先进的信息
R
MX26F640J3
旺宏N位
TM
存储器系列
64M [ X8 / X16 ] 3V单页模式eLiteFlash
TM
内存
特点
3.0V至3.6V工作电压
块结构
- 64× 128K字节擦除块
快速随机/页模式访问时间
- 100/25纳秒读取时间
浏览页数： 8字
128位保护寄存器
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程OTP细胞
32字节的写缓冲区
- 美国6 /字节有效的编程时间
增强的数据保护功能绝对保护
化与VPEN = GND
- 灵活的块锁定
- 块擦除/编程停摆期间电力跃迁
系统蒸发散
软件功能
支持通用闪存接口（ CFI ）
- eLiteFlash
TM
存储设备的参数存储在
设备和提供主系统的访问。
硬件特性
A0引脚
- 选择低字节地址时，设备处于字节模式。
未使用的字模式。
STS引脚
- 表示内部状态机的状态。
VPEN销
- 对于擦除/编程/块锁定启用。
VCCQ引脚
- 输出缓冲器的电源，控制设备的
输出电压。
性能
低功耗
- 为页面模式的典型15毫安有功电流读
- 80uA / （最大值）待机电流
高性能
- 块擦除时间： 2秒（典型值） 。
- 字节编程时间： 210us （典型值） 。
- 块编程时间： 0.8秒（典型值） 。 （使用写入
缓冲区命令）
编程/擦除循环耐久性： 100次
包装
- 56引脚TSOP
- 64球CSP
技术
- 0.25U N位旺宏
TM
闪存技术
P / N ： PM1114
REV 。 0.00 ，六月30 ， 2004年
1
R
MX26F640J3
概述
该MXIC的MX26F640J3系列eLiteFlash
TM
内存
使用最先进的2位/单元N位技术，双
存储容量的存储单元的。该装置提供
高密度eLiteFlash
TM
内存的存储解决方案
可靠的性能和最具成本效益的。
组织成由8位或通过输出的16比特的设备
总线。该器件采用56引脚TSOP和64
球的CSP 。它被设计成可重新编程和擦除
在系统或标准EPROM编程器。
该器件提供快速访问时间，并允许操作
化的高速微处理器无需等待。
为了消除总线争用，该设备具有单独的芯片
启用（ CE0 ， CE1 ， CE2 ）和输出使能（ OE ） CON-
trols 。该器件扩充EPROM的功能与IN-
电路中的电擦除和编程。该装置
使用命令寄存器来管理这个功能。
该MXIC的N位技术可靠地保存存储器CON-
即使在特定的擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
通过利用该电介质的字符程序机制
之三，从ONO层陷阱或发行费。
该器件采用3.0V至3.6V的VCC电源进行
高可靠性擦除和自动编程/擦除algo-
rithms 。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
引脚配置
56 TSOP （ 14毫米X 20毫米）
A22
CE1
A21
A20
A19
A18
A17
A16
VCC
A15
A14
A13
A12
CE0
VPEN
RESET
A11
A10
A9
A8
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
WE
OE
STS
Q15
Q7
Q14
Q6
GND
Q13
Q5
Q12
Q4
VCCQ
GND
Q11
Q3
Q10
Q2
VCC
Q9
Q1
Q8
Q0
A0
字节
NC
CE2
P / N ： PM1114
REV 。 0.00 ，六月30 ， 2004年
2
R
MX26F640J3
64球CSP （ 10x13x1.2mm ， 1.0毫米球间距）
1
2
3
4
5
6
7
8
A
A1
A6
A8
VPEN
A13
VCC
A18
A22
B
A2
GND
A9
CE0
A14
DU
A19
CE1
C
A3
A7
A10
A12
A15
DU
A20
A21
D
A4
A5
A11
RESET
DU
DU
A16
A17
E
Q8
Q1
Q9
Q3
Q4
DU
Q15
STS
13 mm
F
字节
Q0
Q10
Q11
Q12
DU
DU
OE
G
DU
A0
Q2
VCCQ
Q5
Q6
Q14
WE
H
CE2
DU
VCC
GND
Q13
GND
Q7
NC
10mm
注意事项：
1.不要使用（ DU ）引脚指的是不应该连接的引脚。
引脚说明
符号
A0
A1~A22
Q0~Q15
WE
OE
RESET
引脚名称
字节选择地址
地址输入
数据输入/输出
写使能输入
输出使能输入
复位/掉电模式
符号
STS
字节
VPEN
VCCQ
VCC
GND
NC
DU
引脚名称
状态引脚
字节模式启用
擦除/编程/块锁定
启用
输出缓冲器电源
器件电源
接地装置
引脚没有内部连接
不要使用
CE0 ， CE1 ， CE2芯片使能输入
P / N ： PM1114
REV 。 0.00 ，六月30 ， 2004年
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R
MX26F640J3
图1.座建筑
eLiteFlash
TM
内存读取擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期或从eLiteFlash
TM
内存符合标准的微处理器总线周期。
A [ 22-0 ] ： 64Mbit的
A [ 22-1 ] ： 64Mbit的
7FFFFF
7E0000
128字节块
63
3FFFFF
3F0000
64 - K字块
63
.
.
.
3FFFFF
3E0000
128字节块
31
1FFFFF
1F0000
.
.
.
64 - K字块
31
64兆位
REV 。 0.00 ，六月30 ， 2004年
.
.
.
03FFFF
020000
01FFFF
000000
128字节块
128字节块
1
0
01FFFF
010000
00FFFF
000000
.
.
.
64 - K字块
64 - K字块
1
0
字节模式（ X8 ）
字模式（ X16 ）
表1.芯片启动真值表
CE2
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
CE1
VIL
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
CE0
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
设备
启用
残
残
残
启用
启用
启用
残
注：对于单芯片的应用， CE2和CE1可以
绑GND 。
P / N ： PM1114
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