飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC2020N
第0版， 1/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC2020N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1805年至2170年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制格式。
驱动器应用 - 2100兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
40毫安，我
DQ2
= 230毫安， P
OUT
= 2.4瓦的平均智商幅度裁剪，
信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
G
ps
（ dB）的
32.6
32.6
32.4
PAE
(%)
16.8
17.0
17.0
PAR输出
（ dB）的
7.7
7.6
7.5
ACPR
（ DBC）
--51.3
--51.4
--51.6
MW7IC2020NT1
1805-
-2170兆赫， 2.4 W平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫，P
OUT
= 33瓦
从额定P CW （3 dB输入过载
OUT
)
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
20瓦CW
驱动器应用 - 1800兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 230毫安， P
OUT
= 2.4瓦的平均智商幅度
裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5分贝
@ CCDF上0.01 ％的概率。
频率
1805兆赫
1840兆赫
1880兆赫
G
ps
（ dB）的
31.8
31.8
31.8
PAE
(%)
17.4
17.4
17.4
PAR输出
（ dB）的
7.6
7.7
7.7
ACPR
（ DBC）
--51.2
--50.2
--51.0
CASE 1894-
-01
PQFN 8x8的
塑料
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位的16毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
V
GS1
NC
V
GS2
NC
NC
NC
18
17
16
15
14
13
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(1)
NC
GND
RF
in
RF
in
GND
NC
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
1
2
3
4
5
6
24 23 22 21 20 19
7 8 9 10 11 12
NC
V
DS1
V
DS1
NC
NC
NC
NC
NC
RF
OUT
/V
DS2
RF
OUT
/V
DS2
NC
NC
V
DS1
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MW7IC2020NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
J
P
in
价值
--0.5, +65
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
37
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度84 ° C， 2.4 W CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 40毫安， 2140兆赫
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 230毫安， 2140兆赫
外壳温度92 ° C， 24瓦CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 40毫安， 2140兆赫
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 230毫安， 2140兆赫
符号
R
θJC
9.0
1.9
8.6
1.6
价值
(2,3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
A
III
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 12
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.0
—
6.2
2.0
2.9
6.9
3.0
—
7.7
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW7IC2020NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 75
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2
= 230 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2
= 230 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.75 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.0
—
4.7
0.1
2.0
2.8
5.5
0.3
3.0
—
6.2
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 230毫安， P
OUT
= 2.4 W平均，
F = 2140 MHz的单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量
在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
ACPR
IRL
31.0
16.0
—
—
32.6
17.0
--51.4
--12
36.0
—
--47.0
--10
dB
%
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 230毫安， P
OUT
= 2.4 W
平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 9瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
(2)
与2 kΩ的门馈电电阻（ -30至85°C ）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 2.4 W魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
第1阶段
第2阶段
G
ps
（ dB）的
32.6
32.6
32.4
符号
P1dB
IMD
符号
PAE
(%)
16.8
17.0
17.0
民
—
—
PAR输出
（ dB）的
7.7
7.6
7.5
典型值
20
25
ACPR
（ DBC）
--51.3
--51.4
--51.6
最大
—
—
IRL
（ dB）的
--14
--12
--11
单位
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 230毫安， 2110--2170 MHz带宽
VBW
水库
I
QT
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
—
—
90
0.00
3.70
0.2
0.045
0.004
—
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1.部分内部输入匹配。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静
电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用程序
注意事项 - AN1977 AN1987或。
（续）
MW7IC2020NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
典型性能 - 1800兆赫
（飞思卡尔在1800 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 230毫安，
P
OUT
。 = 2.4 W平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。 ACPR
在3.84 MHz信道带宽测量@
±5
MHz偏移。
频率
1805兆赫
1840兆赫
1880兆赫
G
ps
（ dB）的
31.8
31.8
31.8
PAE
(%)
17.4
17.4
17.4
PAR输出
（ dB）的
7.6
7.7
7.7
ACPR
（ DBC）
--51.2
--50.2
--51.0
IRL
（ dB）的
--13
--9
--6
MW7IC2020NT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG2
V
GG1
R2
C10 C11 C12
V
DD2
C3
C7
C8
R1
C1
C2
C9
MW7IC2020N
第0版
V
DD1
C4
C5
V
DD2
C6
C13 C14
C15
图3. MW7IC2020NT1测试电路元件布局
表6. MW7IC2020NT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C11, C14
C4, C9, C10, C13
C5
C6, C12, C15
C7
C8
R1, R2
PCB
描述
1.2 pF的，贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
33 pF的贴片电容
1.0
μF,
100 V贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.6 pF的贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
ATC600F1R2BT250XT
GRM31CR71H475KA12L
ATC600F330JT250XT
GRM31CR72A105KA01L
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B0R5BT500XT
ATC600F0R6BT250XT
CRCW12064K70FKEA
RO4350
生产厂家
ATC
村田
ATC
村田
村田
ATC
ATC
日前，Vishay
罗杰斯
MW7IC2020NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
