MX27C1000
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS EPROM
特点
128K ×8的组织
+ 5V单电源供电
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 45/55/70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
套餐类型：
-
-
-
-
32引脚塑料DIP
32引脚SOP
32引脚PLCC
32引脚TSOP
概述
该MX27C1000是5V只， 1M位，一时间
可编程只读存储器。它是作为
128K字每字8位，采用单+
5伏电源，具有静态待机模式，并配
快速单地址位置编程。所有程序 -
明信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有的EPROM
程序员可以使用。该MX27C1000支持
智能快速编程算法，该算法能
导致小于30秒编程时间。
这EPROM包装行业标准32针
双列直插式封装， 32引脚PLCC ， 32引线SOP，和
32引脚TSOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
PGM
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX27C1000
MX27C1000
PGM
PLCC
VCC
VPP
A12
A15
A16
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
NC
A14
A13
A8
A9
9
MX27C1000
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
P / N ： PM0234
1
REV 。 5.8 ，十一月09 ， 2001年
MX27C1000
框图
CE
PGM
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q17
引脚说明
符号
A0~A16
Q0~Q7
CE
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
可编程使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
.
.
A0~A16
地址
输入
.
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
OE
PGM
VPP
NC
VCC
GND
X解码器
1M位
CELL
MAXTRIX
VCC
GND
VPP
实用
描述
编程禁止模式
多个MX27C1000s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C1000的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C1000
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和PGM过低都会
程序MX27C1000 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27C1000s被编程。
THE MX27C1000编程
当MX27C1000被递送，或者它被擦除，
该芯片具有所有1M位的"ONE"或HIGH状态。
＆ QUOT ; 0序列＆ QUOT ;通过装入MX27C1000
编程的过程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前，
同时或Vpp的后取出。
当
编程的MXIC EPROM ，一个01.uF电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。该
核查应与OE和CE在VIL进行，
PGM的VIH和VPP在其编程电压。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和PGM = VIL （或OE = VIH ） （算法
示于图1）。编程实现
通过施加单一的TTL低电平100us的脉冲施加到
地址和数据线之后的PGM输入是稳定的。如果
的数据没有被验证，附加脉冲被施加
最多为25个脉冲。这个过程被重复
而通过该装置的每个地址进行测序。
当编程模式完成时，在数据
所有的地址是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备用于自动地为目的
相匹配的设备与被编程的
相应的规划算法。此模式是
功能性在25℃
±
5℃的环境温度范围
C
当编程MX27C1000所需。
P / N ： PM0234
REV 。 5.8 ，十一月09 ， 2001年
2
MX27C1000
要激活此模式下，编程设备必须
力12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX27C1000 ，这两个标识符字节中给出
模式选择表。所有identi连接器生产厂家
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
主设备选择功能，而OE作出
在阵列中的所有设备共同连接，并
从系统控制连接到所述读行
总线。这保证了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而输出
销仅有源当数据从一个特定的所希望的
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间为每八台设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
读取模式
该MX27C1000具有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制和应使用栅极数据
到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在下降沿后TQE输出
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - TQE 。
待机模式
该MX27C1000具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C1000还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE被解码，并作为
P / N ： PM0234
REV 。 5.8 ，十一月09 ， 2001年
3
MX27C1000
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 27C1000 ） （ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
X
VIL
VIL
PGM
X
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
0EH
注意事项：
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A16 = VIL （对于自动选择）
4.编程过程中看到DC编程特性的VPP电压。
P / N ： PM0234
REV 。 5.8 ，十一月09 ， 2001年
4
MX27C1000
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS EPROM
特点
128K ×8的组织
+ 5V单电源供电
+ 12.5V电压编程
快速访问时间： 45/55/70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
套餐类型：
-
-
-
-
32引脚塑料DIP
32引脚SOP
32引脚PLCC
32引脚TSOP
概述
该MX27C1000是5V只， 1M位，一时间
可编程只读存储器。它是作为
128K字每字8位，采用单+
5伏电源，具有静态待机模式，并配
快速单地址位置编程。所有程序 -
明信号是TTL电平，需要一个单脉冲。为
从系统外部编程，现有的EPROM
程序员可以使用。该MX27C1000支持
智能快速编程算法，该算法能
导致小于30秒编程时间。
这EPROM包装行业标准32针
双列直插式封装， 32引脚PLCC ， 32引线SOP，和
32引脚TSOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
PGM
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX27C1000
MX27C1000
PGM
PLCC
VCC
VPP
A12
A15
A16
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
NC
A14
A13
A8
A9
9
MX27C1000
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
P / N ： PM0234
1
REV 。 6.0 ，八月26 ， 2003
MX27C1000
框图
CE
PGM
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q17
引脚说明
符号
A0~A16
Q0~Q7
CE
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
可编程使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
.
.
A0~A16
地址
输入
.
.
.
.
.
.
y解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
OE
PGM
VPP
NC
VCC
GND
X解码器
1M位
CELL
MAXTRIX
VCC
GND
VPP
实用
描述
编程禁止模式
多个MX27C1000s平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX27C1000的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX27C1000
CE输入与VPP = 12.5
±
0.5 V和PGM过低都会
程序MX27C1000 。一个高层次的CE输入抑制
从其他MX27C1000s被编程。
THE MX27C1000编程
当MX27C1000被递送，或者它被擦除，
该芯片具有所有1M位的"ONE"或HIGH状态。
＆ QUOT ; 0序列＆ QUOT ;通过装入MX27C1000
编程的过程。
用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
VCC必须同时应用或Vpp的面前，
同时或Vpp的后取出。
当
编程的MXIC EPROM ，一个01.uF电容
跨VPP与地面压制寄生要求
电压瞬变可能会损坏设备。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。该
核查应与OE和CE在VIL进行，
PGM的VIH和VPP在其编程电压。
快速编程
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压VPP = 12.75V被施加，以
VCC = 6.25 V和PGM = VIL （或OE = VIH ） （算法
示于图1）。编程实现
通过施加单一的TTL低电平100us的脉冲施加到
地址和数据线之后的PGM输入是稳定的。如果
的数据没有被验证，附加脉冲被施加
最多为25个脉冲。这个过程被重复
而通过该装置的每个地址进行测序。
当编程模式完成时，在数据
所有的地址是在VCC = VPP = 5V核实
±
10%.
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从EPROM ，将确定其制造商代码
和设备类型。此模式适用于使用由
编程设备用于自动地为目的
相匹配的设备与被编程的
相应的规划算法。此模式是
功能性在25℃
±
5℃的环境温度范围
C
当编程MX27C1000所需。
P / N ： PM0234
REV 。 6.0 ，八月26 ， 2003
2
MX27C1000
要激活此模式下，编程设备必须
力12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX27C1000 ，这两个标识符字节中给出
模式选择表。所有identi连接器生产厂家
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
主设备选择功能，而OE作出
在阵列中的所有设备共同连接，并
从系统控制连接到所述读行
总线。这保证了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而输出
销仅有源当数据从一个特定的所希望的
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间为每八台设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
读取模式
该MX27C1000具有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制和应使用栅极数据
到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在下降沿后TQE输出
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - TQE 。
待机模式
该MX27C1000具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C1000还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE被解码，并作为
P / N ： PM0234
REV 。 6.0 ，八月26 ， 2003
3
MX27C1000
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
制造商代码（ 3 ）
设备代码（ 27C1000 ） （ 3 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC±0.3V
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
X
VIH
VIL
X
VIL
VIL
PGM
X
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
X
VH
VH
VPP
VCC
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
C2H
0EH
注意事项：
1. VH = 12.0 V
±
0.5 V
2. X =要么VIH或VIL
3. A1 - A8 = A10 - A16 = VIL （对于自动选择）
4.编程过程中看到DC编程特性的VPP电压。
P / N ： PM0234
REV 。 6.0 ，八月26 ， 2003
4
QQ：2881677436 复制
