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MWI 50-12 E7
MKI 50-12 E7
IGBT模块
Sixpack ,H桥
短路SOA能力
广场RBSOA
13
1
2
5
6
9
10
16
15
14
3
4
17
11
12
13
1
2
9
10
16
14
I
C25
= 90 A
= 1200 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值。
= 1.9 V
3
4
17
7
8
11
12
MWI
MKI
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ;钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900 V; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
SCSOA ;非重复性
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
90
62
100
V
CES
10
350
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT
3
IGBT的
- 低饱和电压
- 正温度系数
简单的并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
性能也谐振电路
HiPerFRED
TM
二极管:
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
行业标准包装
- 焊引脚用于PCB安装
- 分离出铜基板
- UL注册,E 72873
典型应用
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1.9
2.1
4.5
0.8
200
80
50
680
30
6.0
4.0
3.8
350
2.4
6.5
0.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.35 K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
I
C
= 50 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
MWI
- 交流变频器
- 电源与功率因数
更正
MKI
- 电机控制
。直流电机的电枢绕组
。直流电动机的励磁绕组
。同步电机的励磁绕组
- 电源变压器初级绕组
。电源
。焊接
。 X-射线
。电池充电器
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
(每个IGBT )
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-4
451
MWI 50-12 E7
MKI 50-12 E7
二极管
符号
I
F25
I
F80
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
最大额定值
110
70
A
A
等效电路的仿真
传导
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
模块
符号
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
R
引脚芯片
d
S
d
A
R
thCH
重量
条件
I
F
= 50 A; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
F
= 50 A;迪
F
/ DT = -500 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
(每二极管)
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.6
40
200
2.6
V
V
A
ns
0.61 K / W
IGBT (典型值在V
GE
= 15 V ;牛逼
J
= 125°C)
V
0
= 0.95 V ;
0
= 24 m
续流二极管(典型值在T
J
= 125°C)
V
0
= 1.3 V ;
0
= 6 m
热响应
条件
操作
最大额定值
-40...+125
-40...+150
-40...+125
2500
2.7 - 3.3
°C
°C
°C
V~
Nm
I
ISOL
1毫安; 50/60赫兹
安装扭矩( M5 )
条件
IGBT (典型值)。
C
th1
= 0.22 J / K ;
th1
= 0.26 K / W
C
th2
= 1.74 J / K ;
th2
= 0.09 K / W
续流二极管( TYP。)
C
th1
= 0.151 J / K ;
th1
= 0.483 K / W
C
th2
= 1.003 J / K ;
th2
= 0.127 K / W
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
5
m
mm
mm
0.02
180
K / W
g
表面爬电距离
在空袭的距离
与复合散热器
6
6
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
版权所有2004 IXYS所有权利。
2-4
销5 ,6,7 , 8和15为MWI只
451
销5 ,6,7 , 8和15为MWI只
MWI 50-12 E7
MKI 50-12 E7
120
A
VGE = 17 V
15 V
13 V
11 V
100
I
C
I
C
120
A
100
80
60
VGE = 17 V
15 V
13 V
11 V
80
60
40
20
T
VJ
= 25°C
9V
9V
40
20
T
VJ
= 125°C
0
0
1
2
V
CE
0
3
V
4
0
1
2
V
CE
3
V
4
图。 1典型值。输出特性
图。 2典型。输出特性
160
A
I
C
V
CE
= 20 V
160
A
120
I
F
80
T
VJ
= 125°C
120
80
40
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
40
T
VJ
= 25°C
0
4
6
8
10
V
GE
0
12
V
14
0
1
2
V
F
V
3
图。 3典型。传输特性
图。 4
典型值。正向特性
续流二极管
300
ns
240
180
120
T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V
I
F
= 60 A
20
V
100
A
TRR
15
V
GE
80
I
RM
t
rr
60
10
40
5
V
CE
= 600 V
I
C
= 50 A
20
IRM
60
0
0
0
100
200
300
400
nC
500
Q
G
0
0
200
400
600
-di / dt的
MWI5012E7
800
A / μs的
1000
图。五
典型值。打开栅极电荷
图。 6
典型值。关闭的特点
续流二极管
451
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-4
MWI 50-12 E7
MKI 50-12 E7
20
mJ
TD (上)
100
ns
90
80
70
60
50
E
关闭
8
mJ
TD (关闭)
800
ns
600
t
16
E
on
6
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 22
T
VJ
= 125°C
12
8
4
tr
t
4
400
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 22
T
VJ
= 125°C
40
30
20
10
0
2
EOFF
tf
200
0
0
20
40
60
80
I
C
0
20
40
60
80
I
C
0
100
A
120
100 A
图。 7
典型值。开启能量和交换
时间与集电极电流
300
ns
250
200
150
t
E
关闭
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
12
mJ
1200
ns
1000
800
600
EOFF
15.0
mJ
12.5
E
on
10.0
7.5
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
VJ
= 125°C
TD (上)
10
8
6
4
2
0
0
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
VJ
= 125°C
TD (关闭)
t
5.0
2.5
0.0
0
20
40
60
80
R
G
tr
100
50
0
400
200
tf
100
120
20
40
60
80
R
G
100
120
0
图。 9
典型值。开启能量和交换
时间与栅极电阻
1
K / W
0.1
图10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
120
A
二极管
IGBT
100
I
CM
80
60
40
Z
thJC
0.01
单脉冲
0.001
20
0
0
R
G
= 22
T
VJ
= 125°C
200
400
600
800 1000 1200 1400
V
V
CE
0.0001
0.00001 0.0001 0.001
MWI5012E7
0.01
0.1
t
1
s 10
图。 11反向偏置安全工作区
RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
版权所有2004 IXYS所有权利。
4-4
451
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MWI50-12E7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MWI50-12E7
IXYS
2025+
26820
E2
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
MWI50-12E7
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24+
800
模块
授权分销 现货热卖
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联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
MWI50-12E7
IXYS/艾赛斯
24+
32883
MODULE
公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MWI50-12E7
IXYS
24+
10000
E2
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MWI50-12E7
IXYS
24+
3000
E2
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
MWI50-12E7
IXYS
500
主营模块可控硅
全新进口 现货库存 欢迎咨询洽谈
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MWI50-12E7
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MWI50-12E7
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MWI50-12E7
IXYS
24+
2158
IGBT
公司大量全新正品 随时可以发货
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电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
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