MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
http://onsemi.com
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培， 50-600伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05 V最大@ 1.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
SMB
CASE 403A
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYWW
U1x
G
G
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = A，B ， C，D ，G或J
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
Y
WW
U1
=
=
=
=
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 8版本
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流（浪涌应用
在额定负载条件下半，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
*65
到+175
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MURS
等级
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
105T3
110T3
115T3
13
120T3
140T3
160T3
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS105T3G
MURS110T3
MURS110T3G
MURS115T3
MURS115T3G
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
U1J
U1G
U1D
U1C
U1B
U1A
记号
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
2500单位/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
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3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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4
MURS120T3系列
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
b
D
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MURS120T3/D
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
http://onsemi.com
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培
50-600伏
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05伏特最大@ 1.0 A，
T
J
= 150°C)
SMB
CASE 403A
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYW
U1x
U1
x
A
Y
W
=器件代码
=
A，B ， C，D ，G或按J
= Assembley位置
=年
=工作周
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版7
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不im-
可能会发生合股，破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
R
qJL
13
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS110T3
MURS115T3
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
记号
U1A
U1B
U1C
U1D
U1D
U1G
U1G
U1J
U1J
包
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
http://onsemi.com
超高速整流器
1.0安培， 50-600伏
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05 V最大@ 1.0 A，T
J
= 150°C)
无铅包可用
SMB
CASE 403A
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
标记图
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
AYWW
U1x
G
G
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = A，B ， C，D ，G或J
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
A
Y
WW
U1
=
=
=
=
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
9牧师
1
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流（浪涌应用
在额定负载条件下半，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
*65
到+175
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MURS
等级
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
符号
R
qJL
v
F
105T3
110T3
115T3
13
120T3
140T3
160T3
单位
° C / W
V
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
0.875
0.71
2.0
50
35
25
25
1.25
1.05
5.0
150
75
50
50
i
R
mA
t
rr
ns
t
fr
ns
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS105T3G
MURS110T3
MURS110T3G
MURS115T3
MURS115T3G
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
U1J
U1G
U1D
U1C
U1B
U1A
记号
包
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
0.5
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
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3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
I F ，正向电流（安培）
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
0.5
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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4
MURS120T3系列
包装尺寸
SMB
CASE 403A -03
ISSUE摹
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应测量WITHIN维P.
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
L1
民
1.90
0.05
1.96
0.15
3.30
4.06
5.21
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.13
2.45
0.10
0.20
2.03
2.20
0.23
0.31
3.56
3.95
4.32
4.60
5.44
5.60
1.02
1.60
0.51 REF
民
0.075
0.002
0.077
0.006
0.130
0.160
0.205
0.030
英寸
喃
0.084
0.004
0.080
0.009
0.140
0.170
0.214
0.040
0.020 REF
最大
0.096
0.008
0.087
0.012
0.156
0.181
0.220
0.063
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
A
L
L1
c
A1
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MURS120T3/D
MURS120T3系列
首选设备
表面贴装超快
电源整流器
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ，
MURS120T3 ， MURS140T3 ， MURS160T3
http://onsemi.com
非常适用于高电压，高频率的整改，或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中，紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
特点
超高速整流器
1.0安培
50-600伏
无铅包可用
小型紧凑型表面贴装封装，带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降（ 0.71 1.05伏特最大@ 1.0 A，
T
J
= 150°C)
SMB
CASE 403A
机械特性
案例：环氧树脂，模压
重量： 95毫克（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
极性：极性频带表示阴极引线
标记图
AYW
U1x
U1
x
A
Y
W
=器件代码
=
A，B ， C，D ，G或按J
= Assembley位置
=年
=工作周
订购信息
查看详细的订购和发货信息在桌子上
本数据手册的第2页。
器件标识信息
见一般标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版7
出版订单号：
MURS120T3/D
MURS120T3系列
最大额定值
MURS
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下
半波，单相， 60赫兹）
工作结温
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
105T3
50
110T3
100
115T3
150
120T3
200
140T3
400
160T3
600
单位
V
1.0 @ T
L
= 155°C
2.0 @ T
L
= 145°C
40
1.0 @ T
L
= 150°C
2.0 @ T
L
= 125°C
35
A
A
T
J
*65
到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不im-
可能会发生合股，破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
热阻，结到铅
(T
L
= 25°C)
R
qJL
13
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A，T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(i
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
R
0.25 A）
最大正向恢复时间
(i
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / ms的，建议。 1.0 V）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
v
F
0.875
0.71
i
R
2.0
50
t
rr
35
25
t
fr
25
75
50
50
ns
5.0
150
ns
1.25
1.05
mA
V
设备标记和订购信息
设备
MURS105T3
MURS110T3
MURS115T3
MURS120T3
MURS120T3G
MURS140T3
MURS140T3G
MURS160T3
MURS160T3G
记号
U1A
U1B
U1C
U1D
U1D
U1G
U1G
U1J
U1J
包
SMB
SMB
SMB
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
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2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MURS120T3系列
MURS105T3 ， MURS110T3 ， MURS115T3 ， MURS120T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
5.0
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0.002
0
20
40
60
T
J
= 175°C
3.0
175°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
T
C
= 25°C
1.0
0.7
0.5
100°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
0.3
0.2
50
0.1
45
0.07
C，电容（pF ）
0.05
40
35
30
25
20
15
10
0.01
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v
F,
瞬时电压（伏）
5.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
，反向电压（伏）
注：典型
电容
0 V = 45 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
0.03
0.02
图1.典型正向电压
图3.典型电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
T
J
= 175°C
4.0
（容性负载）
PK
+
20
I
I
10
5.0
3.0
AV
2.0
DC
方波
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图4.电流降额，案例
图5.功耗
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3
MURS120T3系列
MURS140T3 ， MURS160T3
10
IR ，反向电流（
m
A)
7.0
175°C
5.0
100°C
3.0
T
C
= 25°C
我，正向电流（安培）
F
2.0
400
200
80
40
20
8.0
4.0
2.0
0.8
0.4
0.2
0.08
0.04
0.02
0.008
0.004
0
100
200
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
1.0
0.7
0.5
300
400
500
600
700
V
R
，反向电压（伏）
图7.典型的反向电流*
0.3
0.2
25
0.1
0.07
0.05
C，电容（pF ）
20
注：典型
电容
0 V = 24 pF的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
电压分组。典型的反向电流低电压的选择
可以从这些相同的曲线进行估计，如果施加V
R
充分
以下为V
R
.
15
0.03
0.02
10
5.0
0.01
0.3 0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
V
R
，反向电压（伏）
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.典型的电容
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
DC
施加额定电压
R
QJC
= 13 ° C / W
T
J
= 175°C
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
5.0
（容性负载）
I
PK
+
20
I
10
5.0
方波
4.0
AV
3.0
T
J
= 175°C
2.0
DC
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图9.电流降额，案例
图10.功耗
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