MX26LV400
旺宏N位
TM
存储器系列
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压
3V只引导扇区高速eLiteFlash
TM
内存
特点
扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除验证能力。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
2000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
包装类型：
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX26LV400是4兆比特的高速闪存
组织为512K字节的8位或16的256K字
位。旺宏的高速闪存，提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX26LV400封装采用48引脚
TSOP和48球CSP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
该标准MX26LV400提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX26LV400有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
旺宏的高速闪存EPROM增加
功能与电路中的电擦除和编程
明。该MX26LV400使用命令寄存器
管理此功能。命令寄存器允许
100％的TTL电平控制输入和固定电源支持
擦除和编程时帘布层的水平，并保
泰宁最大EPROM的兼容性。
MXIC高速闪存技术能可靠地保存
存储器的内容即使在2000擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计优化了擦除
和编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理，低IN-国家
ternal电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。该MX26LV400使用
3.0V 3.6V的VCC电源进行高可靠性
擦除和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1094
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
1
MX26LV400
销刀豆网络gurations
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
引脚说明
符号引脚名称
A0~A17
Q0~Q14
Q15/A-1
CE＃
WE＃
BYTE ＃
RESET＃
OE ＃
RY / BY ＃
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节选择输入
硬件复位引脚
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 3.0V 3.6V ）
接地引脚
MX26LV400
48球CSP球间距为0.8毫米，顶视图，球朝下
A
6
5
4
3
2
1
A13
A9
WE＃
RY / BY ＃
A7
A3
B
A12
A8
RESET＃
NC
A17
A4
C
A14
A10
NC
NC
A6
A2
D
A15
A11
NC
NC
A5
A1
E
A16
Q7
Q5
Q2
Q0
A0
F
G
H
GND
Q6
Q4
Q3
Q1
GND
BYTE ＃ Q15 / A- 1
Q14
Q12
Q10
Q8
CE＃
Q13
VCC
Q11
Q9
OE ＃
P / N ： PM1094
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
2
MX26LV400
块结构
表1 ： MX26LV400T部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区大小
字节模式字模式
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
32Kbytes
8Kbytes
8Kbytes
16Kbytes
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
16Kwords
4Kwords
4Kwords
8Kwords
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000-0FFFF
10000-1FFFF
20000-2FFFF
30000-3FFFF
40000-4FFFF
50000-5FFFF
60000-6FFFF
70000-77FFF
78000-79FFF
7A000-7BFFF
7C000-7FFFF
字模式（ X16 ）
00000-07FFF
08000-0FFFF
10000-17FFF
18000-1FFFF
20000-27FFF
28000-2FFFF
30000-37FFF
38000-3BFFF
3C000-3CFFF
3D000-3DFFF
3E000-3FFFF
A17 A16
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
扇区地址
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
注：字节模式：地址范围A17 ： A- 1 ，单词方式：地址范围A17 ： A0 。
表2 ： MX26LV400B部门架构
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
扇区大小
字节模式字模式
16Kbytes
8Kbytes
8Kbytes
32Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
64Kbytes
8Kwords
4Kwords
4Kwords
16Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
32Kwords
地址范围
字节模式（ X8 ）
00000-03FFF
04000-05FFF
06000-07FFF
08000-0FFFF
10000-1FFFF
20000-2FFFF
30000-3FFFF
40000-4FFFF
50000-5FFFF
60000-6FFFF
70000-7FFFF
字模式（ X16 ）
00000-01FFF
02000-02FFF
03000-03FFF
04000-07FFF
08000-0FFFF
10000-17FFF
18000-1FFFF
20000-27FFF
28000-2FFFF
30000-37FFF
38000-3FFFF
A17 A16
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
扇区地址
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
注：字节模式：地址范围A17 ： A- 1 ，单词方式：地址范围A17 ： A0 。
P / N ： PM1094
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
3
MX26LV400
自动编程
该MX26LV400是使用字/字节编程
自动编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户，以该台站
土族的擦除操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
旺宏的高速闪存技术结合多年的
EPROM的经验，以产生最高水平的
质量，可靠性和成本效益。该MX26LV400
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的超热电子的EPROM编程机制
注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态，表7中，为更
这些状态位的信息。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
自动擦除算法自动程序
前电擦除整个阵列。定时和
验证电擦除的内部控制，
内的设备。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别，通过识别码输出上
Q7 Q0 。此模式主要适于编程
设备的设备上，以与其亲被编程
编程算法。当高电压编程
方法，自动选择模式，需要VID （ 11V至
12V ）上的地址引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1
和A0为参照在表3中。此外，以访问
自动选择的代码在系统中，主机可以发出
通过命令自动选择命令
寄存器，而不需要的VID ，如表4所示。
自动扇区擦除
该MX26LV400是所属部门可擦写使用MXIC汽车
扇区擦除算法。自动扇区擦除
算法自动程序指定的扇区（S ）
之前的电擦除。定时和验证的
电擦除内部的DE-内控制
副。擦除操作可以擦除一个扇区，多
扇区或整个设备。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
P / N ： PM1094
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
5
QQ：2881677436 复制
