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MX23C1611
5伏16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 )掩膜ROM与页面模式
特点
位组织
- 2M ×8 (字节模式)
- 1M ×16 (字模式)
快速存取时间
- 随机访问:为100ns (最大值)
- 页面访问: 30ns的(最大)
页面大小
- 8每页双字
当前
- 操作: 60毫安
- 待机: 50uA的
电源电压
- 5V±10%
- 44引脚SOP ( 500mil )
- 42引脚PDIP ( 600mil )
- 48引脚TSOP ( 20毫米x 12毫米)
订购信息
产品型号
访问页访问包
时间
MX23C1611MC - 10为100ns
MX23C1611MC - 12 120ns的
MX23C1611PC - 10为100ns
MX23C1611PC - 12 120ns的
MX23C1611TC-10
MX23C1611TC-12
100ns
120ns
时间
30ns
50ns
30ns
50ns
30ns
50ns
44引脚SOP
44引脚SOP
42引脚PDIP
42引脚PDIP
48引脚TSOP
48引脚TSOP
引脚说明
符号
A0~A19
D0~D14
引脚功能
地址输入
数据输出
D15 (字模式) / LSB地址
(字节模式)
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节模式选择
电源引脚
接地引脚
无连接
引脚配置
44 SOP
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
VSS
OE
D0
D8
D1
D9
D2
D10
D3
D11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
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22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
D15/A-1
D7
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D6
D13
D5
D12
D4
VCC
42 PDIP
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
VSS
OE
D0
D8
D1
D9
D2
D10
D3
D11
1
2
3
4
5
6
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8
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14
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16
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42
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24
23
22
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
D15/A-1
D7
D14
D6
D13
D5
D12
D4
VCC
D15/A-1
CE
OE
字节
VCC
VSS
NC
MX23C1611
模式选择
CE
H
L
L
L
P / N : PM0241
OE
X
H
L
L
字节
X
X
H
L
MX23C1611
D31/A-1
X
X
产量
输入
D0~D15
高Z
高Z
D0~D7
D0~D7
D16~D31
高Z
高Z
D8~D15
高Z
模式
-
-
字节
动力
待用
活跃
活跃
活跃
REV 。 2.3 ,六月20 , 2003
1
MX23C1611
48 TSOP (普通型)
字节
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
VSS
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
VSS
VSS
D15/A-1
D7
D14
D6
D13
D5
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D4
VCC
VCC
NC
D11
D3
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D2
D9
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D8
D0
OE
VSS
VSS
MX23C1611
(普通型)
框图
A0/(A-1)
A2
A3
A19
CE
字节
OE
地址
卜FF器
内存
ARRAY
页面
卜FF器
页面
解码器
字/
字节
产量
卜FF器
D0
D15/(D7)
注:芯片使能有效低输入激活芯片的控制逻辑,地址缓冲区和页面缓存。
P / N : PM0241
REV 。 2.3 ,六月20 , 2003
2
MX23C1611
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压
工作环境温度
储存温度
符号
VIN
TOPR
TSTG
评级
-1.3V至VCC + 2.0V (注)
-40 ° C至85°C
-65 ° C至125°C
注意:在输入或I / O引脚的最小直流电压为-0.5V 。
在电压转换,输入可以下冲VSS
到-1.3V最高为20ns的周期。最大直流电压
输入或I / O引脚为VCC + 0.5V 。在电压跃迁
系统蒸发散,输入可能会过冲至VCC VCC + 2.0V的近郊
高达20ns的ODS 。
DC特性
(大= 0 ° C 70 ° C, VCC = 5V ±10 % )
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
输入电容
输出电容
符号
VOH
VOL
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
ICC1
ISTB1
ISTB2
CIN
COUT
分钟。
2.4V
-
2.2V
-0.3V
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.4V
VCC+0.3V
0.2× VCC
5uA
5uA
60mA
1mA
50uA
10pF
10pF
条件
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
0V , VCC
0V , VCC
的tRC = 100ns的,所有输出开路
CE = VIH
CE>VCC-0.2V
TA = 25 ° C,F = 1MHZ
TA = 25 ° C,F = 1MHZ
AC特性
(大= 0 ° C 70 ° C, VCC = 5V ±10 % )
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
页模式访问时间
输出使能时间
输出保持地址后,
输出高阻延迟
符号
TRC
TAA
TCE
TPA
TOE
TOH
太赫兹
23C1611-10
分钟。
马克斯。
100ns
-
-
100ns
-
100ns
-
30ns
-
30ns
0ns
-
-
20ns
23C1611-12
分钟。
马克斯。
120ns
-
-
120ns
-
120ns
-
50ns
-
50ns
0ns
-
-
20ns
注:输出高阻抗延迟(太赫兹)测量
从OE或CE变为高电平,并且该参数瓜拉尼
开球通过设计,在整个电压和温度OP-
展业务范围 - 未经测试。
P / N : PM0241
REV 。 2.3 ,六月20 , 2003
3
MX23C1611
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序水平
输出时序水平
输出负载
0.4V~ 2.4V
10ns
1.5V
0.8V和2.0V
看到网络连接gure
IOH (负载) = - 1毫安
DOUT
人工晶状体(负载) = 2.1毫安
C<30pF
注意:
无输出负载是目前在测试负载板。
主动载使用,并在软件编程控制。
时序图
随机读取
输出负载电容包括负载板的所有寄生电容。
添加
添加
TCE
添加
TRC
添加
CE
TOE
OE
TAA
TOH
太赫兹
数据
有效
有效
有效
页面读取
A3-A19
有效加载
(A-1),A0,A1,A2
第1' ADD
TAA
2'nd ADD
TPA
有效
有效
3'rd ADD
数据
有效
注: CE, OE是使能。
页大小是8个字中的16位模式,在8位模式16字节。
P / N : PM0241
REV 。 2.3 ,六月20 , 2003
4
MX23C1611
包装信息
P / N : PM0241
REV 。 2.3 ,六月20 , 2003
5
MX23C1611
5伏16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 )掩膜ROM与页面模式
特点
位组织
- 2M ×8 (字节模式)
- 1M ×16 (字模式)
快速存取时间
- 随机访问:为100ns (最大值)
- 页面访问:为50ns (最大)
页面大小
- 8每页双字
当前
- 操作: 60毫安
- 待机:为100uA
电源电压
- 5V±10%
- 44引脚SOP ( 500mil )
- 42引脚PDIP ( 600毫米)
- 48引脚TSOP ( 20毫米x 12毫米)
订购信息
产品型号
访问页访问包
时间
MX23C1611MC - 10为100ns
MX23C1611MC - 12 120ns的
MX23C1611PC - 10为100ns
MX23C1611PC - 12 120ns的
MX23C1611TC-10
MX23C1611TC-12
100ns
120ns
时间
50ns
60ns
50ns
60ns
50ns
60ns
44引脚SOP
44引脚SOP
42引脚PDIP
42引脚PDIP
48引脚TSOP
48引脚TSOP
引脚说明
符号
A0~A19
D0~D14
引脚功能
地址输入
数据输出
D15 (字模式) / LSB地址
(字节模式)
芯片使能输入
输出使能输入
字/字节模式选择
电源引脚
接地引脚
无连接
引脚配置
44 SOP
NC
A18
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CE
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12
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44
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33
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29
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24
23
NC
A19
A8
A9
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A13
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A16
字节
VSS
D15/A-1
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D5
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VCC
42 PDIP
A18
A17
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A6
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A4
A3
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CE
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OE
D0
D8
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1
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A19
A8
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字节
VSS
D15/A-1
D7
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D4
VCC
D15/A-1
CE
OE
字节
VCC
VSS
NC
MX23C1611
模式选择
CE
H
L
L
L
P / N : PM0241
OE
X
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X
X
H
L
MX23C1611
D31/A-1
X
X
产量
输入
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高Z
D0~D7
D0~D7
D16~D31
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D8~D15
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-
-
字节
动力
待用
活跃
活跃
活跃
REV 。 2.1 ,七月18 , 2001年
1
MX23C1611
48 TSOP (普通型)
字节
A16
A15
A14
A13
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A10
A9
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A19
VSS
NC
A18
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26
25
VSS
VSS
D15/A-1
D7
D14
D6
D13
D5
D12
D4
VCC
VCC
NC
D11
D3
D10
D2
D9
D1
D8
D0
OE
VSS
VSS
MX23C1611
(普通型)
框图
A0/(A-1)
A2
A3
A19
CE
字节
OE
地址
卜FF器
内存
ARRAY
页面
卜FF器
页面
解码器
字/
字节
产量
卜FF器
D0
D15/(D7)
注:芯片使能有效低输入激活芯片的控制逻辑,地址缓冲区和页面缓存。
P / N : PM0241
REV 。 2.1 ,七月18 , 2001年
2
MX23C1611
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压
工作环境温度
储存温度
符号
VIN
TOPR
TSTG
评级
-1.3V至VCC + 2.0V (注)
-40°至85°
C
C
在-65°至125°
C
C
注意:在输入或I / O引脚的最小直流电压为-0.5V 。
在电压转换,输入可以下冲VSS
到-1.3V最高为20ns的周期。最大直流电压
输入或I / O引脚为VCC + 0.5V 。在电压跃迁
系统蒸发散,输入可能会过冲至VCC VCC + 2.0V的近郊
高达20ns的ODS 。
DC特性
(大= 0 ° C 70 ° C, VCC = 5V ±10 % )
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
输入电容
输出电容
符号
VOH
VOL
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
ICC1
ISTB1
ISTB2
CIN
COUT
分钟。
2.4V
-
2.2V
-0.3V
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.4V
VCC+0.3V
0.2× VCC
5uA
5uA
60mA
1mA
100uA
10pF
10pF
条件
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
0V , VCC
0V , VCC
的tRC = 100ns的,所有输出开路
CE = VIH
CE>VCC-0.2V
TA = 25 °F = 1MHZ
C,
TA = 25 °F = 1MHZ
C,
AC特性
(大= 0 ° C 70 ° C, VCC = 5V ±10 % )
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
页模式访问时间
输出使能时间
输出保持地址后,
输出高阻延迟
符号
TRC
TAA
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TOE
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太赫兹
23C1611-10
分钟。
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-
-
100ns
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100ns
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-
50ns
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23C1611-12
分钟。
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-
-
120ns
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120ns
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60ns
-
60ns
10ns
-
-
20ns
注:输出高阻抗延迟(太赫兹)测量
从OE或CE变为高电平,并且该参数瓜拉尼
开球通过设计,在整个电压和温度OP-
展业务范围 - 未经测试。
P / N : PM0241
REV 。 2.1 ,七月18 , 2001年
3
MX23C1611
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序水平
输出时序水平
输出负载
0.4V~ 2.4V
10ns
1.5V
0.8V和2.0V
看到网络连接gure
IOH (负载) = - 1毫安
DOUT
人工晶状体(负载) = 2.1毫安
C<100pF
注意:
无输出负载是目前在测试负载板。
主动载使用,并在软件编程控制。
时序图
随机读取
添加
输出负载电容包括负载板的所有寄生电容。
添加
TACE
添加
TRC
添加
CE
TOE
OE
TAA
TOH
太赫兹
数据
有效
有效
有效
页面读取
A3-A19
有效加载
(A-1),A0,A1,A2
第1' ADD
TAA
2'nd ADD
TPA
有效
有效
3'rd ADD
数据
有效
注: CE, OE是使能。
页大小是8个字中的16位模式,在8位模式16字节。
P / N : PM0241
REV 。 2.1 ,七月18 , 2001年
4
MX23C1611
包装信息
42引脚塑料DIP ( 600密耳)
P / N : PM0241
REV 。 2.1 ,七月18 , 2001年
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MX23C1611MC-12
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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