飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW4IC2020N
牧师9 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC2020N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1600年至2400年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至28伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制格式。
最终的应用
典型的两个 - 音频性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
200毫安，我
DQ3
= 300毫安， P
OUT
= 20瓦PEP ，全频段
功率增益 - 29分贝
IMD - - 32 dBc的
漏极效率 - 26 ％ （在1805兆赫）和20 ％ （在1990年兆赫）
驱动器应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
230毫安，我
DQ3
= 230毫安， P
OUT
= 5瓦平均，全频段
功率增益 - 29分贝
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 66 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 77 dBc的
EVM - 1 ％ RMS
典型的CDMA性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
240毫安，我
DQ3
= 250毫安， P
OUT
。 = 1瓦的魅力，全频波段， IS - 95
CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，信道频带 -
宽度= 1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 30分贝
ACPR @ 885 kHz偏置= - 61 dBc的30 kHz带宽
ALT1 @ 1.25 MHz偏移= - 69 dBc的12.5 kHz带宽
ALT2 @ 2.25 MHz偏移= - 59 dBc的1 MHz带宽
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1990兆赫， 8瓦CW
输出功率
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦至8 W CW P
OUT
.
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的温度补偿与启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
V
RD1
V
RG1
V
DS2
V
DS1
MW4IC2020NBR1
MW4IC2020GNBR1
1805- 1990兆赫， 20 W， 26 V
GSM / GSM EDGE，CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW4IC2020NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW4IC2020GNBR1
GND
V
DS2
V
RD1
V
RG1
V
DS1
3阶段我
C
RF
in
V
DS3
/ RF
OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
14
V
DS3/
RF
OUT
RF
in
V
GS1
V
GS2
V
GS3
静态电流
温度补偿
V
GS1
V
GS2
V
GS3
GND
13
12
GND
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 +175
200
20
单位
VDC
VDC
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
第1阶段
第2阶段
第三阶段
符号
R
θJC
价值
(1)
10.5
5.1
2.3
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C5 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔宽带1805年至1990年兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 200毫安，
I
DQ3
= 300毫安， P
OUT
= 20瓦PEP ， F1 = 1990兆赫， F2 = 1990.1 MHz和F1 = 1805兆赫， F2 = 1805.1兆赫，两个 - 音频CW
功率增益
漏EF网络效率
F1 = 1805兆赫， F2 = 1805.1兆赫
F1 = 1990兆赫， F2 = 1990.1兆赫
输入回波损耗
互调失真
G
ps
η
D
27
24
18
—
—
29
26
20
—
- 32
- 10
- 27
dB
dBc的
—
—
dB
%
IRL
IMD
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 200毫安，我
DQ3
= 300毫安，
1805 MHz<Frequency<1990兆赫， 1 - 音
饱和脉冲输出功率
（ F = 1 kHz时，占空比10 ％ ）
在整个温度范围静态电流精度（ - 10 85°C ）
(2)
增益平坦度在30 MHz带宽@ P
OUT
= 1 W CW
从线性相位偏差在30 MHz带宽@ P
OUT
= 1 W CW
1805- 1880兆赫
1930- 1990年兆赫
延迟@ P
OUT
= 1 W CW可提供输出匹配
部分 - 到 - 部分相位变化@ P
OUT
= 1 W CW
P
SAT
ΔI
QT
G
F
Φ
—
—
—
—
±0.5
±0.2
—
—
1.8
±10
—
—
33
±5
0.15
—
—
—
—
W
%
dB
°
延迟
ΦΔ
ns
°
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1977 。
（续）
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的CDMA表演
（在修改CDMA测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流电，
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
= 240 mA时，我
DQ3
= 250毫安，
P
OUT
。 = 1 W的魅力， I1930 MHz<Frequency<1990兆赫， 1 - 音， 9通道正向模型（先导，寻呼，同步，交通守则8 13 ） 。
峰值/平均。比9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比（ ± 885千赫在30 kHz带宽）
备用1道功率比（ ± 1.25兆赫12.5 kHz带宽）
备用2信道功率比（ ± 2.25兆赫在1 MHz带宽）
G
ps
η
D
ACPR
ALT1
ALT2
—
—
—
—
—
30
5
- 61
- 69
- 59
—
—
—
—
—
dB
%
dBc的
dBc的
dBc的
典型的GSM EDGE表演
（在修改GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ1
= 80 mA时，
I
DQ2
= 230 mA时，我
DQ3
= 230毫安， P
OUT
= 5 W平均， 1805 MHz<Frequency<1990兆赫
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
29
15
1
- 66
- 77
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
D2
+
V
D1
+
C1
RF
输入
Z1
C7
V
G1
V
G2
V
G3
R1
R2
C4
R3
C6
Z2
6
C10
7 NC
8
9
10
11
静态电流
温度补偿
C11
C12
C2
C5
1
2
3 NC
4 NC
5
DUT
16
NC 15
C8
Z9
+
C3
V
D3
14
Z3
C9
Z4
Z5
Z6
Z7
C13 C14
Z8
RF
产量
NC 13
12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
1.820 “× 0.087 ”微带
0.245 “× 0.087 ”微带
0.345 “× 0.236”微带
0.327 “× 0.087 ”微带
0.271 “× 0.087 ”微带
Z6
Z7
Z8
Z9
PCB
0.303 “× 0.087 ”微带
0.640 “× 0.087 ”微带
0.334 “× 0.087 ”微带
1.231 “× 0.043 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图3. MW4IC2020NBR1 （ GNBR1 ）测试电路原理图
表6. MW4IC2020NBR1 （ GNBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3
C4
C5, C6, C8
C7
C9, C11
C10
C12
C13
C14
R1, R2, R3
描述
10
μF,
35 V钽电容器
220 nF的贴片电容（ 1206 ）
6.8 pF的100B贴片电容
0.5 pF的100B贴片电容
1.8 pF的100B贴片电容
2.2 pF的100B贴片电容
1 pF的100B贴片电容
0.3 pF的100B贴片电容
10 pF的100B贴片电容
1.8千瓦的贴片电阻（ 1206 ）
产品型号
TAJE226M035
12065C224K28
100B6R8CW
100B0R5BW
100B1R8BW
100B2R2BW
100B1R0BW
100B0R3BW
100B100GW
生产厂家
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C2
V
D2
V
D1
MW4IC2020
REV 1
C3
C8
C5
V
D3
C1
C6
C14
C7
C9
C10
C4
V
G1
R1
R2
V
G2
R3
V
G3
GND
C11 C12
C13
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MW4IC2020NBR1 （ GNBR1 ）测试电路元件布局
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
