MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
http://onsemi.com
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培， 50-600伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05 V最大@ 1.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
SMB
CASE 403A
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYWW
U1x
G
G
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = A，B ， C，D ，G或J
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
Y
WW
U1
=
=
=
=
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 8版本
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流（浪涌应用
在额定负载条件下半，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
*65
到+175
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MURS
等级
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
105T3
110T3
115T3
13
120T3
140T3
160T3
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS105T3G
MURS110T3
MURS110T3G
MURS115T3
MURS115T3G
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
U1J
U1G
U1D
U1C
U1B
U1A
记号
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
2500单位/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
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3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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4
MURS120T3系列
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
b
D
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MURS120T3/D
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
http://onsemi.com
超高速整流器
1.0安培， 50-600伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05 V最大@ 1.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
SMB
CASE 403A
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
标记图
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
AYWW
U1x
G
G
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = A，B ， C，D ，G或J
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
Y
WW
U1
=
=
=
=
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
9牧师
1
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流（浪涌应用
在额定负载条件下半，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
*65
到+175
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MURS
等级
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
v
F
105T3
110T3
115T3
13
120T3
140T3
160T3
单位
° C / W
V
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
0.875
0.71
2.0
50
35
25
25
1.25
1.05
5.0
150
75
50
50
i
R
mA
t
rr
ns
t
fr
ns
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS105T3G
MURS110T3
MURS110T3G
MURS115T3
MURS115T3G
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
U1J
U1G
U1D
U1C
U1B
U1A
记号
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
0.5
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
0.5
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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4
MURS120T3系列
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
ISSUE摹
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
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电话：
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销售代表
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5
MURS120T3/D
AND8098/D
低成本百毫安
高电压降压和
降压 - 升压型应用NCP1052
Kahou黄：编制
安森美半导体
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应用说明
介绍
本应用笔记介绍了低成本高电压
采用NCP1052通过百毫安非隔离电源
降压和降压 - 升压拓扑结构。的NCP1052是一个
与最新的低成本开关控制器集成的700 V /
安森美半导体300毫安电源开关。这是
主要用于隔离的10 W-范围的反激式
转换器。如果不需要隔离，该IC还可以使用
作为步进式降压和降压 - 升压转换器
进一步的成本节约通过去除光耦和更换
该变压器由一个电感器。输出电流能力
为100毫安。可能的操作范围是从输入范围
20伏和5.0 V 700伏直流输出范围或间
以上用100毫安。大约65 ％的典型效率
在12 V降压演示板获得。
所提出的电路的优点包括：
相比于反激式，降压和降压 - 升压消除
光耦合器和由电感为替换变压器
节约成本。
降压和降压 - 升压提供更小的电压应力
切换比较反激式。它最大限度地减少了
开关损耗和增加效率。
NCP105x可以从高输入功率可达自身
电压为20伏和700伏之间广泛。
它不需要额外的电源电路。
NCP105x工作在44 ，100，或136千赫兹，并
适应低成本的组件，如铝
电解电容和供电，铁芯磁性。
NCP105x具有频率抖动功能，可降低
电磁推理（EMI）。
NCP105x提供的热和短路故障
保护。
简单的设计，因为没有控制环路补偿
关注。
建议的降压和降压 - 升压转换器非常
彼此相似。其主要区别是，降压
提供正输出电压，但降压 - 升压提供
一个负的输出电压指的是输入接地。
工作原理
图1示出了所提出的降压和降压 - 升压
转换器。整流电路，它由电容器的
C
3
和二极管D
3
是在对AC或DC输入前端
电压。然后， NCP1052是自供电向上从
整流后的输入电压可以直接与Ⅴ
CC
电容C
2
.
当IC内部的开关被打开，有一个电压
跨越漏极（ D）和集成电路的源极（S ）引脚。如果此电压
大于20V时，内部电流源I
开始
= 6.3毫安
（典型值）在IC内部收费全部由C
2
而在C中的电压
2
建
向上为IC的操作。相比较于切换
频率，在V
CC
电压电平是在一个较低的频率
7.5-8.5 V磁滞回线。这款V
CC
磁滞回线是用于
频率抖动功能，以最大限度地减少电磁干扰和
短路故障定时功能。
D
2
Z
2
FB
D
V
CC
C
2
（一）巴克
D
2
Z
2
FB
D
V
CC
C
3
C
2
（二）降压 - 升压
S
D
1
C
1
D
L
R
1
C
Z
1
产量
S
D
1
C
1
R
1
L
D
3
输入
C
3
D
C
Z
1
产量
D
3
输入
图1.提出的电路采用NCP1052
在图2a中应注意的是，在降压拓扑结构中，输入
通过跨越的路径电压上电的IC
电感器L和电容器C.该充电路径传递
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年6月 - 第1版
出版订单号：
AND8098/D
AND8098/D
在非隔离拓扑结构，如降压或降压 - 升压，
该电路的主要目的，对CCM 。在CCM
突发模式的波形是不同的，以在PWM波形
图由于这个特点5 ，突发模式要求
电感电流，以更高的峰值有
平均电感电流（或输出的同一水平
电流）。
V
OUT
V
CC
FB电流
时间
输出波形有足够大V
CC
电容
突发模式
V的理想水平
OUT
V
CC
PWM
V
OUT
时间
输出波形过小V
CC
电容
在突发模式图5 CCM电感电流
与传统的PWM控制
如图4和图5的突发模式控制产生
进行比较来切换低频波形
频率。的功率损耗在该低频部分
成为噪音。因此，突发模式控制
不适合高功率应用，如以上
20 W.
V
CC
电容
与电路图6.启动方案
足够大或过小V
CC
电容
实际上， NCP1052消耗大约0.5
毫安在正常的操作。有关故障的采样时间
反馈信号从8.5 V到7.5V 。因此，
-3
C
+
I DT
+
0.5 10
·采样时间
1
dV
+
0.5 10 3 ·采样时间
（公式4），
在V
CC
电容C
2
是让关键部件
电路工作在正常模式和故障模式。该装置
识别故障状态时，没有任何反馈
在从V时电流在FB引脚
CC
= 8.5 V至
7.5 V的V
CC
电容器直接影响这个持续时间。
在正常模式中，V
CC
遵循8.5 V- 7.5 V- 8.5 V
磁滞回线。当电路处于故障模式中，V
CC
遵循8.5 V- 7.5 V- 4.5 V - 8.5 V磁滞回线。该
设备保持其MOSFET开通，除了从时间
V
CC
= 8.5 V至7.5 V ，并提供电源的少量
在故障模式下的输出。
进入故障常见的和极端的情况是
启动。该MOSFET开始在V开关
CC
首先是
充电到8.5 V和因此输出电压上升。输出
电压需要一定的时间，以从构建的输出电压
0 V至所希望的值。当所要求的水平为止，一
反馈电流流入设备停止它的开关。
如果反馈电流为V之前确定
CC
到达
7.5V时，电路将保持在正常模式。否则，该
电路将进入故障模式，并且不能提供
输出电压在其期望的电平。因此，在V
CC
电容需要足够大，以保证有足够的时间
对于V
CC
从8.5 V将7.5 V至采样反馈
电流启动。
例如，如果采样时间或启动瞬变是
设计为20毫秒， 10
F
V
CC
需要电容。
感应器
在NCP1052 300 mA电流限制测量
用条件，即di / dt的到达300毫安在4
s.
当
降压或降压 - 升压电路是专为通用交流
输入电压（85到265伏交流）时，整流的输入电压将
有可能高达375伏。为了保持4
s
条件下，电感值将是5毫亨由（5）和（6） 。
对于降压，
di
+
VIN
*
VOUT
[
VIN
dt
L
L
（当量5）
对于降压 - 升压，
di
+
VIN
dt
L
（当量6）
在5毫亨实际上太高，因此不是很
实用。因此，电感器基本上是由选
市面上出售的电感模型，其为具有正常
较小的电感（但也不能太小） 。它必须有足够的
饱和电流电平（ >300毫安） 。如果电感太大
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4
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
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非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培
50-600伏
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05伏特最大@ 1.0 A，
T
J
= 150°C)
SMB
CASE 403A
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYW
U1x
U1
x
A
Y
W
=器件代码
=
A，B ， C，D ，G或按J
= Assembley位置
=年
=工作周
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版7
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不im-
可能会发生合股，破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
R
qJL
13
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS110T3
MURS115T3
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
记号
U1A
U1B
U1C
U1D
U1D
U1G
U1G
U1J
U1J
包
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MURS120T3 / D
表面贴装
超快功率整流器
非常适用于高电压，高频率的整改，或免费
续流和保护二极管表面贴装应用中，紧凑型
尺寸和重量都对系统的关键。
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05伏特最大@ 1.0 A， TJ = 150 ° C）
MURS120T3
MURS160T3
摩托罗拉的首选设备
超高速整流器
1.0安培
200-600伏
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端信息是
随手可焊
铅和安装表面焊接温度的目的： 260℃
马克斯。为10秒
运12毫米磁带和卷轴， 2500单位每卷
极性：缺口在塑体表示阴极引线
标记： U1D ， U1J
最大额定值
MURS
等级
R I
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
符号
S B升
VRRM
VRWM
VR
IF （ AV ）
IFSM
120T3
200
CASE 403A -03
160T3
600
单位
U I
伏
1.0 @ TL = 155℃
2.0 @ TL = 145℃
40
1.0 @ TL = 150℃
2.0 @ TL = 125°C
35
安培
安培
TJ
*
65至+175
13
°C
热特性
热阻，结领导
（ TL = 25℃）
R
θJL
° C / W
电气特性
最大正向电压（ 1 ）
（IF = 1.0 A， TJ = 25 ° C）
（ IF = 1.0 A， TJ = 150 ° C）
最大瞬时反向电流（ 1 ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
（额定直流电压， TJ = 150 ° C）
最大反向恢复时间
（ IF = 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs）内
（ IF = 0.5 A， IR = 1.0 A， IR为0.25 A ）
最大正向恢复时间
（ IF = 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，记录至1.0 V）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
vF
0.875
0.71
iR
2.0
50
TRR
35
25
TFR
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
A
伏
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
整流器器
公司1996年
数据
摩托罗拉，
设备
1
MURS120T3 MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
TJ = 175℃
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
TC = 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
80
100
120
140
160
180 200
VR ，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VF ，瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VR ，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可估计从这些相同的曲线，如果施加VR是足够
低于额定VR 。
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
TC ，外壳温度（ ° C）
方波
dc
施加额定电压
R
q
JC = 13 ° C / W
TJ = 175℃
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
TJ = 175℃
4.0
（容性负载）
PK
I
I
5.0
3.0
AV
+
20
10
2.0
dc
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
2
整流设备数据
MURS120T3 MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
TC = 25°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
TJ = 175℃
TJ = 100℃
TJ = 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
VR ，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可估计从这些相同的曲线，如果施加VR是足够
低于额定VR 。
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
VR ，反向电压（伏）
VF ，瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
TC ，外壳温度（ ° C）
方波
dc
施加额定电压
R
q
JC = 13 ° C / W
TJ = 175℃
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
（容性负载）
I
PK
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
+
3.0
TJ = 175℃
2.0
dc
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
整流设备数据
3
MURS120T3 MURS160T3
包装尺寸
S
A
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
D
B
C
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
K
P
J
H
CASE 403A -03
问题B
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心： 1-800-521-6274
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页：
http://motorola.com/sps/
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 4-32-1 ，
西五反田，品川区，东京141 ，日本。 81-3-5487-8488
4
整流设备数据
MURS120T3/D
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
http://onsemi.com
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培
50-600伏
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05伏特最大@ 1.0 A，
T
J
= 150°C)
SMB
CASE 403A
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYW
U1x
U1
x
A
Y
W
=器件代码
=
A，B ， C，D ，G或按J
= Assembley位置
=年
=工作周
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版7
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不im-
可能会发生合股，破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
R
qJL
13
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS110T3
MURS115T3
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
记号
U1A
U1B
U1C
U1D
U1D
U1G
U1G
U1J
U1J
包
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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