分立半导体
数据表
MX0912B100Y ; MZ0912B100Y
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年6月的数据
1997年2月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
叉指结构提供了高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状提高了权力分享和低
热阻
输入和输出匹配单元允许一个更简单的设计
的电路。
应用
公共基类-C宽带脉冲电源
工作在960至1215兆赫的塔康放大器
应用程序。
描述
NPN硅平面外延微波功率晶体管。
该MX0912B100Y有SOT439A金属陶瓷法兰
封装和改进的输出prematching细胞。这是
建议用于新设计。
该MZ0912B100Y有SOT443A金属陶瓷法兰
打包带连接到所述凸缘的位置。这是
安装在共基极结构和在指定的
C类。
olumns
MX0912B100Y ; MZ0912B100Y
钉扎
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
1
c
b
3
2
顶视图
3
e
MAM045
Fig.1简化外形和符号（ SOT439A ） 。
手册， halfpage
1
c
b
3
e
2
顶视图
MAM314
图2简化的外形和符号（ SOT443A ） 。
快速参考数据
微波性能在T
mb
≤
25
°C
在一个公共基类-C宽带放大器呃。
操作模式
C类;吨
p
= 10
s; δ
= 10 %
f
（千兆赫）
0.960到1.215
V
CC
(V)
50
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年2月20日
2
P
L
(W)
>100
G
P
（ dB）的
>7
η
C
(%)
>42
Z
i
; Z
L
()
参见图8和9
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
（峰值功率）
储存温度
工作结温
焊接温度
MX0912B100Y ; MZ0912B100Y
条件
发射极开路
R
BE
= 0
开基
集电极开路
t
p
≤
10
s; δ ≤
10 %
t
p
≤
10
s; δ ≤
10 %;
T
mb
= 75
°C
分钟。
马克斯。
65
60
20
3
6
290
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
单位
65
达0.2mm的陶瓷;
t
≤
10 s
°C
°C
°C
手册， halfpage
300
MGL046
P合计
(W)
200
100
0
50
0
100
TMB （ ° C）
200
t
p
= 10
s; δ
= 10 %; P
TOT最大
= 290 W.
Fig.3
最大功耗降额作为
功能安装底座的温度。
1997年2月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
Z
第j个小时
笔记
参数
MX0912B100Y ; MZ0912B100Y
条件
马克斯。
3.2
0.2
0.43
单位
K / W
K / W
K / W
结点的热阻在安装-碱基T
j
= 125
°C
从安装基地热阻散热器牛逼
j
= 125
°C;
注1
从结点的热阻抗散热器
t
p
= 10
s; δ
= 10 %;
T
j
= 125
°C;
注1和2
1.请参阅“安装
在手册SC19a的通用部分“的建议。
根据脉冲微波操作条件2.等效热阻。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
V
CB
= 65 V ;我
E
= 0
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CB
= 60 V ;
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
40
4
40
400
马克斯。
mA
mA
mA
A
单位
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在测试夹具测得如图7所示，并在C类工作的宽带
在脉冲模式;注意： 1 。
操作模式
C级;
t
p
= 10
s; δ
= 10%
t
p
= 300
s; δ
= 10%;
见图6
笔记
1.工作条件和性能等脉冲格式可以根据要求提供。
2. V
CC
中脉。
f
（千兆赫）
0.960到1.215
1.03 1.09
V
CC
(V)
(2)
50
50
P
L
(W)
≥100
（典型值） 。 115
（典型值） 。 125
G
p
（ dB）的
≥7
（典型值） 。 7.6
典型值。 8
η
C
(%)
≥42
（典型值） 。 44
（典型值） 。 50
Z
i
/Z
L
()
参见图8和9
1997年2月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
MX0912B100Y ; MZ0912B100Y
手册， halfpage
130
MGL047
手册， halfpage
50
MGL048
PL
(W)
η
C
(%)
120
45
110
0.95
1.05
1.15
F（千兆赫）
1.25
40
0.95
1.05
1.15
F（千兆赫）
1.25
V
CC
= 50 V ;牛逼
p
= 10
s; δ
= 10%.
V
CC
= 50 V ;牛逼
p
= 10
s; δ
= 10%.
Fig.5
Fig.4
负载功率为频率的函数。
（在宽带测试电路如图7所示）
集热器效率的函数
频率。 （在宽带测试电路
在图7中示出）的
1997年2月20日
5
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