飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC2220N
第0版， 9/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC2220N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用2000年至2200年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 80 mA时，
I
DQ2
= 300毫安， P
OUT
= 2瓦平均，全频段，信道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 13 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 -
-
50 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 20瓦CW
输出功率
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
'
20瓦CW
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦至5瓦
CW P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源散射的S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >3欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿带使能/
禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW7IC2220NR1
MW7IC2220GNR1
MW7IC2220NBR1
2110年至2170年兆赫， 2 W平均， 28 V 。
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE一八八六年至1801年
TO - 270 WB - 16
塑料
MW7IC2220NR1
CASE 1887至1801年
TO - 270 WB - 16 GULL
塑料
MW7IC2220GNR1
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW7IC2220NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
GND
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
V
DS1
静态电流
温度补偿
(1)
13
12
NC
GND
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +5
32, +0
- 65 + 150
150
225
20
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
2 W的魅力。
(P
OUT
= 2 W平均，外壳温度= 78 ° C）
20瓦的魅力。
(P
OUT
= 20瓦平均，外壳温度= 82 ° C）
符号
R
θJC
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 300毫安
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 300毫安
4.3
1.5
价值
(2,3)
单位
° C / W
4.3
1.25
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1
= 80 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 80 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
9.5
2
2.8
12.2
2.7
—
16.5
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2
= 300 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2
= 300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
—
205
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
7
0.2
2
2.7
8
0.39
2.7
—
12.5
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔宽带2110至2170年兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 300毫安，
P
OUT
= 2 W平均， F1 = 2112.5兆赫和f2 = 2167.5 MHz的单载波W- CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 18瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 2 W的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 20瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 20瓦CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 20瓦CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
PAE
ACPR
IRL
P1dB
IMD
符号
29
11
—
—
—
—
31
13
- 50
- 14
20
40
34
—
- 47
- 12
—
—
dB
%
dBc的
dB
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 300毫安，二一一○年至2170年兆赫
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
—
70
0.6
1.2
2.5
15
0.036
0.003
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
+
C26
V
DD2
V
DD1
C9
RF
输入
C10
1
2
3
4
5
6
C1
C2
7 NC
8
9
10
11 NC
C12
静态电流
温度
赔偿金
Z14
13
12
C21
C22
C23
C24
C25
NC
NC
NC
NC
14
Z5
DUT
16
15
Z13
C11
Z7
C13
Z9
RF
产量
C16
C17
C18
C19
C20
Z1
Z2
Z3
Z4
Z6
Z8
Z10
Z1
1
C15
C14
Z12
V
GG1
R1
C3
V
GG2
R2
C5
C4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C6
C7
C8
微带
微带
X 0.055 “锥
微带
微带
微带
微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13, Z14
PCB
0.263 “× 0.123 ”微带
0.125 “× 0.123 ”微带
0.280 “× 0.083 ”微带
0.373 “× 0.083 ”微带
0.364 “× 0.083 ”微带
0.564 “× 0.083 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
0.090″
2.107″
0.016″
0.106″
0.570″
0.204″
0.050″
x 0.083″
x 0.083″
x 0.083″
x 0.055″
x 0.322″
x 0.322″
x 0.322″
图3. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3
C4
C5, C6
C7, C9
C8, C10
C11, C12
C13
C14
C15, C16, C21
C17, C22
C18, C23
C19, C24
C20, C25
C26
R1, R2
描述
0.1 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
0.4 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
1.1 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
0.1
μF,
250 V贴片电容
6.8
μF,
50 V贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
10 k 1/4 W贴片电阻
产品型号
ATC100B0R1JT500XT
ATC100B8R2BT500XT
C4532X7R1H475KT
ATC100B0R4JT500XT
C3225Y5V1H106ZT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B0R3JT500XT
ATC100B0R8JT500XT
ATC100B1R1JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
C3216X7R2E104KT
C4532X7R1H685KT
C4532X7R1H475KT
C3225Y5V1H106ZT
477KXM063M
CRCW12061002FKEA
生产厂家
ATC
ATC
TDK
ATC
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
TDK
TDK
TDK
伊利诺伊州
日前，Vishay
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C26
C16
C17
C9
C18 C19 C20
切出区
C10
C11
C13
C12
C14
C23 C24
C15
C1
C5
MW7IC2220N
第0版
C6
V
GG1
C2 ，R1
C3 R2
C4
C7
C8
C25
C21
C22
图4. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
