MWS11-PH22-CS
CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
的MWS的CDMA是一种高
针对3V效率线性放大器
移动手持系统。该装置
制造
in
an
先进
的InGaP / GaAs异质双极
晶体管（ HBT ）射频IC晶圆厂的过程。它
被设计用作最后的射频
放大器3V CDMA和TDMA PCS
电池供电
数字
设备
（双模式） ，扩展频谱系统中，
而在其它线性应用
1700MHz至1900MHz的频段。
有两个无引线芯片载体
（ LCC ）封装版本，此电源
放大器系列。一种是采用3mm x 3mm
芯片级封装（CSP ）与外部
输入/输出匹配，另一种是一个
采用6mm x 6mm内部I / O匹配
模块。
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
27分贝线性增益
38-40 ％的线性效率
70毫安空闲电流
W W W .
Microsemi的
.
COM
3V 1710-1780MHz CDMA
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
公司网站：
http://www.microsemi.com
手机
3V 1850-1910MHz CDMA
手机
3V TDMA PCS手机
扩频系统
其它线性无线
应用
16引脚无引线封装
顶部
底部
3mm
3mm
实际尺寸
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
T
J
(°C)
1700-1900MHz
CDMA
采用3mm x 3mm塑料
MLP
16-PIN
MWS11-PH22-CS
版权
2000
牧师0.2,2000-12-08
Microsemi的
微WaveSys
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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电源电压（V
BAT
) ........................................................................................... +8.0V
DC
电源电压（P
OUT
< 31 dBm的） .............................................. ............................. + 4.5V
DC
控制电压（V
REF
)........................................................................................... +3.2V
DC
输入射频功率........................................................................................................+6dBm
工作温度............................................... ........................ -30 ℃100 ℃，
存储温度................................................ ................................... -65℃ 150℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
W W W .
Microsemi的
.
COM
在RF
VCC1
VCC2
VCC
VB1
VB2
RF输入。外部串联电容是必需的DC块。按1：输入匹配可以提高到2 <
用串联电容器和并联电感。
电源的第一级和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
电源为第二阶段和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
供应偏置基准电路。
第一级的控制电压。该VB1引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
第二个阶段的控制电压。该VB2引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
RF输出和电源的最后阶段。这是第三阶段的无与伦比的集电极输出。直流
块需要下面的匹配元件。偏压可通过一个并联LC组提供
谐振在1920MHz的操作频率至1980兆赫。选择电感器具有非常重要的是
低直流电阻与一个1A的额定电流。可替代地，分流微带技术也适用与
提供非常低直流电阻。低频旁路所需的稳定性。有三个引脚
指定为RF OUT 。
这是一个偏置电路，水平地，分离出的背侧接触地面。
地面为第一阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
地面为第二阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
接地连接。包装的背面应焊接到上侧接地垫是
连接到接地平面具有多个通孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
RF OUT
GND
GND1
GND2
PKG GND
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
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除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度-35℃
≤
T
A
≤
85°C ，除非
另有说明。测试条件： T = 25℃ ， VCC = 3.4V ，噘=为29dBm 。
参数
可用频率范围
典型频率范围
线性功率增益
CDMA
邻道功率抑制
二次谐波
三次谐波
四倍频
CDMA噪声功率
线性功率附加效率
静态电流
CDMA噪声功率
输入VSWR
输出负载VSWR
稳定性
电源电压
V
CC
无损伤
5:1
3.0
3.4
4.5
V
PAE
I
CQ
V
REF
范围： 2.6 2.9V
80MHz的偏移
80MHz的偏移
36
60
G
P
ACPR
由IS-95中定义的1.25MHz的偏移
调整I / O匹配网络
24
符号
测试条件
MWS11-PH22-CS
民
典型值
最大
1750
1750 - 1780
1850 - 1910
26
-46
-35
-40
-45
-139
38
70
-139
< 2:1
10:1
40
90
28
-44
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
%
mA
dBm / Hz计
1910
单位
兆赫
W W W .
Microsemi的
.
COM
S
PECIFICATIONS
S
PECIFICATIONS
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Microsemi的
.
COM
图1
– E
估值委员会的CDMA功率放大器
V
EF
2.8V
C 15
C 12
C 16
T1
C8
R2
C 17
C9
C 13
V
CC
3.5V
C 10
R1
V B2
VC C 2
VC
T2
VB1
的R F IN
LINE
C 16
C3
男女S 11-
P H 22 ， （C S）
LINE
C6
C7
A
PPLICATION
A
PPLICATION
RF
图2
– E
估值委员会的CDMA原理图
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W W W .
Microsemi的
.
COM
N
OTES
N
OTES
初步数据 - 本文档中包含的信息是预先生产数据，并
专有Microsemi的。它可能不会以任何方式未经明确的书面修改
Microsemi的同意。产品在此称为是提供在样表只
Microsemi的保留随时修改或终止本产品的建议权。
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