指数
MX26C512A
512K - BIT [ 64K ×8 ] CMOS
多时间可编程EPROM
特点
64K ×8的组织
+ 5V工作电源
+ 12.75V编程/擦除电压
电擦除，而不是紫外线擦除
快速访问时间： 70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
100的最小擦除/编程周期
套餐类型：
- 28引脚塑料DIP
Y
- 28引脚SOP
OG
L
- 32引脚PLCC
HNO
- 28引脚TSOP （ I）
TEC
概述
该MX26C512A是12.75V / 5V ， 512K位， MTP
EPROM
TM
（多时间可编程只读
存储器） 。它是作为64K字每字8位，
从+ 5伏电源供电，具有静态待机
模式和功能快单一地址位置编程
明。它被设计成可重新编程，并且通过擦除
EPROM编程器或车载。所有的编程/
擦除信号是TTL电平，需要一个单脉冲。
D
NTE
E
PAT
该MX26C512A支持智能快速脉冲
编程算法可以导致编程
的小于30秒明时间。
这MTP EPROM
TM
封装在工业标准28
脚双列直插式封装， 32引脚PLCC封装或28
引脚TSOP封装和28引脚SOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / VPP
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PLCC
VCC
A12
A15
A14
A13
NC
A7
4
1
32
30
29
CE
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
A8
A9
A11
NC
MX26C512A
.
.
.
.
.
.
.
.
y解码器
9
MX26C512A
25
OE / VPP
A10
CE
Q7
A0~A15
地址
输入
X解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
512K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
NC
Q3
Q4
21
20
Q5
Q6
VCC
GND
VPP
TSOP
OE / VPP
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A15
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
MX26C512A
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
1
指数
MX26C512A
功能说明
当MX26C512A被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全512K位的"ONE" ，或HIGH的状态。
"ZEROs"装入MX26C512通过
编程的过程。
擦除模式
该MX26C512A由EPROM编程或擦除
在系统。该设备是建立在擦除模式时，
A9 = OE / VPP = 12.75V应用，与VCC = 5V 。
（算法示于图3）。擦除时间大约是
1秒。如果擦除未验证，额外的擦除
过程将重复最多200次。
编程模式
写频算法
编程禁止模式
该MX26C512A由一个EPROM编程
程序员或船上。该装置设在
编程模式时，编程电压OE /
VPP = 12.75V应用，与VCC = 5 V （算法
在图1中示出）。编程是通过将实现
一个TTL低电平25US脉冲的CE输入后，
地址线和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加于一个最大的
20个脉冲。后的数据被验证时， 1 25US脉冲是
施加到overprogram字节，使得程序余量
是有保证的。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当编程
完成后，在所有的地址中的数据进行验证
在Vcc = 5V
±
10%.
VCC电源的MXIC板载编程
算法被设计为5V
±
10 ％，特别是
方便板上下的编程操作
应用环境。但它也可以被实现
在一个工业标准EPROM编程器。
多个MX26C512A平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX26C512的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX26C512A
CE输入， OE / VPP = 12.75
±
0.25 V会编程
这MX26C512A 。一个高层次的CE输入抑制其他
MX26C512A被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。该
核查应与OE / VPP和CE进行，
在VIL 。下降沿后的数据应加以核实TDV
的CE认证。
擦除验证模式
兼容MX27C512快速编程
算法
除了板载编程算法，快速
MX27C512的编程算法也适用于
MX26C512A 。 MXIC快速算法是现有
EPROM编程算法，并在可用的
工业标准EPROM编程器。的用户
工业标准的EPROM编程器可以选择
在他的喜好算法的基础之一。
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压OE / VPP = 12.75V isapplied ，
与VCC = 6.25V ， （算法示于图2）。该
编程由appling单一的TTL低实现
等级25 100us的脉冲到CE输入地址后
数据线是稳定的。如果数据没有被验证，附加
脉冲被施加了最大的25个脉冲。这个过程
期间，重复测序通过的每个地址
该设备。当编程模式完成后，
在所有的地址数据在VCC = 5V验证
±
10%.
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
验证要被擦除的芯片上执行
确定整个芯片（所有位）被正确擦除。
验证应与OE / VPP和CE进行
在VIL和VCC = 5V 。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从MTP代码将确定其制造商，
设备类型。此模式适用于使用由
编程设备用于自动地为目的
相匹配的设备与被编程的
相应的规划算法。此模式是
功能性在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
C
当编程MX26C512A所需。
要激活此模式下，编程设备必须
在设备的地址线A9强制12.75V 。两
identi音响器的字节然后，可以从该设备测序
通过切换地址线A0从VIL至VIH输出。所有
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
2
指数
MX26C512A
其他地址线必须在VIL自动识别期间将举行
模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX26C512A ，这两个标识符字节中给出
模式选择表。所有的标识符的制造商
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
存储器设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，
瞬态电流峰值上产生的上升和
芯片的下降沿启动。这些大小
瞬态电流的峰值取决于输出
电容负载的设备的。至少，一个0.1
微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，应使用一个4.7微法大容量的电解电容
与VCC和GND为每八个设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
读取模式
该MX26C512A具有两个控制功能，两者的
它必须以获得数据被逻辑纳
在输出端。芯片使能（ CE ）是功率控制
并应被用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
待机模式
该MX26C512A具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。它被放置
在CMOS待机状态时， CE是在VCC
±
0.3五，
MX26C512A还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。它被放置
在TTL待机时， CE是VIH 。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立的OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
3
指数
MX26C512A
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
抹去
擦除验证
禁止程序
制造商代码
设备代码（ 26C512 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
OE / VPP
VIL
VIH
X
X
VPP
VIL
VPP
VIL
X
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
VPP
X
X
VH
VH
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
DOUT
高Z
C2H
D1H
注意事项：
1. VH = 12.0V
±
0.5V
2. X =要么VIH和VIL （对于自动选择）
3. A1 - A8 = A10 - A15 = VIL （对于自动选择）
4.在查看DC编程特性的电压VPP
编程。
图1.编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 5V
VPP = 12.75V
X=0
方案一25US PULSE
互动
部分
增量X
是的
X = 20 ?
NO
失败
验证字节
?
方案一25US PULSE
通
NO
增量地址
最后一个地址
失败
是的
方案一25US PULSE
VCC = 5V
VERIFY节
VPP = VIL
确认所有BYTES
?
通
设备传递
失败
设备失败
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
4
指数
MX26C512A
512K - BIT [ 64K ×8 ] CMOS
多时间可编程EPROM
特点
64K ×8的组织
+ 5V工作电源
+ 12.75V编程/擦除电压
电擦除，而不是紫外线擦除
快速访问时间： 70/90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
100的最小擦除/编程周期
套餐类型：
- 28引脚塑料DIP
Y
- 28引脚SOP
OG
L
- 32引脚PLCC
HNO
- 28引脚TSOP （ I）
TEC
概述
该MX26C512A是12.75V / 5V ， 512K位， MTP
EPROM
TM
（多时间可编程只读
存储器） 。它是作为64K字每字8位，
从+ 5伏电源供电，具有静态待机
模式和功能快单一地址位置编程
明。它被设计成可重新编程，并且通过擦除
EPROM编程器或车载。所有的编程/
擦除信号是TTL电平，需要一个单脉冲。
D
NTE
E
PAT
该MX26C512A支持智能快速脉冲
编程算法可以导致编程
的小于30秒明时间。
这MTP EPROM
TM
封装在工业标准28
脚双列直插式封装， 32引脚PLCC封装或28
引脚TSOP封装和28引脚SOP封装。
销刀豆网络gurations
PDIP / SOP
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / VPP
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PLCC
VCC
A12
A15
A14
A13
NC
A7
4
1
32
30
29
CE
OE
控制
逻辑
产量
缓冲器
Q0~Q7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
5
A8
A9
A11
NC
MX26C512A
.
.
.
.
.
.
.
.
y解码器
9
MX26C512A
25
OE / VPP
A10
CE
Q7
A0~A15
地址
输入
X解码器
.
.
.
.
.
.
.
.
Y选择
512K位
CELL
MAXTRIX
13
14
Q1
Q2
GND
17
NC
Q3
Q4
21
20
Q5
Q6
VCC
GND
VPP
TSOP
OE / VPP
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
引脚说明
符号
A0~A15
Q0~Q7
CE
OE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
MX26C512A
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
1
指数
MX26C512A
功能说明
当MX26C512A被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有全512K位的"ONE" ，或HIGH的状态。
"ZEROs"装入MX26C512通过
编程的过程。
擦除模式
该MX26C512A由EPROM编程或擦除
在系统。该设备是建立在擦除模式时，
A9 = OE / VPP = 12.75V应用，与VCC = 5V 。
（算法示于图3）。擦除时间大约是
1秒。如果擦除未验证，额外的擦除
过程将重复最多200次。
编程模式
写频算法
编程禁止模式
该MX26C512A由一个EPROM编程
程序员或船上。该装置设在
编程模式时，编程电压OE /
VPP = 12.75V应用，与VCC = 5 V （算法
在图1中示出）。编程是通过将实现
一个TTL低电平25US脉冲的CE输入后，
地址线和数据线是稳定的。如果该数据是不
已验证，附加脉冲被施加于一个最大的
20个脉冲。后的数据被验证时， 1 25US脉冲是
施加到overprogram字节，使得程序余量
是有保证的。这个过程被重复，而测序
通过该装置的每一个地址。当编程
完成后，在所有的地址中的数据进行验证
在Vcc = 5V
±
10%.
VCC电源的MXIC板载编程
算法被设计为5V
±
10 ％，特别是
方便板上下的编程操作
应用环境。但它也可以被实现
在一个工业标准EPROM编程器。
多个MX26C512A平行的编程
不同的数据也很容易通过使用实现
禁止编程模式。除了CE和OE ，都喜欢
平行MX26C512的输入可以是共同的。一
TTL低电平编程脉冲施加到一个MX26C512A
CE输入， OE / VPP = 12.75
±
0.25 V会编程
这MX26C512A 。一个高层次的CE输入抑制其他
MX26C512A被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。该
核查应与OE / VPP和CE进行，
在VIL 。下降沿后的数据应加以核实TDV
的CE认证。
擦除验证模式
兼容MX27C512快速编程
算法
除了板载编程算法，快速
MX27C512的编程算法也适用于
MX26C512A 。 MXIC快速算法是现有
EPROM编程算法，并在可用的
工业标准EPROM编程器。的用户
工业标准的EPROM编程器可以选择
在他的喜好算法的基础之一。
该设备是建立在快速的编程模式时，
编程电压OE / VPP = 12.75V isapplied ，
与VCC = 6.25V ， （算法示于图2）。该
编程由appling单一的TTL低实现
等级25 100us的脉冲到CE输入地址后
数据线是稳定的。如果数据没有被验证，附加
脉冲被施加了最大的25个脉冲。这个过程
期间，重复测序通过的每个地址
该设备。当编程模式完成后，
在所有的地址数据在VCC = 5V验证
±
10%.
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
验证要被擦除的芯片上执行
确定整个芯片（所有位）被正确擦除。
验证应与OE / VPP和CE进行
在VIL和VCC = 5V 。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从MTP代码将确定其制造商，
设备类型。此模式适用于使用由
编程设备用于自动地为目的
相匹配的设备与被编程的
相应的规划算法。此模式是
功能性在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
C
当编程MX26C512A所需。
要激活此模式下，编程设备必须
在设备的地址线A9强制12.75V 。两
identi音响器的字节然后，可以从该设备测序
通过切换地址线A0从VIL至VIH输出。所有
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
2
指数
MX26C512A
其他地址线必须在VIL自动识别期间将举行
模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX26C512A ，这两个标识符字节中给出
模式选择表。所有的标识符的制造商
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
存储器设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，
瞬态电流峰值上产生的上升和
芯片的下降沿启动。这些大小
瞬态电流的峰值取决于输出
电容负载的设备的。至少，一个0.1
微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，应使用一个4.7微法大容量的电解电容
与VCC和GND为每八个设备。
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
读取模式
该MX26C512A具有两个控制功能，两者的
它必须以获得数据被逻辑纳
在输出端。芯片使能（ CE ）是功率控制
并应被用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
待机模式
该MX26C512A具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。它被放置
在CMOS待机状态时， CE是在VCC
±
0.3五，
MX26C512A还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。它被放置
在TTL待机时， CE是VIH 。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立的OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，一两
行控制功能提供了允许：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
因此建议的CE进行解码，并用作
主要设备选择功能，而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接，并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
3
指数
MX26C512A
模式选择表
引脚
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
抹去
擦除验证
禁止程序
制造商代码
设备代码（ 26C512 ）
CE
VIL
VIL
VIH
VCC
VIL
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
OE / VPP
VIL
VIH
X
X
VPP
VIL
VPP
VIL
X
VIL
VIL
A0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
VIL
VIH
A9
X
X
X
X
X
X
VPP
X
X
VH
VH
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
DOUT
高Z
C2H
D1H
注意事项：
1. VH = 12.0V
±
0.5V
2. X =要么VIH和VIL （对于自动选择）
3. A1 - A8 = A10 - A15 = VIL （对于自动选择）
4.在查看DC编程特性的电压VPP
编程。
图1.编程流程图
开始
ADDRESS =第一个位置
VCC = 5V
VPP = 12.75V
X=0
方案一25US PULSE
互动
部分
增量X
是的
X = 20 ?
NO
失败
验证字节
?
方案一25US PULSE
通
NO
增量地址
最后一个地址
失败
是的
方案一25US PULSE
VCC = 5V
VERIFY节
VPP = VIL
确认所有BYTES
?
通
设备传递
失败
设备失败
P / N ： PM0455
专利号： US ＃ 5523307
REV.1.8 ，七月13 ， 1998年
4
QQ：2880707522 复制
