飞思卡尔半导体公司
技术参数
MWIC930
第2版， 2004年12月
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MWIC930宽带集成电路被设计用于CDMA和
GSM / GSM EDGE应用。它采用飞思卡尔最新的高压（ 26
28伏特） LDMOS IC技术，并集成了多 - 级结构。其
宽带上 - 芯片整体匹配电路使得它可以使用从790到
1000兆赫。线性演出涵盖所有调制的蜂窝
应用： GSM ， GSM EDGE ， TDMA ，N - CDMA和W - CDMA 。
最终的应用
典型性能@ P1dB为： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
=
240毫安，P
OUT
= 30瓦特的P1dB ，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 45 ％
驱动器应用
典型的单 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 27伏，我
DQ1
=
90毫安，我
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 5瓦平均，全频段
（ 865 - 894兆赫） ， IS - 95 （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，
信道带宽= 1.2288兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 21 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 52 dBc的@ 30 kHz带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 30瓦CW输出
动力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >4欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
也可在鸥翼型表面贴装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MWIC930R1
MWIC930GR1
746 - 960兆赫， 30 W， 26 - 28 V
单N - CDMA ， GSM / EDGE GSM
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MWIC930R1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MWIC930GR1
V
RD2
V
RG2
V
DS1
GND
V
RD2
V
RG2
V
DS1
V
RD1
V
DS2
/ RF
OUT
RF
in
V
RG1
V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
in
V
RD1
V
RG1
RF
OUT /
V
DS2
13
12
NC
GND
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 / D，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MWIC930R1 MWIC930GR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 +175
175
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 30瓦CW）
GSM EDGE应用
(P
OUT
= 15瓦CW）
CDMA应用
(P
OUT
= 5 W CW）
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 240毫安
符号
R
θJC
5.9
1.4
6.5
1.7
6.5
1.8
价值
(1)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113D ， IPC / JEDEC J - STD - 020C
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 5 W的魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz带宽@
±750
MHz偏移。
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％的概率CCDF
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
（ F = 880兆赫）
相邻通道功率比
在整个温度范围静态电流精度
(2)
阶段1与33.2千欧门饲料电阻（ - 30 115℃ ）
阶段2与47.5千欧门饲料电阻（ - 30 115℃ ）
增益平坦度为80 MHz带宽@ P
OUT
= 5 W CW
从线性相位偏差在80 MHz带宽@ P
OUT
= 5 W CW
延迟@ P
OUT
= 5 W CW可提供输出匹配
部分 - 到 - 部分相位变化@ P
OUT
= 5 W CW
G
ps
PAE
IRL
ACPR
28
18
—
—
—
I
1QT
I
2QT
G
F
Φ
延迟
Φ
—
—
—
—
±2.5
±2.5
0.3
0.6
3
±15
—
—
—
—
dB
°
ns
°
31
21
- 12
- 52
—
—
-9
- 48
—
dB
%
dB
dBc的
%
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 240毫安， 840 MHz的MHz<Frequency<920
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
2.请参阅AN1977 / D，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 。
（续）
MWIC930R1 MWIC930GR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明） （
续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM / EDGE GSM演出
（飞思卡尔GSM / GSM EDGE测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
=
240毫安， 921 MHz的MHz<Frequency<960
输出功率， 1dB压缩点
功率增益@ P
OUT
= 30瓦CW
功率附加效率@ P
OUT
= 30瓦CW
输入回波损耗@ P
OUT
= 30瓦CW
互调失真
（ 15 W， 2 - 音， 100 kHz音调间距）
互调失真
（ 1 W ， 2 - 音， 100 kHz音调间距）
增益平坦度为40 MHz带宽@ P
OUT
= 30瓦CW
从线性相位偏差在40 MHz带宽@ P
OUT
= 30瓦CW
P1dB
G
ps
PAE
IRL
IMD
IMD
退避
G
F
Φ
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
45
- 12
- 30
- 45
0.3
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
W
dB
%
dB
dBc的
dBc的
dB
°
MWIC930R1 MWIC930GR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
Z8
V
D1
C15
RF
输入
C12
C9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
NC 13
静态电流
10 NC
温度补偿
11
12
Z10
16
NC 15
Z7
Z2
14
C1
C2
Z9
Z3
Z4
Z5
C3
Z6
C5
C6
RF
产量
V
D2
Z1
V
G1
R1
C13
R3
C10
C7
C4
V
G2
R2
C14
R4
C11
C8
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.0438″ x 0.970″ 50
微带
（不包括铅垫）
0.234 “× 0.1183 ”微带
（包括铅垫）
0.1575 “× 0.9379 ”微带
0.08425 “× 0.0729 ”微带
0.08425 “× 0.5111 ”微带
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
PCB
0.0438 “× 0.2009 ”微带
0.5274 “× 0.0504 ”微带
0.0504 “× 0.250”微带
0.880 “× 0.0254 ”微带
0.0254 “× 0.250”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.50
图3. MWIC930R1 （ GR1 ）测试夹具示意图
表6. MWIC930R1 （ GR1 ）测试夹具元件牌号和值
部分
*C1
*C2
*C3
*C4, C5, C7, C8, C9
C6, C13, C14, C15
C10, C11, C12
R1, R2
R3, R4
描述
15 pF的高Q电容
6.8 pF的高Q电容 - GSM夹具
8.2 pF的高Q电容 - CDMA夹具
5.6 pF的高Q电容
47 pF的高Q电容
1
F
贴片电容
10 nF的贴片电容
1千瓦， 1/8 W贴片电阻
1兆瓦， 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC600S150JW
ATC600S6R8CW
ATC600S8R2CW
ATC600S5R6CW
ATC600S470JW
GRM42 - 2X7R105K050AL
C0603C103J5R
RM73B2AT102J
RM73B2BT105J
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
基美
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
*对于输出匹配和旁路的目的，强烈建议使用这些精确的电容。
MWIC930R1 MWIC930GR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
VD1
C15
MWIC930
REV 0
VD2
C6
C5
C12
RF
输入
RF
产量
C9
C7
C10
C11
C8
C1
C2
C3
R3
C13
C4
R1
VG1
R4
C14
R2
VG2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MWIC930R1 （ GR1 ）测试电路元件布局
MWIC930R1 MWIC930GR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MWIC930
第2版， 2004年12月
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MWIC930宽带集成电路被设计用于CDMA和
GSM / GSM EDGE应用。它采用飞思卡尔最新的高压（ 26
28伏特） LDMOS IC技术，并集成了多 - 级结构。其
宽带上 - 芯片整体匹配电路使得它可以使用从790到
1000兆赫。线性演出涵盖所有调制的蜂窝
应用： GSM ， GSM EDGE ， TDMA ，N - CDMA和W - CDMA 。
最终的应用
典型性能@ P1dB为： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
=
240毫安，P
OUT
= 30瓦特的P1dB ，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 45 ％
驱动器应用
典型的单 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 27伏，我
DQ1
=
90毫安，我
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 5瓦平均，全频段
（ 865 - 894兆赫） ， IS - 95 （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，
信道带宽= 1.2288兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 21 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 52 dBc的@ 30 kHz带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 30瓦CW输出
动力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >4欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
也可在鸥翼型表面贴装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MWIC930R1
MWIC930GR1
746 - 960兆赫， 30 W， 26 - 28 V
单N - CDMA ， GSM / EDGE GSM
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MWIC930R1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MWIC930GR1
V
RD2
V
RG2
V
DS1
GND
V
RD2
V
RG2
V
DS1
V
RD1
V
DS2
/ RF
OUT
RF
in
V
RG1
V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
in
V
RD1
V
RG1
RF
OUT /
V
DS2
13
12
NC
GND
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 / D，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MWIC930R1 MWIC930GR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 +175
175
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 30瓦CW）
GSM EDGE应用
(P
OUT
= 15瓦CW）
CDMA应用
(P
OUT
= 5 W CW）
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 27伏直流电，我
DQ
= 90毫安
第二阶段， 27伏直流，我
DQ
= 240毫安
符号
R
θJC
5.9
1.4
6.5
1.7
6.5
1.8
价值
(1)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113D ， IPC / JEDEC J - STD - 020C
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 5 W的魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz带宽@
±750
MHz偏移。
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％的概率CCDF
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
（ F = 880兆赫）
相邻通道功率比
在整个温度范围静态电流精度
(2)
阶段1与33.2千欧门饲料电阻（ - 30 115℃ ）
阶段2与47.5千欧门饲料电阻（ - 30 115℃ ）
增益平坦度为80 MHz带宽@ P
OUT
= 5 W CW
从线性相位偏差在80 MHz带宽@ P
OUT
= 5 W CW
延迟@ P
OUT
= 5 W CW可提供输出匹配
部分 - 到 - 部分相位变化@ P
OUT
= 5 W CW
G
ps
PAE
IRL
ACPR
28
18
—
—
—
I
1QT
I
2QT
G
F
Φ
延迟
Φ
—
—
—
—
±2.5
±2.5
0.3
0.6
3
±15
—
—
—
—
dB
°
ns
°
31
21
- 12
- 52
—
—
-9
- 48
—
dB
%
dB
dBc的
%
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 240毫安， 840 MHz的MHz<Frequency<920
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
2.请参阅AN1977 / D，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 。
（续）
MWIC930R1 MWIC930GR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明） （
续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM / EDGE GSM演出
（飞思卡尔GSM / GSM EDGE测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 27伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
=
240毫安， 921 MHz的MHz<Frequency<960
输出功率， 1dB压缩点
功率增益@ P
OUT
= 30瓦CW
功率附加效率@ P
OUT
= 30瓦CW
输入回波损耗@ P
OUT
= 30瓦CW
互调失真
（ 15 W， 2 - 音， 100 kHz音调间距）
互调失真
（ 1 W ， 2 - 音， 100 kHz音调间距）
增益平坦度为40 MHz带宽@ P
OUT
= 30瓦CW
从线性相位偏差在40 MHz带宽@ P
OUT
= 30瓦CW
P1dB
G
ps
PAE
IRL
IMD
IMD
退避
G
F
Φ
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
45
- 12
- 30
- 45
0.3
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
W
dB
%
dB
dBc的
dBc的
dB
°
MWIC930R1 MWIC930GR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
Z8
V
D1
C15
RF
输入
C12
C9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
NC 13
静态电流
10 NC
温度补偿
11
12
Z10
16
NC 15
Z7
Z2
14
C1
C2
Z9
Z3
Z4
Z5
C3
Z6
C5
C6
RF
产量
V
D2
Z1
V
G1
R1
C13
R3
C10
C7
C4
V
G2
R2
C14
R4
C11
C8
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.0438″ x 0.970″ 50
微带
（不包括铅垫）
0.234 “× 0.1183 ”微带
（包括铅垫）
0.1575 “× 0.9379 ”微带
0.08425 “× 0.0729 ”微带
0.08425 “× 0.5111 ”微带
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
PCB
0.0438 “× 0.2009 ”微带
0.5274 “× 0.0504 ”微带
0.0504 “× 0.250”微带
0.880 “× 0.0254 ”微带
0.0254 “× 0.250”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.50
图3. MWIC930R1 （ GR1 ）测试夹具示意图
表6. MWIC930R1 （ GR1 ）测试夹具元件牌号和值
部分
*C1
*C2
*C3
*C4, C5, C7, C8, C9
C6, C13, C14, C15
C10, C11, C12
R1, R2
R3, R4
描述
15 pF的高Q电容
6.8 pF的高Q电容 - GSM夹具
8.2 pF的高Q电容 - CDMA夹具
5.6 pF的高Q电容
47 pF的高Q电容
1
F
贴片电容
10 nF的贴片电容
1千瓦， 1/8 W贴片电阻
1兆瓦， 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC600S150JW
ATC600S6R8CW
ATC600S8R2CW
ATC600S5R6CW
ATC600S470JW
GRM42 - 2X7R105K050AL
C0603C103J5R
RM73B2AT102J
RM73B2BT105J
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
基美
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
*对于输出匹配和旁路的目的，强烈建议使用这些精确的电容。
MWIC930R1 MWIC930GR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
VD1
C15
MWIC930
REV 0
VD2
C6
C5
C12
RF
输入
RF
产量
C9
C7
C10
C11
C8
C1
C2
C3
R3
C13
C4
R1
VG1
R4
C14
R2
VG2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MWIC930R1 （ GR1 ）测试电路元件布局
MWIC930R1 MWIC930GR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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