先进的信息
MX26L1620
16M - BIT [ 1M ×16 ]的CMOS
多时间可编程EPROM
特点
1,048,576 ×16字节结构
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程
操作
VCC低于写入禁止等于或小于2.5V
兼容JEDEC标准
高性能
- 快速存取时间： 90 / 120ns的（典型值）。
- 快速编程时间： 35秒/芯片（典型值）。
- 快速擦除时间： 45秒/芯片（典型值）。
低功耗
- 低有效的读电流： 10毫安（典型值）在5MHz
- 低待机电流为30uA （典型值）。
最低100擦除/编程周期
10年的数据保存
状态回复
- 数据轮询&切换位提供检测
编程和擦除操作完成
12V ACC输入引脚提供加速方案
能力
输出电压和输入电压的装置是
通过对VI / O引脚上的电压决定。
- VI / O电压范围： 1.65V 3.6V
包
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
概述
该MX26L1620是16M位MTP EPROM
TM
有组织的
为1M字节16位。旺宏的MTP EPROM
TM
报价
最有成本效益和可靠的读/写的非易失性
随机存取存储器。该MX26L1620封装在
44引脚SOP ， 48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX26L1620提供存取时间快
为90ns ，高速微处理器，允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX26L1620有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用OE的控制。旺宏的MTP EPROM
TM
扩大
EPROM的功能与电路中的电擦除和
编程。该MX26L1620使用命令寄存器
管理此功能。
旺宏的MTP EPROM
TM
技术可靠店
即使经过100次擦除和程序存储器的内容
周期。该MXIC单元的设计优化了擦除
和程序的机制。的，此外，该组合
先进的隧道氧化处理，且内部
电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。
该MX26L1620采用2.7V至3.6V的VCC电源到
执行高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非epiprocess 。闭锁保护
经证明，以应力高达100毫安的地址和
数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0827
REV 。 0.4 ，一月31 ， 2002年
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MX26L1620
引脚配置
48 CSP
1.球间距= 0.75毫米的MX26L1620XA （顶视图，球下）
1
2
3
4
5
6
7
8
A
A13
A11
A8
加
NC
A19
A7
A4
B
A14
A10
WE
RESET
A18
A17
A5
A2
C
A15
A12
A9
NC
NC
A6
A3
A1
7.0 mm
D
A16
Q14
Q5
Q11
Q2
Q8
CE
A0
E
V的I / O
Q15
Q6
Q12
Q3
Q9
Q0
GND
F
GND
Q7
Q13
Q4
VCC
Q10
Q1
OE
8.0 mm
2.球间距= 0.8mm，用于MX26L1620XB （顶视图，球下）
A
B
C
D
E
F
G
H
6
A13
A12
A14
A15
A16
V的I / O
Q15
GND
5
A9
A8
A10
A11
Q7
Q14
Q13
Q6
4
WE
RESET
NC
A19
Q5
Q12
VCC
Q4
7.0 mm
3
NC
加
A18
NC
Q2
Q10
Q11
Q3
2
A7
A17
A6
A5
Q0
Q8
Q9
Q1
1
A3
A4
A2
A1
A0
CE
OE
GND
8.0 mm
P / N ： PM0827
REV 。 0.4 ，一月31 ， 2002年
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MX26L1620
自动编程
该MX26L1620是使用汽车式可编程字
MATIC编程算法。自动编程
明算法使得外部系统不需要
有超时序列也不以验证数据亲
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX26L1620的温度是低于20秒。
所有的数据被锁存，在WE或CE的上升沿，
以较迟者为准发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX26L1620 electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。的字节是通过使用编程的
热电子EPROM编程机制注射
化。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似的数据轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
小于45秒。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。所有的地址锁存
WE或CE的下降沿，以较迟者为准发生。
P / N ： PM0827
REV 。 0.4 ，一月31 ， 2002年
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