MX25L3206E

MX25L3206E数据表

P / N ： PM1568

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REV 。 1.4 ，二月23 ， 2012

MX25L3206E

目录

特点..................................................................................................................................................................五

概述......................................................................................................................................... 6

引脚配置............................................................................................................................................. 7

引脚说明...................................................................................................................................................... 8

BLOCK DIAGRAM....................................................................................................................................................... 9

存储器组织....................................................................................................................................... 10

表1.存储器组织.......................................................................................................................... 10

器件工作................................................................................................................................................ 11

图1 。

串行模式支持........................................................................................................11

数据PROTECTION.................................................................................................................................................. 12

表2.保护区尺寸............................................................................................................................ 13

表3. 512位OTP担保的定义

......................................................................................................... 13

HOLD特点..................................................................................................................................................... 14

图2.保持状态下运行

........................................................................................................ 14

命令说明....................................................................................................................................... 15

表4.命令定义..................................................................................................................... 15

（ 1 ）写使能（ WREN ） ................................................................................................................................... 16

（ 2 ）写禁止（ WRDI ） .................................................................................................................................... 16

（ 3 ）读状态寄存器（ RDSR ） ...................................................................................................................... 16

（ 4）写状态寄存器（ WRSR ） ...................................................................................................................... 17

表5.保护模式.................................................................................................................................. 18

（ 5 ）读数据字节（READ ） ............................................................................................................................. 19

（ 6 ）以更高的速度读取数据字节（ FAST_READ ） ..................................... ................................................. 19

（ 7 ）双输出模式（ DREAD ） ......................................................................................................................... 19

（ 8 ）扇区擦除（ SE ） ......................................................................................................................................... 19

（ 9 ）块擦除(BE)........................................................................................................................................... 20

（ 10 ）芯片擦除（ CE ） .......................................................................................................................................... 20

（ 11 ）页编程（ PP） ..................................................................................................................................... 20

（ 12 ）深度掉电（ DP ） .............................................................................................................................. 21

（ 13 ）从深度掉电（ RDP ）发布，阅读电子签名（ RES ） ............................... .............. 21

（ 14 ）读取识别（ RDID ）

.......................................................................................................................... 22

（ 15 ）阅读电子制造商ID &设备ID （ REMS ） ..................................... ......................................... 22

表6.标识释义................................................................................................................................. 22

（ 16 ）进入担保OTP （ ENSO ） ....................................................................................................................... 22

（ 17 ）退出担保OTP （ ExSO产品） .......................................................................................................................... 22

（ 18 ）读取安全注册（ RDSCUR ） ............................................................................................................ 23

表7.安全寄存器定义............................................ .................................................. ..... 23

（ 19 ）写安全注册（ WRSCUR ） ............................................................................................................ 23

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（ 20 ）读小农发展方案模式(RDSFDP)..................................................................................................................... 24

阅读串行闪存可发现参数（ RDSFDP ）序列......................................... ........................... 24

表一。签名和参数辨识数据值

........................................................................... 25

表B 。参数表（ 0 ） ： JEDEC闪存参数表........................................ ................................. 26

表C 。参数表（ 1 ） ：旺宏电子闪存参数表........................................ ............................... 28

开机状态...................................................................................................................................................三十

电气特性.............................................................................................................................. 31

绝对最大额定值..................................................................................................................... 31

图3.最大负过冲波形........................................... ............................................... 31

电容TA = 25 ° C，F = 1.0 MHz............................................................................................................. 31

图4.最大正过冲波形........................................... ................................................. 31

图5.输入测试波形和测量水平......................................... ..................... 32

图6.输出负载........................................................................................................................... 32

表8. DC CHARACTERISTICS...................................................................................................................... 33

表9. AC特性...................................................................................................................... 34

时序分析........................................................................................................................................................ 35

图7.串行输入时序.............................................................................................................................. 35

图8.输出时序...................................................................................................................................... 35

图9.保持时序......................................................................................................................................... 36

图10. WP ＃禁用设置和WRSR时SRWD = 1时保持定时.................................. ............. 36

图11.写使能（ WREN ）序列（命令06 ） ..................................... ........................................ 37

图12.写禁止（ WRDI ）序列（命令04 ） ..................................... ......................................... 37

图13.读状态寄存器（ RDSR ）序列（命令05 ） .................................... ............................ 38

图14.写状态寄存器（ WRSR ）序列（命令01 ） .................................... ........................... 38

图15.读数据字节（ READ ）序列（命令03 ） .................................... .................................. 38

图16.阅读以更高的速度（ FAST_READ ）序列（命令0B ） ................................... ................ 39

图17.双输出模式读取顺序（命令3B ） ...................................... ................................... 40

图18.扇区擦除（ SE ）序列（命令20 ） ..................................... ............................................. 40

图19.块擦除（ BE ）序列（命令52或D8 ） ................................... ....................................... 40

图20.芯片擦除（ CE ）顺序（命令60或C7 ） ................................... ........................................ 41

图21.页编程（ PP）序列（命令02 ） ..................................... ........................................... 41

图22.深度掉电（ DP ）序列（命令B9 ） ................................... ...................................... 42

图从深度掉电（ RDP ）序列23版本（命令AB ） ................................. .............. 42

图24.阅读电子签名（ RES ）序列（命令AB ） .................................... ...................... 42

图25.读取识别（ RDID ）序列（命令9F ）

...................................................................... 43

图26.阅读电子制造商&设备ID （ REMS ）序列（命令90 ） .............................. 43

图27.读取安全注册（ RDSCUR ）序列（命令2B ） .................................... .................... 44

图28.写安全注册（ WRSCUR ）序列（命令2F ） .................................... ................... 44

图29.编程/擦除流程与读阵列数据

......................................................................................... 45

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图30.上电时序............................................................................................................................... 46

表10.上电时序............................................................................................................................... 46

工作条件....................................................................................................................................... 47

图31. AC时序在器件上电......................................................................................................... 47

图32.断电顺序.................................................................................................................... 48

擦除和编程性能.............................................. .................................................. .... 49

数据保留.................................................................................................................................................... 49

闭锁特性.............................................................................................................................. 49

订购信息...................................................................................................................................... 50

部件名称说明..................................................................................................................................... 51

封装信息........................................................................................................................................ 52

修订历史................................................................................................................................................. 58

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32M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存

特点

一般

单电源工作

- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作

串行外设接口兼容 - 模式0和模式3

33554432 ×1位结构或16777216 ×2位（双输出模式）结构

1024行业平等，每个4K字节

- 任何部门可以单独擦除

64相同的块，每个64K字节

- 任何块都可以单独擦除

计划能力

- 字节基地

- 页面基（256个字节）

闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V

性能

高性能

- 快速存取时间： 86MHz串行时钟

- 系列的双输出模式的时钟： 80MHz的

- 快速编程时间： 1.4ms之内（典型值）和5毫秒（最大值） /页

- 字节编程时间： 9US （典型值）

- 快速擦除时间： 60毫秒（典型值） /扇区; 0.7秒（典型值） /块

低功耗

- 低有效的读电流： 25毫安（最大值） ，在86MHz

- 低电平有效的编程电流： 20毫安（最大）

- 低电平有效擦除电流： 20毫安（最大）

- 待机电流： 40uA的（最大）

- 深度掉电模式5UA （典型值）

典型10万次擦除/编程

20年的数据保留

软件特点

·输入数据格式

- 1字节命令代码

高级安全功能

- 块锁保护

该BP3 BP0状态位定义的区域的大小为软件保护程序和擦除指令

系统蒸发散

- 其他512位OTP保护的唯一标识符

自动擦除和自动编程算法

-

自动擦除，并在选定的行业数据验证

-

自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍

程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）

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