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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1475页 > MV2101G
MMBV2101LT1系列,
MV2105 , MV2101 , MV2109 ,
LV2209
首选设备
硅调谐二极管
这些设备在流行的塑料封装的高设计
FM收音机的音量需求和电视调谐和亚冠,一般
频率控制和调谐应用。它们提供固态
可靠性在更换机械调谐方法。还
可在一个表面贴装封装高达33 pF的。
特点
http://onsemi.com
6.8-100 PF, 30伏
可变电压
容二极管
3
阴极
SOT23
2
阴极
1
阳极
1
阳极
高Q值
控制和统一调谐比
标准电容容差 - 10 %
完整的典型的设计曲线
无铅包可用
最大额定值
等级
反向电压
正向电流
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
MMBV21xx
减免上述25℃
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
MV21xx
LV2209
T
J
T
英镑
符号
V
R
I
F
P
D
225
1.8
280
2.8
+150
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
价值
30
200
单位
VDC
MADC
1
2
3
TO92
记号
图表
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
风格8
XXX M
G
G
1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
XXX =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
MMBV21xx , MV21xx
LV2209
反向电压漏电流
(V
R
= 25伏直流,T
A
= 25°C)
二极管电容温度合作
高效(V
R
= 4.0伏, F = 1.0兆赫)
符号
V
( BR )R
30
25
I
R
TC
C
280
0.1
MADC
PPM /°C的
典型值
最大
单位
VDC
1
2
TO-92 (TO- 226AC )
CASE 182
风格1
yy
yyyy
AYWW
G
G
YYYYYY =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号:
MMBV2101LT1/D
MMBV2101LT1系列, MV2105 , MV2101 , MV2109 , LV2209
C
T
,二极管电容
V
R
= 4.0伏, F = 1.0 MHz的
pF
设备
MMBV2101LT1
MMBV2101LT1G
MMBV2101L
MV2101
MV2101G
MMBV2103LT1
MMBV2105LT1
MMBV2105LT1G
MMBV2105L
MV2105
MV2105G
MMBV2107LT1
MMBV2107LT1G
MMBV2107L
MMBV2108LT1
MMBV2108LT1G
LV2209
MMBV2109LT1
MMBV2109LT1G
MMBV2109L
MV2109
MV2109G
记号
M4G
M4G
M4G
MV2101
MV2101
4H
4U
4U
4U
MV2105
MV2105
4W
4W
4W
4X
4X
LV2209
4J
4J
4J
MV2109
MV2109
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
TO92
TO92
(无铅)
SOT23
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
TO92
TO92
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
SOT23
(无铅)
TO92
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
TO92
TO92
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
散装(注1 )
1000元盒
1000元盒
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
散装(注1 )
1000元盒
1000元盒
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
散装(注1 )
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1000元盒
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
散装(注1 )
1000元盒
1000元盒
6.1
6.1
6.1
6.1
6.1
9.0
13.5
13.5
13.5
13.5
13.5
19.8
19.8
19.8
24.3
24.3
29.7
29.7
29.7
29.7
29.7
29.7
6.8
6.8
6.8
6.8
6.8
10
15
15
15
15
15
22
22
22
27
27
33
33
33
33
33
33
最大
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
11
16.5
16.5
16.5
16.5
16.5
24.2
24.2
24.2
29.7
29.7
36.3
36.3
36.3
36.3
36.3
36.3
Q,优异的图
V
R
= 4.0伏,
F = 50MHz的
典型值
450
450
450
450
450
400
400
400
400
400
400
350
350
350
300
300
200
200
200
200
200
200
TR ,调谐比
C
2
/C
30
F = 1.0 MHz的
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
典型值
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
1.
MMBV2101LT1 , MMBV2105LT1 , MMBV2107LT1通MMBV2109LT1 ,
可以在本体提供。使用的设备名称和删除“T1”
后缀订购任何散装这些设备的时候。
参数测试方法
1. C
T
,二极管电容
(C
T
= C
C
+ C
J
). C
T
利用电容的测量是在1.0兆赫
桥( Boonton的电子型号75A或同等学历)。
2, TR ,调谐比
( Boonton的电子模型33AS8或同等学历)。使用铅
[
1/16″.
4. TC
C
,二极管电容温度
系数
TR为C的比
T
在2.0伏直流电测量划分为C
T
在30伏直流电测量。
3. Q,品质因数
TC
C
通过比较保证
T
在V
R
= 4.0伏, F = 1.0
兆赫,T
A
= -65 ℃,用C
T
在V
R
= 4.0伏, F = 1.0兆赫,T
A
= + 85 ℃,在以下等式中,其中定义的TC
C
:
TCC
+
CT ( ) 85°C ) - CT ( -65 ° C)
106
·
85
)
65
CT(25°C)
Q值通过取导纳的G和C的读数计算
桥在指定的频率,而代以在
下面的等式:
Q
+
2pfC
G
精度受限的C测量
T
to
±0.1
pF的。
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2
MMBV2101LT1系列, MV2105 , MV2101 , MV2109 , LV2209
典型器件特性
1000
500
(C T) ,二极管电容(PF )
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
MMBV2109LT1/MV2109
MMBV2105LT1/MV2105
MMBV2101LT1/MV2101
T
A
= 25°C
F = 1.0 MHz的
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容与反向电压
1.040
归一化二极管电容
I R ,反向电流( NA)
1.030
1.020
1.010
1.000
0.990
0.980
0.970
0.960
75
50
归一化到C
T
在T
A
= 25°C
V
R
= (曲线)
25
0
+25
+50
+75
T
J
,结温( ° C)
+100
+125
V
R
= 4.0伏
V
R
= 30 V直流
V
R
= 2.0伏
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
T
A
= 75°C
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
0
5.0
10
15
20
25
30
V
R
,反向电压(伏)
图2.归二极管电容与
结温
5000
3000
2000
Q,优异的图
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
10
3.0
5.0
7.0
V
R
,反向电压(伏)
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2109LT1
Q,优异的图
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
30
10
10
图3.反向电流与反向偏置
电压
MMBV2101LT1/MV2101
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
20
T
A
= 25°C
V
R
= 4.0伏
20
MMBV2109LT1/MV2109
30
50
70
100
男,频率(MHz)
200
250
图4.图奖金与反向电压的
图5.图奖金与频率
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3
MMBV2101LT1系列, MV2105 , MV2101 , MV2109 , LV2209
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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4
MMBV2101LT1系列, MV2105 , MV2101 , MV2109 , LV2209
包装尺寸
TO-92 (TO- 226AC )
案例182-06
ISSUE L
A
B
座位
飞机
R
D
K
L
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
0.250
0.080
0.105
0.050
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
6.35
2.03
2.66
1.27
2.93
3.43
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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5
P
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
MMBV2101LT1/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MV2101G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MV2101G
onsemi
24+
10000
TO-92
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MV2101G
ONS
24+
8420
TO-92
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MV2101G
ON
25+23+
25500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MV2101G
ON
22+
11000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
MV2101G
ONS
2024+
9675
TO-92
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MV2101G
ON Semiconductor
24+
22000
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电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
MV2101G
ON/安森美
22+
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