MWI 50-12 E7
MKI 50-12 E7
IGBT模块
Sixpack ,H桥
短路SOA能力
广场RBSOA
13
1
2
5
6
9
10
16
15
14
3
4
17
11
12
13
1
2
9
10
16
14
I
C25
= 90 A
= 1200 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值。
= 1.9 V
3
4
17
7
8
11
12
MWI
MKI
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ;钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900 V; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
SCSOA ;非重复性
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
90
62
100
V
CES
10
350
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT
3
IGBT的
- 低饱和电压
- 正温度系数
简单的并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
性能也谐振电路
HiPerFRED
TM
二极管:
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
行业标准包装
- 焊引脚用于PCB安装
- 分离出铜基板
- UL注册,E 72873
典型应用
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.9
2.1
4.5
0.8
200
80
50
680
30
6.0
4.0
3.8
350
2.4
6.5
0.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.35 K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
MWI
- 交流变频器
- 电源与功率因数
更正
MKI
- 电机控制
。直流电机的电枢绕组
。直流电动机的励磁绕组
。同步电机的励磁绕组
- 电源变压器初级绕组
。电源
。焊接
。 X-射线
。电池充电器
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
(每个IGBT )
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