MURS205T3 ， MURS210T3
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
0.94
0.74
i
R
2.0
50
t
rr
30
20
t
fr
20
ns
ns
mA
价值
单位
V
10
7.0
5.0
10
7.0
5.0
3.0
I
F
，正向电流（安培）
2.0
175°C
100°C
I
F
，正向电流（mA）
3.0
2.0
175°C
100°C
1.0
0.7
0.5
T
C
= 25°C
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
25°C
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.02
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
v
F,
瞬时电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
http://onsemi.com
2
MURS205T3 ， MURS210T3
100
I
R
，反向电流（毫安）
T
J
= 175°C
10
I
R
，反向电流（毫安）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 25°C
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
0.01
0
20
40
60
80
V
R
，反向电压（伏）
100
图3.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的最高电压
装置中的电压分组。典型的反向电流
用于较低电压的选择可以从这些估计
同样的曲线，如果采用V
R
被充分地低于额定V
R
.
图4.最大反向电流*
50
45
C，电容（pF ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 44 V
50
45
C，电容（pF ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
注意：最大
电容
0 V = 47 V
图5.典型电容
I
F（ AV）
平均正向电流（ AMPS ）
P
F,
平均功耗（瓦）
图6.最大电容
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
80
90
方波
100 110 120 130 140 150 160 170 180
T
C
，外壳温度（ ° C）
dc
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
4
3.5
3
2.5
2
方波
1.5
1
dc
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
图7.电流降额，案例
图8.功耗
http://onsemi.com
3
MURS205T3 ， MURS210T3
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
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为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MURS205T3/D
MURS205T3 ， MURS210T3
首选设备
表面贴装
超快功率整流器
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
http://onsemi.com
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.74伏特最大值@ 2.0 A，T
J
= 150°C)
超高速整流器
2安培
50-100伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
极性：极性频带表示阴极引线
标记： U2A ， U2B
SMB
CASE 403A
X = A（ 205T3 ）
B（ 210T3 ）
记号
图
U2x
订购信息
设备
MURS205T3
MURS210T3
包
SMB
SMB
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年9月 - 修订版0
出版订单号：
MURS205T3/D
MURS205T3 ， MURS210T3
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
205T3
50
210T3
100
单位
伏
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
50
安培
安培
T
J
*65
到+175
°C
热特性
热阻，结领导
(T
L
= 25°C)
R
θJL
13
° C / W
电气特性
最大正向电压（ 1 ）
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs）内
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，建议。 1.0 V）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
v
F
0.94
0.74
i
R
2.0
50
t
rr
30
20
t
fr
20
ns
ns
A
伏
http://onsemi.com
2
MURS205 THRU MURS210
50V-100V
表面贴装超快功率整流器
2.0A
特点
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.74 V最大@ 2.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MURA205T3
MURA210T3
平均正向电流整流
@ T
L
= 150°C
@ T
L
= 125°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
1.0
2.0
I
FSM
50
A
价值
单位
V
50
100
A
订购信息
设备
MURS205T3
MURS205T3G
MURS210T3
MURS210T3G
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
T
J
-60到+175
°C
热特性
特征
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
最大
13
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 2.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
符号
v
F
0.94
0.74
i
R
2.0
50
t
rr
30
20
t
fr
20
ns
ns
mA
价值
单位
V
电子信箱： sales@taychipst.com
1第3
网站： www.taychipst.com
MURS205 THRU MURS210
50V-100V
表面贴装超快功率整流器
2.0A
10
7.0
5.0
10
7.0
5.0
3.0
I
F
，正向电流（安培）
2.0
175°C
100°C
I
F
，正向电流（ μA ）
3.0
2.0
175°C
100°C
1.0
0.7
0.5
T
C
= 25°C
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
25°C
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.02
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
v
F,
瞬时电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图2.最大正向电压
100
I
R
，反向电流（ μA ）
T
J
= 175°C
10
I
R
，反向电流（ μA ）
100
T
J
= 175°C
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 25°C
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（伏）
0.01
0
20
40
60
80
V
R
，反向电压（伏）
100
图3.典型的反向电流*
图4.最大反向电流*
电子信箱： sales@taychipst.com
2 3
网站： www.taychipst.com
MURS205 THRU MURS210
50V-100V
表面贴装超快功率整流器
2.0A
50
45
C，电容（pF ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 44 V
50
45
C，电容（pF ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
注意：最大
电容
0 V = 47 V
图5.典型电容
I
F（ AV）
平均正向电流（ AMPS ）
P
F,
平均功耗（瓦）
图6.最大电容
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
80
90
方波
100 110 120 130 140 150 160 170 180
T
C
，外壳温度（ ° C）
dc
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
4
3.5
3
2.5
2
方波
1.5
1
dc
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
图7.电流降额，案例
图8.功耗
电子信箱： sales@taychipst.com
3 3
网站： www.taychipst.com
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