微
ELECTRO NICS
MWB51TA-DI
MWB51TB-DI
MWB51TK-DI
ULTRA HIGH
亮度
白光LED灯
描述
MWB51TX -DI是一种超高
亮度
的InGaN / GaN的白色LED灯封装
在一个直径5mm清澈透明镜片。
绝对最大额定值
功率耗散@大= 25℃
连续正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度（ 16"分之1从体）
光电特性
参数
正向电压
反向击穿电压
MWB51TA-DI
发光强度
(Ta=25°C)
典型值
3.5
最大
4.5
单位
V
V
MCD
MCD
MCD
度
度
度
125mW
30mA
5V
-20 + 80°C
-30至+ 100℃的
260 ℃下保持5秒。
条件
IF=20mA
IR=100A
3800
IF=20mA
MWB51TB-DI
3500
IF=20mA
MWB51TK-DI
1800
IF=20mA
MWB51TA-DI
20
IF=20mA
视角
MWB51TB-DI
30
IF=20mA
MWB51TK-DI
70
IF=20mA
色度坐标
0.30
IF=20mA
0.30
IF=20mA
小心
REV ：C
静态政治部和浪涌损坏发光二极管，这是推荐使用手腕带或防eletrostatic手套
处理LED时。所有器件，设备和机械必须正确接地。
MICRO ELECTRONICS LTD 。
7 /楼企业广场三期，九龙湾宏照道39号，九龙湾，九龙，香港。
联系电话： （ 852 ） 2343 0181传真： （ 852 ） 2341 0321网址： www.microelectr.com.hk
符号最小值
VF
BVR
5
IV
2500
IV
2000
IV
1000
2θ 1/2
2θ 1/2
2θ 1/2
x
y
15/8/2003
QQ：2880707522 复制
