MURS230T3 ， MURS240T3
首选设备
表面贴装
超快功率整流器
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
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特点
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.95伏特最大值@ 2.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
超高速整流器
2安培， 300-400伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MURS230T3
MURS240T3
平均正向电流整流
@ T
L
= 150°C
@ T
L
= 125°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
35
A
价值
单位
V
300
400
A
SMB
CASE 403A
标记图
AYWW
U2x
G
G
T
J
-65到+175
°C
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = F的MURS230T3
= G的MURS240T3
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
Y
WW
U2x
=
=
=
=
热特性
等级
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
最大
13
单位
° C / W
订购信息
设备
MURS230T3
MURS230T3G
MURS240T3
MURS240T3G
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 修订版5
出版订单号：
MURS230T3/D
MURS230T3 ， MURS240T3
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
1.30
1.05
i
R
5.0
150
t
rr
65
50
t
fr
50
ns
ns
mA
价值
单位
V
10
7.0
5.0
10
7.0
5.0
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
毫安）
我，正向电流（
F
3.0
175°C
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
0.3
0.2
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.02
0.01
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
v
F,
瞬时电压（伏）
0.01
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
http://onsemi.com
2
MURS230T3 ， MURS240T3
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
50
100
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
50
100
IR ，反向电流（
毫安）
T
J
= 175°C
IR ，反向电流（
毫安）
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
150
200
250
300
350
400
150
200
250
300
350
400
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图3.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
30
25
C，电容（pF ）
20
15
10
5
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 26 pF的
35
30
C，电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
0
4
图4.最大反向电流*
注意：最大
电容
0 V = 30 pF的
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
图5.典型电容
图6.最大电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
施加额定电压
R
qJL
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5
T
J
= 175°C
4
3
方波
dc
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
2
图7.电流降额，案例
图8.功耗
http://onsemi.com
3
MURS230T3 ， MURS240T3
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
b
D
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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