MURS320T3 ， MURS340T3 ， MURS360T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
MURS320T3
200
MURS340T3
400
MURS360T3
600
单位
V
3.0 @ T
L
= 140°C
4.0 @ T
L
= 130°C
3.0 @ T
L
= 130°C
4.0 @ T
L
= 115°C
75
3.0 @ T
L
= 130°C
4.0 @ T
L
= 115°C
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻，结到铅
R
qJL
11
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 3.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 3.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS ，恢复至1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.89
0.71
i
R
5.0
150
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
75
50
50
ns
10
250
10
250
ns
1.25
1.28
1.05
1.25
1.28
1.05
mA
V
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2
MURS320T3 ， MURS340T3 ， MURS360T3
MURS320T3
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
1.0
20
40
60
T
J
= 175°C
IR ，反向电流（
m
A)
T
J
= 100°C
3.0
T
J
= 175°C
I F ，正向电流（安培）
100°C
2.0
T
J
= 25°C
25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.7
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
I
（容性负载）
PK
+
20
I
5.0
10
0.5
0.3
AV
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.功耗
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
dc
施加额定电压
R
qJL
= 11 ° C / W
T
J
= 175°C
C，电容（pF ）
200
典型电容在0 V = 135 pF的
100
80
60
40
30
20
图4.电流降额，案例
图5.典型电容
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3
MURS320T3 ， MURS340T3 ， MURS360T3
MURS340T3 ， MURS360T3
5.0
IR ，反向电流（
m
A)
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
0.5
100
200
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
T
J
= 175°C
3.0
T
J
= 175°C
2.0
I F ，正向电流（安培）
100°C
T
J
= 100°C
25°C
1.0
0.7
T
J
= 25°C
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
I
I
（容性负载）
方波
dc
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
0.1
0.07
0.05
PK
+
20
AV
10
5.0
0.03
0.02
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.功耗
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
C，电容（pF ）
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
典型电容在0 V = 75 pF的
图9.电流降额，案例
图10.典型电容
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4
MURS320T3 ， MURS340T3 ， MURS360T3
包装尺寸
SMC
塑料包装
CASE 403-03
版本D
S
A
D
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
4. 403-01 THRU -02陈旧，新标准
40303.
英寸
DIM MIN
最大
A
0.260
0.280
B
0.220
0.240
C
0.075
0.095
D
0.115
0.121
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.305
0.320
MILLIMETERS
民
最大
6.60
7.11
5.59
6.10
1.90
2.41
2.92
3.07
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
7.75
8.13
C
J
H
K
P
焊接足迹*
4.343
0.171
3.810
0.150
2.794
0.110
尺度4:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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