MX27C256
特点
256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM
工作电流： 30毫安
套餐类型：
- 28引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚8× 13.4毫米TSOP （ I）
32K ×8的组织
+ 5V单电源供电
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 45/55/70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
概述
该MX27C256是5V只， 256K位，一次性
可编程只读存储器。它是作为
32K ×8位，采用单+其它5伏特的电源，具有
静态待机模式，并具有快速单地址
位置编程。所有的编程信号是TTL
水平，因此需要一个单脉冲。从编程
系统外，现有的EPROM编程器
可被使用。该MX27C256支持智能快
编程算法可以导致编程
的不到十秒钟的时间明。
这EPROM包装行业标准28针
双列直插式封装， 32引脚PLCC和28引
TSOP （I）的包。
销刀豆网络gurations
PDIP
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PLCC
CE
OE
VCC
VPP
A12
A14
A13
控制
逻辑
产量
缓冲器
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
4
NC
A7
Q0~Q7
1
32
30
29
A8
A9
A11
NC
A0~A14
地址
输入
.
.
.
.
.
.
.
.
VCC
GND
VPP
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
MX27C256
9
MX27C256
25
OE
A10
CE
Q7
X解码器
256K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
NC
Q3
Q4
21
20
Q5
Q6
8× 13.4毫米28 - TSOP （ I）
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A14
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
MX27C256
P / N ： PM0203
1
REV 。 5.6 ，八月26 ， 2003
MX27C256
功能说明
THE MX27C256编程
当MX27C256被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全256K位的"ONE"或HIGH状态。
"ZEROs"装入MX27C256通过
编程的过程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前，
同时或Vpp的后取出。当
编程的MXIC EPROM ，一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能，在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27C256 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5 （V H）上的地址线A9
装置。两个标识符字节可接着进行测序
从切换地址线A0器件输出从
VIL至VIH 。所有其他地址线必须在VIL举行
在自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C256 ，这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商，
设备代码将拥有奇校验，与MSB （ Q7 ）
定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C256具有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
编程禁止模式
多个MX27C256s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C256的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C256
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和OE高会
程序MX27C256 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27C256s被编程。
待机模式
该MX27C256具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C256还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
程序校验模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
核查应符合CE和OE执行
在VIL和VPP在其编程电压。
P / N ： PM0203
REV.5.6 ，八月26 ， 2003
2
MX27C256
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用Vcc和GND之间的每个八台设备。该
电容器的位置应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
10H
注意事项：
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A14 = VIL （对于自动选择）
4.编程过程中看到DC编程特性的VPP电压。
P / N ： PM0203
REV.5.6 ，八月26 ， 2003
3
MX27C256
开合试验电路
设备
下
TEST
1.8K欧姆
+5V
CL
6.2K欧姆
二极管= IN3064
或同等学历
CL = 100 pF包括夹具电容（ 30pF的45 /55 / 70ns的部分）
切换测试波形
2.0V
AC驾驶水平
2.0V
测试点
0.8V
产量
0.8V
输入
AC测试： AC驾驶水平2.4V / 0.4V的商用级， 3.0V / 0V为工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为10ns < 。
AC驾驶水平
1.5V
测试点
产量
1.5V
输入
AC测试： （ 1 ） AC驾驶水平3.0V / 0V为商业级和工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为10ns < 。
（2）为MX27C256-45 ， MX27C256-55 ， MX27C256-70 。
P / N ： PM0203
REV.5.6 ，八月26 ， 2003
5
MX27C256
特点
256K - BIT [ 32K ×8 ] CMOS EPROM
工作电流： 30毫安
套餐类型：
- 28引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚8× 13.4毫米TSOP （ I）
32K ×8的组织
+ 5V单电源供电
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 45/55/70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
概述
该MX27C256是5V只， 256K位，紫外线Eras-
能的可编程只读存储器。它的组织结构
为32K ×8位，采用单+其它5伏特的电源，
有一个静态待机模式，并具有快速单
地址位置编程。所有的编程
信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有
EPROM编程器也可以使用。该MX27C256
支持智能快速编程算法
可导致不到十秒钟的编程时间。
这EPROM包装行业标准28针
双列直插式封装， 32引脚PLCC和28引
TSOP （I）的包。
销刀豆网络gurations
PDIP
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PLCC
CE
OE
VCC
VPP
A12
A14
A13
控制
逻辑
产量
缓冲器
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
4
NC
A7
Q0~Q7
1
32
30
29
A8
A9
A11
NC
A0~A14
地址
输入
.
.
.
.
.
.
.
.
VCC
GND
VPP
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
MX27C256
9
MX27C256
25
OE
A10
CE
Q7
X解码器
256K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
NC
Q3
Q4
21
20
Q5
Q6
8× 13.4毫米28 - TSOP （ I）
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A14
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
MX27C256
P / N ： PM0203
1
REV 。 5.3 ，九月19 ， 2001年
MX27C256
功能说明
THE MX27C256编程
当MX27C256被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全256K位的"ONE"或HIGH状态。
"ZEROs"装入MX27C256通过
编程的过程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前，
同时或Vpp的后取出。当
编程的MXIC EPROM ，一个0.1uF的电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能，在25℃
±
5 °C的环境
编程时所需要的温度范围内
该MX27C256 。
以激活此模式中，编程设备
必须强制12.0
±
0.5 （V H）上的地址线A9
装置。两个标识符字节可接着进行测序
从切换地址线A0器件输出从
VIL至VIH 。所有其他地址线必须在VIL举行
在自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。对于
MX27C256 ，这两个标识符字节被在给定的
模式选择表。所有identi连接器的制造商，
设备代码将拥有奇校验，与MSB （ Q7 ）
定义为奇偶校验位。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和OE = VIH （算法显示在
图1）。编程是通过将实现
单TTL低电平100us的脉冲到CE输入后，
地址和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加了最大的
25个脉冲。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当
编程模式完成后，所有的地址数据
是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
读取模式
该MX27C256具有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
编程禁止模式
多个MX27C256s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C256的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C256
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和OE高会
程序MX27C256 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27C256s被编程。
待机模式
该MX27C256具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C256还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
程序校验模式
验证应在执行编程
位，以确定他们是正确编程。
核查应符合CE和OE执行
在VIL和VPP在其编程电压。
P / N ： PM0203
REV.5.3 ，九月19 ， 2001年
2
MX27C256
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用Vcc和GND之间的每个八台设备。该
电容器的位置应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
10H
注意事项：
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A14 = VIL （对于自动选择）
4.在查看DC编程特性的电压VPP
编程。
P / N ： PM0203
REV.5.3 ，九月19 ， 2001年
3
MX27C256
开合试验电路
设备
下
TEST
1.8K欧姆
+5V
CL
6.2K欧姆
二极管= IN3064
或同等学历
CL = 100 pF包括夹具电容（ 30pF的45 /55 / 70ns的部分）
切换测试波形
2.0V
AC驾驶水平
2.0V
测试点
0.8V
产量
0.8V
输入
AC测试： AC驾驶水平2.4V / 0.4V的商用级， 3.0V / 0V为工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为10ns < 。
AC驾驶水平
1.5V
测试点
产量
1.5V
输入
AC测试： （ 1 ） AC驾驶水平3.0V / 0V为商业级和工业级。
输入脉冲的上升和下降时间为10ns < 。
（2）为MX27C256-45 ， MX27C256-55 ， MX27C256-70 。
P / N ： PM0203
REV.5.3 ，九月19 ， 2001年
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QQ：2880707522 复制
