MX25L1635D

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数据表

P / N ： PM1374

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REV 。 1.5 ，十月01，2008

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目录

特点.................................................................................................................................................................五

概述........................................................................................................................................ 7

表1.附加功能比较............................................................................................................. 7

引脚配置............................................................................................................................................. 8

引脚说明.................................................................................................................................................... 8

框图...................................................................................................................................................... 9

数据保护.................................................................................................................................................. 10

表2.保护区尺寸.......................................................................................................................... 11

表3. 512位抵押OTP定义........................................................................................................... 11

存储器组织.............................................................................................................................................. 12

表4.存储器结构（ 16兆） .............................................................................................................. 12

器件工作................................................................................................................................................ 13

图1.串行模式支持..................................................................................................................... 13

命令说明....................................................................................................................................... 14

表5.命令集..................................................................................................................................... 14

（ 1 ）写使能（ WREN ） .................................................................................................................................. 15

（ 2 ）写禁止（ WRDI ） .................................................................................................................................. 15

（ 3 ）读识别（ RDID ） ........................................................................................................................... 15

（ 4 ）读状态寄存器（ RDSR ） ..................................................................................................................... 16

（ 5 ）写状态寄存器（ WRSR ） .................................................................................................................... 17

表6.保护模式................................................................................................................................. 17

（ 6 ）读数据字节（READ ） ............................................................................................................................ 18

（ 7 ）以更高的速度读取数据字节（ FAST_READ ） ..................................... ................................................. 18

（ 8 ） 2× I / O读取模式（ 2READ ） ....................................................................................................................... 18

（ 9 ） 4个I / O读取模式（ 4READ ） ....................................................................................................................... 19

（ 10 ）扇区擦除（ SE ） ..................................................................................................................................... 19

（ 11 ）块擦除（ BE ） ...................................................................................................................................... 19

（ 12 ）芯片擦除（ CE ） ........................................................................................................................................ 20

（ 13 ）页编程（ PP） ................................................................................................................................... 20

（ 14 ） 4个I / O页编程（ 4PP ） ...................................................................................................................... 21

（ 15 ）连续编程模式（ CP模式） ..................................................................................................... 21

（ 16 ）深度掉电（ DP ） ............................................................................................................................. 21

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（ 17 ）从深度掉电（ RDP ）发布，阅读电子签名（ RES ） ............................... .................. 22

（ 18 ）阅读电子制造商ID &设备ID （ REMS ） ， （ REMS2 ） ， （ REMS4 ） ............................. ................ 22

表7.标识说明....................................................................................................................................... 23

（ 19 ）进入担保OTP （ ENSO ） ...................................................................................................................... 23

（ 20 ）退出担保OTP （ ExSO产品） ........................................................................................................................ 23

（ 21 ）读取安全注册（ RDSCUR ） ........................................................................................................... 23

（ 22 ）写安全注册（ WRSCUR ） ........................................................................................................... 24

表8.安全寄存器定义................................................................................................................. 24

开机状态................................................................................................................................................... 25

电气特性.............................................................................................................................. 26

图2.最大负过冲波形........................................... ................................................. 26

绝对最大额定值................................................................................................................... 26

电容TA = 25 ° C，F = 1.0 MHz的........................................................................................................... 26

图3.最大正向过冲波形........................................... ................................................. 26

图5.输出负载.......................................................................................................................... 27

图4.输入测试波形和测量水平......................................... .................... 27

表9.直流特性（温度= -40 ° C至85°C工业级， VCC = 2.7V 3.6V ） ........ 28

表10. AC特性（温度= -40 ° C至85°C工业级， VCC = 2.7V 3.6V ）。... 29

图6.串行输入时序.............................................................................................................................三十

图7.输出时序....................................................................................................................................三十

时序分析.......................................................................................................................................................三十

图8. WP ＃设置定时和WRSR时SRWD = 1时保持定时.................................. ................... 31

图9.写使能（ WREN ）序列（命令06 ） ..................................... ........................................... 31

图10.写禁止（ WRDI ）序列（命令04 ） ..................................... .......................................... 31

图11.读取识别（ RDID ）序列（命令9F ） ..................................... .................................. 32

图12.读状态寄存器（ RDSR ）序列（命令05 ） .................................... ............................. 32

图13.写状态寄存器（ WRSR ）序列（命令01 ） .................................... ............................ 32

图14.读数据字节（ READ ）序列（命令03 ） .................................... ................................... 33

图15.阅读以更高的速度（ FAST_READ ）序列（命令0B ） ................................... ................. 33

图16. 2个I / O读取模式序列（命令BB ） ................................... .............................................. 34

图17. 4个I / O读取模式序列（命令EB ） ................................... .............................................. 34

图18. 4个I / O读取性能提升序列模式（命令EB ） ................................. .............. 35

图19.页编程（ PP）序列（命令02 ） ..................................... ............................................ 36

图20. 4个I / O页编程（ 4PP ）序列（命令38 ） ................................ ................................... 36

图21. Continously计划（ CP）与硬件检测（命令AD）模式序列....................... 37

图22.扇区擦除（ SE ）序列（命令20 ） ..................................... ............................................. 37

图23.块擦除（ BE ）序列（命令D8 ） ..................................... .............................................. 37

图24.芯片擦除（ CE ）顺序（命令60或C7 ） ................................... ......................................... 38

图25.深度掉电（ DP ）序列（命令B9 ） ................................... ....................................... 38

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从深度掉电和阅读电子签名（ RES ）序列（命令AB ）图26.发布.. 38

图从深度掉电（ RDP ）序列27发布（命令AB ） ................................. ................. 39

图28.阅读电子制造商&设备ID （ REMS ）序列（命令90或EF或DF ） ............. 39

图29.上电时序.............................................................................................................................. 40

表11.上电时序和VWI阈值........................................ .................................................. ....... 40

初始出厂状态....................................................................................................................................... 40

推荐工作条件.......................................................................................................... 41

擦除和编程性能...................................................................................................... 42

闭锁特性............................................................................................................................... 42

订购信息...................................................................................................................................... 43

部件名称说明..................................................................................................................................... 44

封装信息......................................................................................................................................... 45

修订历史................................................................................................................................................. 49

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16M - BIT [ ×1 / ×2 / ×4 ] CMOS串行闪存

特点

一般

串行外设接口兼容 - 模式0和模式3

16M ： 16777216 ×1位结构或8388608 ×2位（两个I / O读取模式）结构或4194304 ×4位（四个I / O读

模式）结构

512平等部门，每个4K字节

- 任何部门可以单独擦除

32相同的块，每个64K字节

- 任何块都可以单独擦除

单电源工作

- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作

闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V

低Vcc的禁止写入是从1.5V到2.5V

性能

高性能

- 快速阅读

- 1 I / O ： 104MHz的& 86MHz ，8次假

- 4 I / O ： 75MHz的6哑周期

- 2 I / O： 75MHz的有4个虚拟周期

- 快速访问时间： 104MHz的& 86MHz串行时钟（ 15pF的+ 1TTL负荷）和66MHz的串行时钟（ 30pF的+ 1TTL负荷）

- 四个串行时钟I / O读取模式：在75MHz （ 15pF的+ TTL负载） ，这相当于300MHz的

- 快速编程时间（最大） 1.4ms之内（典型值）和5毫秒/页（每页256字节）

- 字节编程时间： 9US （典型值）

- 连续程序模式（自动增加在Word程序模式地址）

- 快速擦除时间： 60毫秒（典型值） /扇区（每扇区4K字节） ; 0.7秒（典型值） /块（每块64K字节） ; 14S （典型值） /片

低功耗

为66MHz和10毫安25毫安（最大） ，在104MHz的& 86MHz ， 20毫安（最大）频率为33MHz - 低有效的读电流（最大值）

- 低电平有效的编程电流： 20毫安（最大）

- 低电平有效擦除电流： 20毫安（最大）

- 待机电流低：的20uA （最大）

典型10万次擦除/编程

- 数据保存10年

软件特点

·输入数据格式

- 1字节命令代码

高级安全功能

- 块锁保护

的BP0 - BP3状态位定义的区域的大小为软件保护程序和擦除指令

- 其他512位OTP保护的唯一标识符

自动擦除和自动编程算法

-

自动擦除，并在选定的行业数据验证

-

自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍

程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）

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