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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MW7IC008N
第1版, 9/2009
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC008N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配,使得它可以使用从100到1000兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作,并涵盖了所有典型的无线基站
站调制格式。
驱动器应用
典型CW性能: V
DD
= 28伏,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安
频率
100兆赫@ 11瓦CW
400兆赫@ 9瓦CW
900兆赫@ 6.5 W CW
G
ps
( dB)的
23.5
22.5
23.5
PAE
(%)
55
41
34
MW7IC008NT1
100 - 1000兆赫, 8 W峰值, 28 V
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
能够处理10 : 1 VSWR , @ 32 VDC , 900兆赫,P
OUT
= 6.5瓦CW
从额定P (3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5: 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦至8瓦CW
P
OUT
@ 900 MHz的
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
11瓦CW @ 100 MHz时,
9瓦CW @ 400兆赫, 6.5瓦CW @ 900 MHz的
特点
宽带,从单一匹配网络
20到1000兆赫
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位16毫米, 13英寸的卷轴。
CASE 1894至1801年
PQFN 8x8的
塑料
V
TTS1
V
TTS2
NC
静态电流
温度补偿
(1)
V
GS1
RF
inS1
V
GS2
RF
outS2
/V
DS2
V
GLS1
NC
NC
NC
RF
inS1
V
GS1
24 23 22 21 20 19
1
2
3
4
5
6
RF
outS1
/V
DS1
RF
inS2
NC
V
GS2
V
TTS2
18
17
16
15
14
13
7 8 9 10 11 12
V
TTS1
V
GLS2
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
RF
outS2
/V
DS2
RF
outS1
/V
DS1
RF
inS2
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ,
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ,
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司, 2009年。保留所有权利。
MW7IC008NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
工作结温
100 MHz的CW操作@ T
A
= 25°C
(3)
400 MHz的CW操作@ T
A
= 25°C
(3)
900 MHz的CW操作@ T
A
= 25°C
(3)
输入功率
100兆赫
400兆赫
900兆赫
P
in
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
J
CW
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +12
32, +0
- 65 + 150
150
11
6
5
27
23
38
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
W
W
W
DBM
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
(CW信号@ 100兆赫)
(外壳温度82 ° C,P
OUT
= 11瓦CW)
( CW信号@ 400兆赫)
(外壳温度87 ° C,P
OUT
= 9瓦CW)
( CW信号@ 900兆赫)
(外壳温度86 ° C,P
OUT
= 6.5 W CW)
符号
R
θJC
第一阶段, 28伏直流电,我
DQ1
= 25毫安
第二阶段, 28伏直流,我
DQ2
= 75毫安
第一阶段, 28伏直流电,我
DQ1
= 25毫安
第二阶段, 28伏直流,我
DQ2
= 75毫安
第一阶段, 28伏直流电,我
DQ1
= 25毫安
第二阶段, 28伏直流,我
DQ2
= 75毫安
5.3
4.9
价值
(1,2)
单位
° C / W
4.4
2.7
3.5
3.2
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
1B (最低)
A(最小)
III (最低)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.顺时针额定值在各个频率由一百年的MTTF要求的限制。见MTTF计算器(附注1中引用) 。
(续)
MW7IC008NT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏,V
DS
= 0伏)
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 5.3
μAdc )
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流,我
D
= 25 MADC ,测量功能测试)
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏,V
DS
= 0伏)
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 23
μAdc )
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流,我
D
= 75 MADC ,测量功能测试)
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 3.6 ADC)
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
1.3
2
0.1
2
2.7
0.3
2.8
3.5
1
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
1.3
2
2
2.8
2.8
3.5
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安, P
OUT
= 6.5 W CW , F = 900兆赫
G
ps
PAE
IRL
21.5
30
G
ps
( dB)的
23.5
22.5
23.5
23.5
34
- 15
PAE
(%)
55
41
34
31.5
- 11
dB
%
dB
IRL
( dB)的
- 20
- 17
- 15
(续)
典型的宽带性能
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安
频率
100兆赫@ 11瓦CW
400兆赫@ 9瓦CW
900兆赫@ 6.5 W CW
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
MW7IC008NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
特征
IMD对称性@ 6.8 W PEP ,P
OUT
其中, IMD三阶
`
30 dBc的
上,下之间(增量IMD三阶互调
边带> 2分贝)
VBW共振点
(1)
( IMD三阶互调拐点)
增益平坦度在500 - 1000 MHz带宽@ P
OUT
= 6 W的魅力。
增益随温度变化
( - 30 ° C至+ 85°C )
输出功率随温度变化
( - 30 ° C至+ 85°C )
符号
符号
IMD
符号
典型值
典型值
180
最大
最大
单位
单位
兆赫
典型的表演
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安, 100 - 1000 MHz带宽
VBW
水库
G
F
ΔG
ΔP1dB
210
1.35
0.024
0.005
兆赫
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型CW性能 - 100 MHz的
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安, P
OUT
= 11 W
CW , F = 100 MHz的
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点, CW
G
ps
PAE
IRL
P1dB
23.5
55
- 20
11
dB
%
dB
W
典型CW性能 - 400 MHz的
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安, P
OUT
= 9 W
CW , F = 400 MHz的
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点, CW
G
ps
PAE
IRL
P1dB
22.5
41
- 17
9
dB
%
dB
W
典型CW性能 - 900 MHz的
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1
= 25 mA时,我
DQ2
= 75毫安, P
OUT
= 6.5 W
CW , F = 900兆赫
功率增益
功率附加效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点, CW
1.估计数据。
G
ps
PAE
IRL
P1dB
23.5
34
- 15
6.5
dB
%
dB
W
MW7IC008NT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
DD1
V
GG2
GND
C17
R12
C16
C15
C14
L5
R8
C9
C8
C7
C5
R4
R5
R6
MW7IC008N
修订版1A
R7
L4
C4
L3
R2
R3
C6
C10
L7
L6
C13
R11
R10
R9
C12
V
DD2
C3
R1
C11
L2
L1
C2
C1
V
GG1
GND
图3. MW7IC008NT1测试电路元件布局
表6. MW7IC008NT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C15
C3, C16
C4, C5, C7, C8, C10,
C11, C12, C14
C6, C17
C9
C13
L1, L7
L2, L6
L3
L4, L5
R1, R12
R2, R3, R4
R5*, R9*
R6
R7, R11
R8
R10
PCB
*添加了温度补偿
描述
0.01
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
10
μF
贴片电容
0.01
μF
贴片电容
1
μF,
35 V钽电容器
2.2 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
150 nH的陶瓷片式电感器
180 nH的陶瓷片式电感器
1.6 nH的电感器
5.1 nH的电感器
510
Ω,
1/10 W贴片电阻
91
Ω,
1/8 W贴片电阻
0
Ω,
2.5芯片电阻器
10 KΩ 1/8 W码片电阻
12 KΩ 1/8 W码片电阻
43
Ω,
1/8 W贴片电阻
15 KΩ 1/8 W码片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM3195C1E103JA01
GRM219F51H104ZA01
GRM55DR61H106KA88L
C0805C103K5RAC
TAJA105K035R
ATC600S2R2CT250XT
ATC600S3R3BT250XT
LL2012- FHLR15J
LL2012- FHLR18J
0603HC- 1N6XJLW
0603HP- 5N1XJLW
RR1220P- 511 - B - T5
CRCW080591R0FKEA
CRCW08050000Z0EA
CRCW080510K0JNEA
CRCW080512K0JNEA
CRCW080543R0FKEA
CRCW080515K0JNEA
RO4350
生产厂家
村田
村田
村田
基美
AVX
ATC
ATC
TOKO
TOKO
Coilcraft公司
Coilcraft公司
日前,Vishay
日前,Vishay
日前,Vishay
日前,Vishay
日前,Vishay
日前,Vishay
罗杰斯
MW7IC008NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MW7IC008NT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MW7IC008NT1
NXP Semiconductors
2429+
2000
LQFP-64
代理NXP Semiconductors专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MW7IC008NT1
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联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
MW7IC008NT1
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联系人:朱
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联系人:小邹
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联系人:雷小姐
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