MX27C4100/27C4096
4M- BIT [ 512K ×8 / 256K ×16 ]的CMOS EPROM
特点
256K ×16的组织（ MX27C4096 ， JEDEC销
OUT ）
512K ×8或256K ×16的组织（ MX27C4100 ，
ROM引脚输出兼容）
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 60毫安
套餐类型：
- 40引脚塑料DIP
- 44引脚PLCC
- 40引脚SOP
概述
该MX27C4100 / 4096是一个仅5V ，4M位，一时间
可编程只读存储器。它是作为
256K字每字16位（ MX27C4096 ） ， 512K ×8
或者256K ×16 （ MX27C4100 ） ，采用单+ 5
伏电源，具有静态待机模式，并具有快速
单一地址位置编程。所有的编程
信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有的EPROM
程序员可以使用。该MX27C4100 / 4096
支持智能快速编程算法
可导致少于两分钟的编程时间。
这EPROM包装行业标准40针
双列直插式封装， 40引线SOP，和44引脚PLCC
包。
销刀豆网络gurations
SOP/PDIP(MX27C4100)
框图（ MX27C4100 ）
CE
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
OE
BYTE / VPP
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q14
Q15/A-1
MX27C4100
.
.
.
A0~A17
地址
输入
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
X解码器
4M位
CELL
MAXTRIX
VCC
GND
P / N ： PM0197
1
REV 。 3.4 ，八月22 ， 2001年
MX27C4100/27C4096
引脚说明（ MX27C4100 ）
符号
A0~A17
Q0~Q14
CE
OE
BYTE / VPP
Q15/A-1
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节选择/编程电源电压
Q15 （字模式） / LSB地址。 （字节模式）
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
引脚说明（ MX27C4096 ）
符号
A0~A17
Q0~Q15
CE
OE
VPP
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
BYTE函数的真值表（ MX27C4100 ）
字节模式（字节= GND）
CE
H
L
L
OE
X
H
L
Q15/A-1
X
X
A- 1输入
模式
未选择
未选择
选
Q0-Q7
高Z
高Z
DOUT
电源电流
Standby(ICC2)
Operating(ICC1)
Operating(ICC1)
字模式（字节= VCC）
CE
H
L
L
注： X = H或L
OE
X
H
L
Q15/A-1
高Z
高Z
DOUT
模式
未选择
未选择
选
Q0-Q14
高Z
高Z
DOUT
电源电流
Standby(ICC2)
Operating(ICC1)
Operating(ICC1)
P / N ： PM0197
REV 。 3.4 ，八月22 ， 2001年
3
MX27C4100/27C4096
功能说明
THE MX27C4100 / 4096编程
当MX27C4100 / 4096被递送，或者它是
擦除，该芯片具有所有4M比特的"ONE"或高
状态。 "ZEROs"装入MX27C4100 / 4096
通过编程的过程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
与16位并行数据引脚。
VCC必须同时或VPP前申请，
并同时或VPP后除去。当
编程的MXIC EPROM ，一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能，在25 ℃±5 ℃的环境
编程时所需要的温度范围内
在MX27C4100 / 4096 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C4100 / 4096 ，这两个标识符字节被定
在模式选择表。所有标识符制造商
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ Q15 ）定义为奇偶校验位。
核查应与OE和CE在执行
VIL （对于MX27C4096 ） ， OE在VIL和CE的VIH （为
MX27C4100 ）和VPP在其编程电压。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C4100 / 4096具有两个控制功能，两者的
它必须以获得数据被逻辑纳
在输出端。芯片使能（ CE ）是功率控制
并应被用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE年代，假设CE一直保持在低水平，并
地址已经稳定至少TACC - 吨OE 。
编程禁止模式
并行地在多个MX27C4100的编程/ 4096的
用不同的数据，也容易通过完成
该计划禁止模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C4100 / 4096输入可能
常见的。一个TTL低层次的编程脉冲施加到
MX27C4100 / 4096 CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V的意志
编程MX27C4100 / 4096 。一个高层次的CE输入
被禁止的其他MX27C4100 / 4096s
编程。
字宽模式
程序校验模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
以字节/ VPP在VCC
±
0.2V输出Q0-7本
数据Q0-7和输出Q8-15目前的数据Q8-15 ，后
CE和OE适当启用。
P / N ： PM0197
REV 。 3.4 ，八月22 ， 2001年
4
MX27C4100/27C4096
字节宽模式
以字节/ VPP在GND
±
0.2V ，输出Q8-15被三 -
说。如果Q15 / A - 1 = VIH ，输出Q0-7当前数据位
Q8-15 。如果Q15 / A - 1 = VIL ，输出Q0-7当前数据位
Q0-7.
使用VCC和GND之间为每八台设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
待机模式
该MX27C4100 / 4096具有CMOS待机模式
这减少到100微安的最大VCC的电流。它
是摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C4100 / 4096还具有一个TTL待机模式
这减小了最大VCC的电流1.5毫安。它
是摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
P / N ： PM0197
REV 。 3.4 ，八月22 ， 2001年
5
QQ：2881677436 复制
