入抑制其他
从MX27C4111s被编程。
字宽模式
以字节/ VPP在VCC
±
0.2V输出Q0-7本
数据Q0-7和输出Q8-15目前的数据Q8-15 ，后
CE和OE适当启用。
字节宽模式
程序校验模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
核查应与OE的VIL ， CE进行
在VIH和VPP在其编程电压。
以字节/ VPP在GND
±
0.2V ，输出Q8-15被三 -
说。如果Q15 / A - 1 = VIH ，输出Q0-7当前数据位
Q8-15 。如果Q15 / A - 1 = VIL ，输出Q0-7当前数据位
Q0-7.
P / N ： PM0239
3
REV 。 2.6 ，八月20 ， 2001年
MX27C4111
待机模式
该MX27C4111具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C4111还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
从系统控制连接到所述读行
总线。这保证了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而输出
销仅有源当数据从一个期望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间为每八台设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
模式选择表
BYTE /
模式
阅读（字）
阅读（高字节）
阅读（低字节）
输出禁用
待机
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIL
VIL
VIH
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
Q15/A-1
Q15退房
VIH
VIL
高Z
高Z
Q15在
Q5退房
高Z
0B
1B
VPP(5)
VCC
GND
GND
X
X
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
Q8-14
Q8-14出
高Z
高Z
高Z
高Z
Q8-14在
Q8-14出
高Z
00H
38H
Q0-7
Q0-7出
Q8-15出
Q0-7出
高Z
高Z
Q0-7在
Q0-7出
高Z
C2H
00H
注意事项：
1.VH = 12.0V
±
0.5V
2.X =要么VIH或VIL
3.A1 - A8 ， A10 - A17 = VIL （对于自动选择）
4.See DC编程特性VPP
电压。
5.BYTE / VPP是根据DC用于操作
只有电压条件下。
6.Manufacture码= 00C2H
设备代码= B800H
P / N ： PM0239
4
REV 。 2.6 ，八月20 ， 2001年
QQ：2881677436 复制
