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分立半导体
数据表
MX0912B251Y
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年11月数据
1997年2月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
相互交叉的结构;高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
输入和输出匹配单元允许一个更简单的设计
的电路。
应用
1
MX0912B251Y
钉扎 - SOT439A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
olumns
c
b
拟用于公共基类C的宽带使用
脉冲功率放大器从960至1215兆赫的塔康
应用程序。
描述
NPN硅平面外延微波功率晶体管
一个SOT439A金属陶瓷法兰封装，含底座
连接法兰。它被安装在公共基
配置，并在类C指定
3
2
顶视图
3
e
MAM045
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个共同的基础C级宽带放大器呃。
的模式
手术
C类
t
p
= 10
s; δ
= 10%
f
（千兆赫）
0.960到1.215
V
CC
(V)
50
P
L
(W)
>235
G
po
（ dB）的
>7
η
C
(%)
>42
Z
i
/Z
L
()
参见图7和图8
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年2月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
记
1.可达0.2毫米的陶瓷。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
（峰值功率）
储存温度
工作结温
焊接温度
t
≤
10秒;注1
发射极开路
R
BE
= 0
开基
集电极开路
t
p
≤
10
s; δ ≤
10%
T
mb
= 75
°C;
t
p
≤
10
s; δ ≤
10%
条件
MX0912B251Y
分钟。
65
马克斯。
65
60
20
3
15
690
+200
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
手册， halfpage
1000
P合计
(W)
800
MGL041
600
400
200
0
50
0
100
TMB （ ° C）
200
t
p
= 10
s; δ
= 10%; P
TOT最大
= 690 W.
Fig.2
最大功耗降额作为
功能安装基座的温度。
1997年2月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
T
j
= 125
°C
除非另有规定ED 。
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
Z
第j个小时
笔记
1.请参阅“安装
在手册SC19a的通用部分“的建议。
根据标称脉冲微波工作条件2.等效热阻。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
V
CB
= 65 V ;我
E
= 0
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 60 V ;
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
100
10
100
1
参数
条件
MX0912B251Y
马克斯。
1.9
0.2
0.28
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座CW
从安装底座到散热片CW热阻;注1
从结点的热阻抗散热器
t
p
= 10
s; δ
= 10%
注1和2
马克斯。
mA
mA
mA
mA
单位
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在测试夹具测量，如图6所示，并在C类工作的宽带
模式中的脉冲;注意： 1 。
操作模式
C级;
t
p
= 10
s; δ
= 10%
t
p
= 300
s; δ
= 10%;
见图5
笔记
1.工作条件和性能等脉冲格式可以根据要求提供。
2. V
CC
中脉。
f
（千兆赫）
0.960到1.215
1.03 1.09
V
CC
(V)
(2)
50
50
P
L
(W)
>235
（典型值） 。 275
（典型值） 。 280
G
po
（ dB）的
>7
（典型值） 。 7.4
典型值。 8
η
C
(%)
>42
（典型值） 。 47
（典型值） 。 48
Z
i
/Z
L
()
参见图7和图8
1997年2月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
MX0912B251Y
手册， halfpage
300
MGL042
手册， halfpage
50
MGL043
PL
(W)
η
C
(%)
250
45
200
0.95
1.05
1.15
F（千兆赫）
1.25
40
0.95
1.05
1.15
F（千兆赫）
1.25
V
CC
= 50 V ;牛逼
p
= 10
s; δ
= 10%.
V
CC
= 50 V ;牛逼
p
= 10
s; δ
= 10%.
Fig.4
Fig.3
负载功率为频率的函数。
（在宽带测试电路如图6所示）
集热器效率的函数
频率。 （在宽带测试电路
在图6中示出）
1997年2月19日
5
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