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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MURS320T3 / D
表面贴装
超快功率整流器
。 。 。国家的最先进的采用外延建设与氧化物钝化
和金属覆盖层接触。非常适用于高电压,高频率
整改,或续流和保护二极管,表面贴装
应用紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
小型紧凑型表面贴装封装,带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
低正向压降( 0.71 1.05伏特最大@ 3.0 A, TJ = 150 ° C)
MURS320T3
MURS360T3
摩托罗拉的首选设备
超高速整流器
3.0安培
200-600伏
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量: 217毫克(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的: 260℃
马克斯。为10秒
运16毫米磁带和卷轴, 2500单位每卷
极性:缺口在塑体表示阴极引线
标记: U3D , U3J
最大额定值
MURS
R I
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下半,
单相, 60赫兹)
工作结温
S B升
符号
VRRM
VRWM
VR
IF ( AV )
IFSM
320T3
200
CASE 403-03
360T3
600
U I
单位
3.0 @ TL = 140℃
4.0 @ TL = 130℃
75
3.0 @ TL = 130℃
4.0 @ TL = 115℃
安培
安培
TJ
*
65至+175
11
°C
热特性
热阻,结领导
R
θJL
° C / W
电气特性
最大正向电压( 1 )
( IF = 3.0 A, TJ = 25 ° C)
( IF = 4.0 A, TJ = 25 ° C)
( IF = 3.0 A, TJ = 150 ° C)
最大瞬时反向电流( 1 )
(额定直流电压, TJ = 25°C )
(额定直流电压, TJ = 150 ° C)
最大反向恢复时间
( IF = 1.0 A, di / dt的= 50 A / μs)内
( IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC 0.25 A)
最大正向恢复时间
( IF = 1.0 A, di / dt的= 100 A / μs的,恢复至1.0 V)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
vF
0.875
0.89
0.71
iR
5.0
15
TRR
35
25
TFR
25
75
50
50
ns
10
250
ns
1.25
1.28
1.05
A
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉,
设备
1
MURS320T3 MURS360T3
IR ,反向电流(
m
A)
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
1.0
20
40
60
TJ = 175℃
TJ = 100℃
3.0
TJ = 175℃
I F ,正向电流(安培)
2.0
100°C
TJ = 25°C
25°C
80
100
120
140
160
180 200
VR ,反向电压(伏)
图2.典型的反向电流*
0.7
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可估计从这些相同的曲线,如果VR是足够低于
额定VR 。
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
方波
dc
I
(容性负载)
PK
I
0.5
0.3
AV
+
20
10
5.0
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
VF ,瞬时电压(伏)
图1.典型正向电压
图3.功耗
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
TC ,外壳温度( ° C)
方波
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ,反向电压(伏)
dc
施加额定电压
R
q
JC = 11 ° C / W
TJ = 175℃
C,电容(pF )
200
典型电容在0 V = 135 pF的
100
80
60
40
30
20
图4.电流降额,案例
图5.典型电容
2
整流设备数据
MURS320T3 MURS360T3
5.0
IR ,反向电流(
m
A)
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
0.5
100
200
300
400
500
600
700
VR ,反向电压(伏)
TJ = 175℃
3.0
TJ = 175℃
2.0
I F ,正向电流(安培)
100°C
TJ = 100℃
25°C
1.0
0.7
TJ = 25°C
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
I
I
(容性负载)
方波
dc
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可估计从这些相同的曲线,如果VR是足够低于
额定VR 。
0.1
0.07
0.05
PK
AV
+
20
10
5.0
0.03
0.02
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
VF ,瞬时电压(伏)
图6.典型正向电压
图8.功耗
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
TC ,外壳温度( ° C)
方波
dc
C,电容(pF )
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ,反向电压(伏)
典型电容在0 V = 75 pF的
图9.电流降额,案例
图10.典型电容
整流设备数据
3
MURS320T3 MURS360T3
包装尺寸
S
A
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
英寸
DIM MIN
最大
A
0.260
0.280
B
0.220
0.240
C
0.075
0.095
D
0.115
0.121
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.305
0.320
MILLIMETERS
最大
6.60
7.11
5.59
6.10
1.90
2.41
2.92
3.07
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
7.75
8.13
D
B
C
J
H
K
P
CASE 403-03
问题B
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心: 1-800-521-6274
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页:
http://motorola.com/sps/
日本:
日本摩托罗拉有限公司: SPD ,战略规划办公室, 4-32-1 ,
西五反田,品川区,东京141 ,日本。 81-3-5487-8488
4
整流设备数据
MURS320T3/D
MURS320T3 , MURS340T3 ,
MURS360T3
首选设备
表面贴装
超快功率整流器
该系列产品采用国家最先进的外延与建设
氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合高
电压,高频率的整改,或续流和
保护二极管,表面贴装应用中,紧凑的尺寸
和重量都对系统的关键。
特点
http://onsemi.com
小型紧凑型表面贴装封装,带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高度稳定的氧化钝化结
低正向压降
( 0.71 1.05伏特最大@ 3.0 A,T
J
= 150°C)
无铅包可用
机械特性
超快
整流器
3.0安培
200-600伏
SMC
CASE 403
塑料
案例:环氧树脂,模压
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
重量: 217毫克(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
运16毫米磁带和卷轴, 2500单位每卷
极性:缺口在塑体表示阴极引线
器件符合MSL1要求
ESD额定值:
机器型号,C ( > 400 V )
人体模型, 3B ( > 8000 V)
标记图
AYWW
U3x
U3 =具体设备守则
X = D,G或J
A =大会地点
Y =年
WW =工作周
订购信息
设备
MURS320T3
MURS320T3G
MURS340T3
MURS340T3G
MURS360T3
MURS360T3G
SMC
SMC
(无铅)
SMC
SMC
(无铅)
SMC
SMC
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 修订版6
出版订单号:
MURS320T3/D
MURS320T3 , MURS340T3 , MURS360T3
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FSM
MURS320T3
200
MURS340T3
400
MURS360T3
600
单位
V
3.0 @ T
L
= 140°C
4.0 @ T
L
= 130°C
3.0 @ T
L
= 130°C
4.0 @ T
L
= 115°C
75
3.0 @ T
L
= 130°C
4.0 @ T
L
= 115°C
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻,结到铅
R
qJL
11
° C / W
电气特性
最大正向电压(注1 )
(i
F
= 3.0 A,T
J
= 25°C)
(i
F
= 4.0 A,T
J
= 25°C)
(i
F
= 3.0 A,T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流(注1 )
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
(额定直流电压,T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A, di / dt的= 50 A / MS)
(i
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
REC
0.25 A)
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A, di / dt的= 100 A / MS ,恢复至1.0 V)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.89
0.71
i
R
5.0
150
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
75
50
50
ns
10
250
10
250
ns
1.25
1.28
1.05
1.25
1.28
1.05
mA
V
http://onsemi.com
2
MURS320T3 , MURS340T3 , MURS360T3
MURS320T3
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
1.0
20
40
60
T
J
= 175°C
IR ,反向电流(
m
A)
T
J
= 100°C
3.0
T
J
= 175°C
I F ,正向电流(安培)
100°C
2.0
T
J
= 25°C
25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
,反向电压(伏)
图2.典型的反向电流*
0.7
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
方波
dc
I
(容性负载)
PK
+
20
I
5.0
10
0.5
0.3
AV
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压(伏)
图1.典型正向电压
图3.功耗
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
T
C
,外壳温度( ° C)
方波
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
dc
施加额定电压
R
qJL
= 11 ° C / W
T
J
= 175°C
C,电容(pF )
200
典型电容在0 V = 135 pF的
100
80
60
40
30
20
图4.电流降额,案例
图5.典型电容
http://onsemi.com
3
MURS320T3 , MURS340T3 , MURS360T3
MURS340T3 , MURS360T3
5.0
IR ,反向电流(
m
A)
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
0.5
100
200
300
400
500
600
700
V
R
,反向电压(伏)
T
J
= 175°C
3.0
T
J
= 175°C
2.0
I F ,正向电流(安培)
100°C
T
J
= 100°C
25°C
1.0
0.7
T
J
= 25°C
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
I
I
(容性负载)
方波
dc
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线来估算若V
R
足够低于
为V
R
.
0.1
0.07
0.05
PK
+
20
AV
10
5.0
0.03
0.02
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
v
F,
瞬时电压(伏)
图6.典型正向电压
图8.功耗
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
10
9.0
8.0
C,电容(pF )
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
T
C
,外壳温度( ° C)
方波
dc
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
典型电容在0 V = 75 pF的
图9.电流降额,案例
图10.典型电容
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4
MURS320T3 , MURS340T3 , MURS360T3
包装尺寸
SMC
塑料包装
CASE 403-03
版本D
S
A
D
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
4. 403-01 THRU -02陈旧,新标准
40303.
英寸
DIM MIN
最大
A
0.260
0.280
B
0.220
0.240
C
0.075
0.095
D
0.115
0.121
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.305
0.320
MILLIMETERS
最大
6.60
7.11
5.59
6.10
1.90
2.41
2.92
3.07
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
7.75
8.13
C
J
H
K
P
焊接足迹*
4.343
0.171
3.810
0.150
2.794
0.110
尺度4:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:曾先生
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