MX25L8005
8M - BIT [ ×1 ] CMOS串行闪存
特点
一般
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和模式3
8,388,608 ×1位结构
256平等部门,每个4K字节
- 任何部门可以单独擦除
16个相同的块,每个64K字节
- 任何块都可以单独擦除
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低Vcc的禁止写入是从1.5V到2.5V
性能
高性能
- 快速存取时间: 86MHz串行时钟( 15pF的+ 1TTL负荷)和66MHz的串行时钟( 30pF的+ 1TTL负荷)
- 快速编程时间(最大) 1.4ms之内(典型值)和5毫秒/页(每页256字节)
- 快速擦除时间: 60毫秒(典型值)和120毫秒(最大值) /扇区(每扇区4K字节) ; 1秒(典型值)和2秒(最大) /块(每64K字节
块)
低功耗
- 低有效的读电流: 12毫安(最大值) ,在86MHz , 8毫安(最大值)为66MHz和4毫安频率为33MHz (最大)
- 低电平有效的编程电流: 15毫安(最大)
- 低电平有效擦除电流: 15毫安(最大)
- 低待机电流: 10微安(最大)
- 深度掉电模式下为1uA (典型值)
最少10万次擦除/编程
- 数据保存10年
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
块锁保护
- 该BP0 BP2状态位定义的区域的要软件免受编程和擦除指令的大小。
自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除,并在选定的行业数据验证
-
自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据,可自动倍
程序的脉冲宽度(在任何页面来进行编程,应先有在擦除状态页)
状态寄存器功能
电子标识
-
JEDEC的1字节的制造商ID和2字节的设备ID
- RES指令, 1个字节的设备ID
- REMS为1字节的制造商ID和1字节的装置ID的命令
硬件特性
SCLK输入
-
串行时钟输入
SI输入
-
串行数据输入
SO输出
-
串行数据输出
P / N : PM1237
REV 。 2.2 ,十月23 , 2008
1
MX25L8005
WP #引脚
-
硬件写保护
HOLD #引脚
-
暂停芯片而不diselecting芯片
包
-
8引脚SOP ( 150mil )
-
8引脚SOP ( 200mil )
- 采用8引脚PDIP ( 300MIL )
- 8 - 土地的儿子/ WSON ( 6x5mm ) , 8 - SON土地不推荐用于新设计
- 8 - 土地USON (采用4x4mm )
-
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX25L8005是CMOS 8388608位串行闪存,其被配置为1048576 ×8内部。该
MX25L8005设有一个串行外设接口和软件协议,允许操作一个简单的3线总线。三
总线信号的时钟输入(SCLK ),串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO) 。 SPI的对设备的访问是
通过CS #输入功能。
该MX25L8005提供连续读操作的整个芯片。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除的程序/擦除和验证指定的算法
页面或字节/扇区/块的位置将被执行。编程命令页面( 256字节)的基础上,并擦除上执行
命令执行芯片或扇区( 4K字节)或块( 64K字节) 。
以提供用户容易接口,一个状态寄存器被包括以指示所述芯片的状态。状态读取
命令可以发出来检测程序的完成状态,或通过WIP位擦除操作。
当设备不运转和CS #为高电平时,它被置于待机模式下消耗小于10微安的直流电流。
该MX25L8005利用旺宏的专有存储单元,即使在100000程序能够可靠地保存存储器的内容
和擦除周期。
销刀豆网络gurations
8引脚SOP ( 150 / 200mil )
VCC
HOLD #
SCLK
SI
引脚说明
8引脚PDIP ( 300MIL )
符号
CS #
SI
SO
SCLK
HOLD #
WP #
VCC
GND
描述
芯片选择
串行数据输入
串行数据输出
时钟输入
持有,暂停该设备无
取消选择器件
写保护
+ 3.3V电源
地
CS #
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD #
SCLK
SI
8
7
6
5
SO
WP #
GND
* 8 -LAND SON / WSON ( 6x5mm ) , USON (采用4x4mm )
CS #
SO
WP #
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD #
SCLK
SI
注: 8 - SON土地不推荐用于新设计
P / N : PM1237
CS #
SO
WP #
GND
1
2
3
4
2
REV 。 2.2 ,十月23 , 2008
MX25L8005
数据保护
该MX25L8005的目的是提供保护,防止意外删除或编程引起的杂散系统
电平信号,可能电源转换过程中存在。上电时,设备会自动复位状态机
在读取模式。另外,其控制寄存器结构,变更的存储内容仅发生后
圆满完成了特定的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
无意的写周期从VCC上电和掉电或系统产生的噪音。
上电复位和tPUW :避免因系统电源突然过渡电源开关,上电复位和
tPUW (内部定时器),可保护闪存。
有效的命令长度检查:该命令长度将被检查是否是在字节基础,完成字节
边界。
写使能( WREN )指令: WREN命令需要设置写使能先于其他锁存器位( WEL )
命令来更改数据。 WEL位将返回下面的情况下重置阶段:
- 上电
- 写禁止( WRDI )命令完成
- 写状态寄存器( WRSR )命令完成
- 页编程( PP )指令完成
- 扇区擦除( SE )命令完成
- 块擦除( BE )命令完成
- 芯片擦除( CE )命令完成
软件保护模式( SPM ) :通过使用BP0 - BP2位设置对Flash的数据更改受保护的部分。
硬件保护模式( HPM ) :通过WP #变低,保障BP0 - BP2位,从数据的变化SRWD位。
深度掉电模式:通过进入深度掉电模式下,闪存设备也受到保护,从写作
除了释放从深度掉电模式指令( RDP)和阅读电子签名指令中的所有命令
( RES ) 。
P / N : PM1237
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REV 。 2.2 ,十月23 , 2008