MX26L12811MC
128M [ X8 / X16 ] 3V单页模式MTP存储器
特点
3.0V至3.6V工作电压
块结构
- 128× 128K字节擦除块
快速随机/页模式访问时间
- 二十五分之一百二十零纳秒读取时间（页面深度： 4个字）
32字节的写缓冲区
- 美国6 /字节有效的编程时间
高性能
- 块擦除时间： 2秒（典型值） 。
- 字节编程时间： 210us （典型值） 。
- 块编程时间： 0.8秒（典型值） 。 （使用写入
缓冲区命令）
编程/擦除周期耐力： 10次
包装
性能
低功耗
- 为页面模式的典型15毫安有功电流读
- 80uA / （最大值）待机电流
- 44引脚SOP
技术
- N位（ 0.25U ） MTP技术
概述
该MXIC的MX26L12811MC系列MTP用最
前进2位/单元N位技术，双存储
存储单元的容量。该设备提供了高
凭借可靠的性能密度MTP存储解决方案
和最具成本效益的。
组织成由8位或通过输出的16比特的设备
总线。该器件采用44引脚SOP 。这是DE-
签约重新编程和擦除系统或
标准EPROM编程器。
该器件提供快速访问时间，并允许操作
化的高速微处理器无需等待。
该器件扩充EPROM的功能与电路
电擦除和编程。该设备采用
命令寄存器来管理此功能。
该MXIC的N位技术可靠地保存存储器CON-
即使在特定的擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
通过利用该电介质的字符程序机制
之三，从ONO层陷阱或发行费。
该器件采用3.0V至3.6V的VCC电源进行
高可靠性擦除和自动编程/擦除algo-
rithms 。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0990
REV 。 1.0 ，十月29 ， 2003
1
MX26L12811MC
图1.座建筑
MTP存储器中读取擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期或从MTP存储器
符合标准的微处理器总线周期。
A22~A-1
FFFFFF
FE0000
128字节块
127
A22~A0
7FFFFF
7F0000
64 - K字块
127
.
.
.
7FFFFF
7E0000
128字节块
63
3FFFFF
3F0000
.
.
.
64 - K字块
63
3FFFFF
3E0000
128字节块
31
1FFFFF
1F0000
64 - K字块
31
.
.
.
03FFFF
020000
01FFFF
000000
128字节块
128字节块
1
0
01FFFF
010000
00FFFF
000000
.
.
.
64 - K字块
64 - K字块
1
0
字节模式（ X8 ）
字模式（ X16 ）
P / N ： PM0990
REV 。 1.0 ，十月29 ， 2003
4
128兆位
.
.
.
.
.
.
MX26L12811MC
表1.公交车运营
命令
顺序
读
ARRAY
产量
关闭
待机
读取ID
读
询问
读
状态
（ WSM关闭）
笔记
CE
OE （ 1 ）
WE （1）
地址
Q (2)
3
启用
VIL
VIH
X
数据输出
已启用已禁用
VIH
VIH
X
高Z
X
X
X
高Z
启用
VIL
VIH
SEE
图2
注4
启用
VIL
VIH
SEE
表6
注5
数据输出
Q7 =数据输出
Q15-8 =高阻
Q6-0 =高阻
注意事项：
1. OE和WE绝不能同时启用。
2. DQ指Q0 - Q7如果BYTE低， Q0 - Q15如果BYTE高。
3， X可以为VIL或VIH为控制和地址引脚。
4.见科， "Read标识符Codes"用于读取识别码数据。
5.请参阅第， "Read查询模式Command"用于读取查询数据。
6.命令将包括块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行当VCC
在特定网络连接的阳离子。
7.在写操作期间，请参阅表2第7页上有效的DIN 。
DATA IN
启用
VIL
VIH
X
启用
VIL
VIH
X
读
状态
（ WSM上）
6,7
启用
VIH
VIL
X
写
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5
MX26L12811MC
128M [ X8 / X16 ] 3V单页模式MTP存储器
特点
3.0V至3.6V工作电压
块结构
- 128× 128K字节擦除块
快速随机/页模式访问时间
- 二十五分之一百二十零纳秒读取时间（页面深度： 4个字）
32字节的写缓冲区
- 美国6 /字节有效的编程时间
高性能
- 块擦除时间： 2秒（典型值） 。
- 字节编程时间： 210us （典型值） 。
- 块编程时间： 0.8秒（典型值） 。 （使用写入
缓冲区命令）
编程/擦除周期耐力： 10次
包装
性能
低功耗
- 为页面模式的典型15毫安有功电流读
- 80uA / （最大值）待机电流
- 44引脚SOP
技术
- N位（ 0.25U ） MTP技术
概述
该MXIC的MX26L12811MC系列MTP用最
前进2位/单元N位技术，双存储
存储单元的容量。该设备提供了高
凭借可靠的性能密度MTP存储解决方案
和最具成本效益的。
组织成由8位或通过输出的16比特的设备
总线。该器件采用44引脚SOP 。这是DE-
签约重新编程和擦除系统或
标准EPROM编程器。
该器件提供快速访问时间，并允许操作
化的高速微处理器无需等待。
该器件扩充EPROM的功能与电路
电擦除和编程。该设备采用
命令寄存器来管理此功能。
该MXIC的N位技术可靠地保存存储器CON-
即使在特定的擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
通过利用该电介质的字符程序机制
之三，从ONO层陷阱或发行费。
该器件采用3.0V至3.6V的VCC电源进行
高可靠性擦除和自动编程/擦除algo-
rithms 。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0990
REV 。 1.0 ，十月29 ， 2003
1
MX26L12811MC
图1.座建筑
MTP存储器中读取擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期或从MTP存储器
符合标准的微处理器总线周期。
A22~A-1
FFFFFF
FE0000
128字节块
127
A22~A0
7FFFFF
7F0000
64 - K字块
127
.
.
.
7FFFFF
7E0000
128字节块
63
3FFFFF
3F0000
.
.
.
64 - K字块
63
3FFFFF
3E0000
128字节块
31
1FFFFF
1F0000
64 - K字块
31
.
.
.
03FFFF
020000
01FFFF
000000
128字节块
128字节块
1
0
01FFFF
010000
00FFFF
000000
.
.
.
64 - K字块
64 - K字块
1
0
字节模式（ X8 ）
字模式（ X16 ）
P / N ： PM0990
REV 。 1.0 ，十月29 ， 2003
4
128兆位
.
.
.
.
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.
MX26L12811MC
表1.公交车运营
命令
顺序
读
ARRAY
产量
关闭
待机
读取ID
读
询问
读
状态
（ WSM关闭）
笔记
CE
OE （ 1 ）
WE （1）
地址
Q (2)
3
启用
VIL
VIH
X
数据输出
已启用已禁用
VIH
VIH
X
高Z
X
X
X
高Z
启用
VIL
VIH
SEE
图2
注4
启用
VIL
VIH
SEE
表6
注5
数据输出
Q7 =数据输出
Q15-8 =高阻
Q6-0 =高阻
注意事项：
1. OE和WE绝不能同时启用。
2. DQ指Q0 - Q7如果BYTE低， Q0 - Q15如果BYTE高。
3， X可以为VIL或VIH为控制和地址引脚。
4.见科， "Read标识符Codes"用于读取识别码数据。
5.请参阅第， "Read查询模式Command"用于读取查询数据。
6.命令将包括块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行当VCC
在特定网络连接的阳离子。
7.在写操作期间，请参阅表2第7页上有效的DIN 。
DATA IN
启用
VIL
VIH
X
启用
VIL
VIH
X
读
状态
（ WSM上）
6,7
启用
VIH
VIL
X
写
P / N ： PM0990
REV 。 1.0 ，十月29 ， 2003
5
QQ：2880707522 复制
