MX25L1605ZM
旺宏N位
TM
存储器系列
特点
16M - BIT [ ×1 ] CMOS串行eLiteFlash
TM
内存
-
自动擦除，并在选定的验证数据
扇形
一般
串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0
模式3
16777216 ×1位结构
32平等部门，每个64K字节
- 任何部门可擦除
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低Vcc的禁止写入是从1.5V到2.5V
性能
高性能
- 快速存取时间： 50MHz的串行时钟（ 30pF的+ 1TTL
负载）
- 快速编程时间： 3毫秒/页（典型值，每256字节
页）
- 快速擦除时间： 1秒/扇区（典型值，每64K字节
部门）和32S /芯片（典型值）
- 加速模式：
- 编程时间： 2.4ms /页（典型值）
- 擦除时间： 0.8秒/扇区（典型值）， 25S /片
（典型值）
低功耗
- 低有效的读电流： 30毫安（最大值） ，在50MHz的
- 低电平有效的编程电流： 30毫安（最大）
- 低电平有效擦除电流： 38毫安（最大）
- 低待机电流： 50uA的（最大）
- 深度掉电模式下为1uA （典型值）
最小10K擦除/编程周期阵列
最小100K擦除/编程周期额外的4K
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
自动擦除和自动编程算法
-
在选定的自动编程和校验数据
由一个内部算法页面自动倍
该计划的脉冲宽度（任何页面来进行编程
应该有网页在擦除状态第一）
状态寄存器功能
电子标识
-
JEDEC的2字节的设备ID
- RES指令， 1个字节的设备ID
- REMS指令，ADD = 00H将输出
制造商的ID第一和ADD = 01H将输出设备
ID第一
额外的4KB扇区独立于主存储器
参数存储来消除EEPROM
系统
硬件特性
SCLK输入
-
串行时钟输入
SI输入
-
串行数据输入
SO / PO7
- 串行数据输出或并行模式下的数据输入/输出
WP ＃ / ACC引脚
-
硬件写保护和编程/擦除加速
关合作
HOLD ＃引脚
-
暂停芯片而不diselecting芯片（未为
平行中模式，请HOLD ＃引脚连接到VCC很好地协同
荷兰国际集团并行模式）
PO0 PO6
- 并行模式数据输出/输入
包
- 8 - 土地SON （ 8x6毫米）
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REV 。 1.0 ， 2006年5月16日
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MX25L1605ZM
概述
该MX25L1605是CMOS 16777216位串行
eLiteFlash
TM
存储器，其被配置为2,097,152 X
8内部。该MX25L1605提供一个串行外设
接口和软件协议允许在一个操作
简单的3线公交车。三总线信号的时钟输入
（SCLK ），串行数据输入（SI）和串行数据输出
（ SO ） 。 SPI的对设备的访问是通过CS＃输入使能。
该MX25L1605上提供连续读操作
整个芯片。用户可以从开始的任何字节读取
数组。而在阵列的末尾为止，该装置将
缠绕到阵列和连续的开始
输出数据，直到CS ＃变高。
发出编程/擦除命令后，自动程序/
擦除算法，编程/擦除和验证
指定的页面位置将被执行。程序的COM
命令是一个页（ 256字节）的基础上进行的，和擦除
命令被两片和扇区上执行（ 64K字节）的
的基础。
以提供用户容易接口，一个状态寄存器是
包括指示所述芯片的状态。状态读取
命令可以发出来检测完成和错误
编程或擦除操作的标志状态。
为了增加用户的工厂吞吐量，并行模式
提供的。读取性能/方案显着
改进的程序员比机器上的序列模式。
当设备不运转和CS ＃为高，这是
摆在待机模式下电流小于50uA的直流电流。
附加的4KB扇区与100K的擦除/编程endur-
ANCE周期是适用于参数存储和替换
对系统中的EEPROM中。
该MX25L1605采用MXIC专有的存储单元
甚至10K后能可靠地保存存储器的内容
编程和擦除周期。
销刀豆网络gurations
8 -LAND SON （ 8x6毫米小外形无引线）
引脚说明
符号
CS ＃
SI
SO/PO7(1)
SCLK
HOLD#(2)
WP ＃ / ACC
描述
芯片选择
串行数据输入
串行数据输出或并行数据
输出/输入
时钟输入
持有，暂停串行通信
（ HOLD＃不是并行方式）
写保护：连接到GND ;
12V的编程/擦除加速：
连接到12V
+ 3.3V电源
地
并行数据输入/输出（ PO0 PO6可以
连接到NC在串行模式）
无内部连接
CS ＃
SO
WP ＃
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD ＃
SCLK
SI
VCC
GND
PO0~PO6
NC
注意：
HOLD ＃建议连接到VCC时并行
模式。
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MX25L1605ZM
数据保护
该MX25L1605的目的是提供保护，防止
意外擦除或编程引起的杂散
可在电力系统中存在的电平信号
过渡。上电时，设备会自动复位
状态机在读取模式。此外，随着其
控制寄存器结构，改变内存
内容只出现成功完成后，
具体的命令序列。该设备还
集成了多项功能以防止误写
从VCC上电和掉电导致周期
过渡或系统噪声。
上电复位和一个内部定时器（ tPUW ）可以
提供保护而疏忽造成的变化
电源是运行规范之外。
编程，擦除和写状态寄存器指令
检查它们由多个时钟的
脉冲是8的倍数，它们是前
接受执行。
为了避免系统电源意外变化
转换时，上电复位和一个内部定时器
（ tPUW ）可以保护设备。
在编程，擦除和写入状态寄存器之前
执行指令长度将在后续检查
荷兰国际集团的时钟脉冲数要多八个基地。
写使能（ WREN）指令必须设置为写
写其他指令前使能锁存器（ WEL ）位
修改数据。 WEL位将返回到复位状态
以下几种情况：
- 上电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成
- 写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
- 页编程（ PP ）指令完成
- 扇区擦除（ SE ）指令完成
- 芯片擦除（ CE ）指令完成
保护模式（ SPM ）的使用（ BP2 ， BP1的软件，
BP0 ）位，以允许存储器部分被保护为
只读的。
保护模式（ HPM ）的硬件使用WP ＃为
保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和SRWD位。
深度掉电模式也保护装置通过
忽略了除释放的Deep-所有说明
掉电（ RDP ）指令和RES指令。
修改数据的所有指令前必须有
写使能（ WREN ）指令集写
使能锁存器（ WEL ）位。该位被返回到它的复位
状态由以下事件：
- 上电
- 写禁止（ WRDI ）指令完成
- 写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
- 页编程（ PP ）指令完成
- 扇区擦除（ SE ）指令完成
- 芯片擦除（ CE ）指令完成
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位允许的一部分
在内存配置为只读。这是
软件保护模式（ SPM ） 。
写保护（ WP ＃ ）信号，使座
保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态寄存器
写禁止（ SRWD ）位进行保护。这是
硬件保护模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，所述
深度掉电模式下提供额外的保护软件
化防止意外写，编程和擦除IN-
structions ，因为所有的指令都将被忽略，只有一个除外
特定指令（发布从深度
断电指令）。
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MX25L1605ZM
表1.受保护区域大小
状态位
BP2
0
0
0
0
1
1
1
1
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
保护区
16Mb
无
第32届上（部门31 ）
上十六（两个部门： 30和31 ）
上第八（四个部门：28 31 ）
上季（ 8部门： 24 31 ）
上半部分（ 16部门： 16 31 ）
所有
所有
注意：
1，该设备已准备好接受一个芯片擦除指令，当且仅当所有块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）为0 。
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