MX23L8103
8M位掩膜ROM
特点
位组织
- 1M ×8 （字节模式）
- 512K ×16 （字模式）
快速存取时间
- 随机访问：为70ns （最大）
当前
- 操作： 15毫安
- 待机： 5UA
电源电压
- 2.7V ~ 3.6V
包
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球微型BGA （ 6× 8毫米，球间距0.8毫米，球
大小0.3毫米）
温
- -40 ~ 85° C
引脚说明
符号
A0~A18
D0~D14
D15/A-1
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
VCC
VSS
NC
引脚功能
地址输入
数据输出
D15 （字模式） / LSB地址
（字节模式）
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节模式选择
电源引脚
接地引脚
无连接
引脚配置
48 TSOP （顶视图）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
D15/A-1
D7
D14
D6
D13
D5
D12
D4
VCC
D11
D3
D10
D2
D9
D1
D8
D0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
MX23L8103
（普通型）
P / N ： PM0622
REV 。 1.7 ， 2004年5月3日
1
MX23L8103
绝对最大额定值
项
电源电压相对于Vss
任何引脚相对于VSS的电压
工作环境温度
储存温度
符号
VCC
VIN
TOPR
TSTG
评级
-0.3V至4.3V
-0.3V至3.9V
-40 ° C至85°C
-65 ° C至125°C
DC特性
（ TA = -40 ° C 85°C ， VCC = 2.7V 3.6V ）
项
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流（ CMOS ）
输入电容
输出电容
符号
VOH
VOL
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
ICC
Istb
CIN
COUT
分钟。
2.4V
-
2.1V
-0.3V
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.4V
VCC+0.3V
0.8V
5uA
5uA
15mA
5uA
10pF
10pF
0V ， VCC
0V ， VCC
F = 5MHz时， CE ＃ = VIL ， OE ＃ = VIH
所有输出开路
CE#>VCC-0.2V
TA = 25 ° C，F = 1MHZ
TA = 25 ° C，F = 1MHZ
条件
IOH = -400uA
IOL = 1.6毫安
AC特性
（ TA = -40 ° C 85°C ， VCC = 2.7V 3.6V ）
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能时间
输出保持地址后，
输出高阻延迟
符号
TRC
TAA
TACE
TOE
TOH
太赫兹
23L8103-70
分钟。
马克斯。
70ns
-
-
70ns
-
70ns
-
30ns
0ns
-
-
20ns
23L8103-90
分钟。
马克斯。
90ns
-
-
90ns
-
90ns
-
35ns
0ns
-
-
20ns
23L8103-12
分钟。
马克斯。
120ns的 -
-
120ns
-
120ns
-
50ns
0ns
-
-
20ns
注：输出高阻抗延迟（太赫兹）测量
从OE ＃或CE ＃变高，而这个参数瓜尔
及担通过设计，在整个电压和温度
工作范围 - 未经测试。
P / N ： PM0622
REV 。 1.7 ， 2004年5月3日
3
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