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MX25L4006E
MX25L4006E
数据表
P / N : PM1576
1
REV 。 1.3 ,二月10 , 2012
MX25L4006E
目录
特点.................................................................................................................................................................. 4
概述.........................................................................................................................................五
引脚配置..............................................................................................................................................五
引脚说明......................................................................................................................................................五
BLOCK DIAGRAM....................................................................................................................................................... 6
存储器组织......................................................................................................................................... 7
表1.存储器组织............................................................................................................................. 7
器件工作.................................................................................................................................................. 8
图1.串行外设接口模式支持.......................................... ............................................. 8
数据PROTECTION.................................................................................................................................................... 9
表2.保护区尺寸.............................................................................................................................. 9
HOLD FEATURE........................................................................................................................................................ 10
图2.保持状态下运行................................................................................................................... 10
表3.命令定义..................................................................................................................... 11
命令说明....................................................................................................................................... 12
( 1 )写使能( WREN ) ................................................................................................................................... 12
( 2 )写禁止( WRDI ) .................................................................................................................................... 12
( 3 )读状态寄存器( RDSR ) ...................................................................................................................... 13
( 4)写状态寄存器( WRSR ) ...................................................................................................................... 14
表4.保护模式.................................................................................................................................. 14
( 5 )读数据字节(READ ) ............................................................................................................................. 15
( 6 )以更高的速度读取数据字节( FAST_READ ) ..................................... ................................................. 15
( 7 )双输出模式( DREAD ) ......................................................................................................................... 15
( 8 )扇区擦除( SE ) ......................................................................................................................................... 15
( 9 )块擦除(BE)........................................................................................................................................... 16
( 10 )芯片擦除( CE ) .......................................................................................................................................... 16
( 11 )页编程( PP) ..................................................................................................................................... 16
( 12 )深度掉电( DP ) .............................................................................................................................. 17
( 13 )从深度掉电( RDP )发布,阅读电子签名( RES ) ............................... .............. 17
( 14 )读取识别( RDID )
.......................................................................................................................... 18
( 15 )阅读电子制造商ID &设备ID ( REMS ) ..................................... ......................................... 18
表5.标识说明
........................................................................................................................................ 18
( 16 )读小农发展方案模式(RDSFDP)..................................................................................................................... 19
阅读串行闪存可发现参数( RDSFDP )序列......................................... ........................... 19
表一。签名和参数辨识数据值
........................................................................... 20
表B 。参数表( 0 ) : JEDEC闪存参数表........................................ ................................. 21
表C 。参数表( 1 ) :旺宏电子闪存参数表........................................ ............................... 23
开机状态................................................................................................................................................... 25
电气特性.............................................................................................................................. 26
绝对最大额定值..................................................................................................................... 26
P / N : PM1576
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REV 。 1.3 ,二月10 , 2012
MX25L4006E
图3.最大负过冲波形........................................... ............................................... 26
电容TA = 25 ° C,F = 1.0 MHz............................................................................................................. 26
图4.最大正过冲波形........................................... ................................................. 26
图5.输入测试波形和测量水平......................................... ..................... 27
图6.输出负载........................................................................................................................... 27
表6.直流特性(温度= -40 ° C至85°C , VCC = 2.7V 3.6V ) ......................... ........ 28
表7. AC特性(温度= -40 ° C至85°C , VCC = 2.7V 3.6V ) ......................... ........ 29
表8.上电时序..................................................................................................................................三十
时序分析........................................................................................................................................................ 31
图7.串行输入时序.............................................................................................................................. 31
图8.输出时序...................................................................................................................................... 31
图9.保持时序......................................................................................................................................... 32
图10. WP #禁用设置和WRSR时SRWD = 1时保持定时.................................. ............. 32
图11.写使能( WREN )序列(命令06 ) ..................................... ........................................ 33
图12.写禁止( WRDI )序列(命令04 ) ..................................... ......................................... 33
图13.读状态寄存器( RDSR )序列(命令05 ) .................................... ............................ 33
图14.写状态寄存器( WRSR )序列(命令01 ) .................................... ........................... 34
图15.读数据字节( READ )序列(命令03 ) .................................... .................................. 34
图16.阅读以更高的速度( FAST_READ )序列(命令0B ) ................................... ................ 35
图17.双输出模式读取顺序(命令3B ) ...................................... ................................... 35
图18.扇区擦除( SE )序列(命令20 ) ..................................... ............................................. 36
图19.块擦除( BE )序列(命令52或D8 ) ................................... ....................................... 36
图20.芯片擦除( CE )顺序(命令60或C7 ) ................................... ........................................ 36
图21.页编程( PP)序列(命令02 ) ..................................... ........................................... 37
图22.深度掉电( DP )序列(命令B9 ) ................................... ...................................... 37
图23.阅读电子签名( RES )序列(命令AB ) .................................... ...................... 38
图从深度掉电( RDP )序列24发布(命令AB ) ................................. .............. 38
图25.读取识别( RDID )序列(命令9F )
...................................................................... 39
图26.阅读电子制造商&设备ID ( REMS )序列(命令90 ) .............................. 39
图27.上电时序............................................................................................................................... 40
工作条件....................................................................................................................................... 41
图28. AC时序在器件上电......................................................................................................... 41
图29.断电顺序.................................................................................................................... 42
擦除和编程性能.............................................. .................................................. .... 43
数据保留................................................................................................................................................... 43
闭锁特性.............................................................................................................................. 43
订购信息...................................................................................................................................... 44
部件名称说明..................................................................................................................................... 45
封装信息........................................................................................................................................ 46
修订历史................................................................................................................................................. 51
P / N : PM1576
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REV 。 1.3 ,二月10 , 2012
MX25L4006E
4M位[X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
特点
一般
串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
4,194,304 ×1位结构或2097152 ×2位(双输出模式)结构
128平等部门,每个4K字节
- 任何部门可以单独擦除
8个相等的块,每个64K字节
- 任何块都可以单独擦除
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
性能
高性能
- 快速存取时间: 86MHz串行时钟
- 系列的双输出模式的时钟: 80MHz的
- 快速编程时间(最大) 1.4ms之内(典型值)和5毫秒/页(每页256字节)
- 字节编程时间: 9US
- 快速擦除时间: 60毫秒(典型值) /扇区(每扇区4K字节) ; 0.7秒(典型值) /块(每块64K字节)
低功耗
- 低有效的读电流: 12毫安(最大值) ,在86MHz和4毫安频率为33MHz (最大)
- 低电平有效的编程电流: 20毫安(最大)
- 低电平有效擦除电流: 20毫安(最大)
- 低待机电流: 25uA (最大)
- 深度掉电模式5UA (典型值)。
最少10万次擦除/编程
20年的数据保存
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
块锁保护
- 该BP0 BP2状态位定义的区域的大小被软件免受编程和擦除IN-
structions
自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除,并在选定的行业数据验证
-
自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据,可自动倍
程序的脉冲宽度(在任何页面来进行编程,应先有在擦除状态页)
状态寄存器功能
电子标识
-
JEDEC的2字节的设备ID
- RES指令, 1个字节的设备ID
支持串行闪存可发现参数(小农发展方案)模式
硬件特性
-
8引脚SOP ( 150mil )
-
8引脚SOP ( 200mil )
-
8引脚PDIP ( 300MIL )
- 8 - 土地WSON ( 6x5mm , 0.8毫米封装高度)
- 8 - 土地USON ( 2x3x0.6mm )
-
所有器件均符合RoHS
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REV 。 1.3 ,二月10 , 2012
MX25L4006E
概述
该器件具有一个简单的3线总线串行外设接口和软件协议,允许操作。
四个总线信号的时钟输入(SCLK ),串行数据输入(SI ),串行数据输出(SO) ,和一个芯片选择(CS #)。
串行访问设备是由CS #输入功能。
当它处于双输出读取模式下, SI和SO引脚变为SIO0和SIO1引脚用于数据输出。
该器件提供了全片的顺序读操作。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,编程/擦除和验证试样
田间页或扇区/块的位置将被执行。程序指令的字节为基础,或网页的基础上,或执行
擦除命令字基础上的扇区,或块或整个芯片基础上执行时。
以提供用户容易接口,一个状态寄存器被包括以指示所述芯片的状态。状态读取
命令可以发出来检测程序的完成状态,或通过WIP位擦除操作。
当设备不运转和CS #为高电平时,它被置于待机模式。
该器件采用旺宏的专有存储单元,甚至10万后,能可靠地保存存储器的内容
编程和擦除周期。
销刀豆网络gurations
8引脚SOP ( 150 / 200mil )
CS #
SO/SIO1
WP #
GND
1
2
3
4
VCC
HOLD #
SCLK
SI/SIO0
引脚说明
8引脚PDIP ( 300MIL )
CS #
SO/SIO1
WP #
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD #
SCLK
SI/SIO0
8
7
6
5
8 -LAND , WSON ( 6x5mm )
CS #
SO/SIO1
WP #
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD #
SCLK
SI/SIO0
8 -LAND USON ( 2x3mm )
CS #
SO/SIO1
WP #
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD #
SCLK
SI/SIO0
符号说明
CS #
芯片选择
串行数据输入(对于1个I / O) /串行数据
SI/SIO0
输入&输出(用于双输出模式)
串行数据输出(对于1个I / O) /串行
SO/SIO1
数据输出(用于双输出模式)
SCLK
时钟输入
WP #写保护
持有,暂停该设备无
HOLD #
取消选择器件
VCC
+ 3.3V电源
GND接地
P / N : PM1576
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REV 。 1.3 ,二月10 , 2012
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