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分立半导体

数据表

MX1011B700Y

NPN微波功率晶体管

产品speci fi cation

取代1994年11月数据

1997年02月18

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

特点

适合短期和中期

脉冲应用最多

100

s/10%

内部输入和输出

prematching网络允许的

电路的设计更容易

扩散发射极镇流电阻器

提高耐用性

相互交叉的发射极 - 基极

结构提供了高射

效率

镀金与障碍

实现的非常好的稳定性

特性和优异的

一生

多单元的几何形状提高了电源

共享并降低热

性。

应用

手册中， 4列

MX1011B700Y

快速参考数据

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在一个共同的基类C的

宽带放大器呃。

的模式

手术

C类

条件

t

p

= 10

s;

δ

= 1%

f

（千兆赫）

1.09

V

CC

(V)

50

P

L

(W)

650

G

P

（ dB）的

≥6

η

C

(%)

≥48

钉扎 - SOT439A

针

1

2

3

集热器

辐射源

底座连接到FL法兰

描述

1

用于在共基极使用，

C类，宽带，脉冲功率

放大器IFF ， TCAS与S模式

到1090 MHz的应用，在1030

乐队。也适用于中脉，

内的重型作业

1130至50年MHz频段。

描述

NPN硅平面外延

在微波功率晶体管

SOT439A金属陶瓷法兰

包带底座连接到

FL法兰。

c

b

3

2

顶视图

3

e

MAM045

Fig.1简化外形和符号。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1997年02月18

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

CES

V

EBO

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

SLD

记

1.可达0.2毫米的陶瓷。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

焊接温度

t

≤

10秒;注1

条件

发射极开路

开基

R

BE

= 0

集电极开路

t

p

≤

10

s; δ ≤

1%

T

mb

＆ LT ;

75

°C;

t

p

≤

10

s; δ ≤

1%

MX1011B700Y

分钟。

马克斯。

65

15

65

3

40

1365

+200

200

235

单位

V

V

V

V

A

W

°C

°C

°C

65

手册， halfpage

1600

P合计

(W)

1200

MRA445

800

400

0

50

0

50

100

150

200

TMB （

o

C)

t

p

= 10

s; δ

= 1%; P

TOT最大

= 1365 W.

Fig.2

最大功耗降额作为

功能安装基座的温度。

1997年02月18

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

热特性

符号

R

日J- MB

R

日MB -H

Z

第j个小时

笔记

1.请参阅“安装

在手册SC19a的通用部分“的建议。

根据标称脉冲微波工作条件2.等效热阻。

特征

T

mb

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CES

参数

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

条件

V

CB

= 50 V ;我

E

= 0

V

CE

= 50 V; V

BE

= 0

V

EB

= 1.5 V ;我

C

= 0

I

C

= 140毫安; V

BE

= 0

I

C

= 140毫安; V

BE

= 0

参数

从结热阻安装基座

从安装底座到散热片的热阻

从结点的热阻抗散热器

条件

T

j

= 120

°C

注1

t

p

= 10

s; δ

= 1%;

注1和2

MX1011B700Y

马克斯。

1.12

0.2

0.06

单位

K / W

K / W

K / W

马克斯。

20

20

5

65

65

单位

mA

mA

mA

V

V

应用信息

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在宽带测试电路，如图3所示。

操作模式

条件

t

p

= 10

s; δ

= 1%

t

p

= 0.5

s; δ

= 50%;

t

p

= 112

s; δ

= 1%

t

p

= 6.6

s; δ

= 51%;

t

p

= 3.3毫秒;

δ

= 43%

t

p

= 32

s; δ

= 1%

f

（千兆赫）

1.09

1.03 1.09

1.03 1.15

1.09

V

CC

(V)

50

50

50

50

P

L

(W)

650;

（典型值）。 740

（典型值）。 650

典型值。 300

（典型值）。 700

G

P

（ dB）的

≥6.0;

（典型值）。 7

（典型值）。 6.4

（典型值）。 7

（典型值）。 6.7

η

C

(%)

≥48;

（典型值）。 55

（典型值）。 45

（典型值）。 45

（典型值）。 55

C类

1997年02月18

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

MX1011B700Y

手册，全页宽

30 mm

30 mm

17

3

3

7

8

1

4

10.5

2.5 1

3

13

40 mm

11

0.65

5

0.65

12

40 mm

MCD495

手册，全页宽

C3

VCC

C4

VCC

C2

L1

L3

C1

输入

产量

L2

C5

MCD496

基材： Epsilam 10 。

厚度： 0.635毫米。

介电常数：

ε

r

= 10.

图3宽带测试电路。

1997年02月18

5

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