SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4855 ， Rev.-
MURC405-MURC460
MURC405-MURC460
超快硅芯片
应用范围：
开关电源
通用
续流二极管
极性保护
二极管
产品特点：
玻璃钝化
外延建设。
低反向漏电流
高浪涌电流能力
低正向压降
快速反向恢复特性
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
MURC
405
50
MURC
410
100
MURC
415
150
MURC
420
200
MURC
440
400
MURC
460
600
单位
V
A
A
最大额定值：
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均整流器前向编
电流（方波）
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半
波，单相， 60Hz）的
马克斯。结电容@V
R
= 5V,
T
C
= 25
°C,
f
SIG
= 1MHz时， V
SIG
= 50mV的（ π-π ）
经营JunctionTemperature和存储
温度
4.0 @ T
A
= 80°C
125
4.0 @ T
A
= 40°C
110
C
T
T
J,
T
英镑
100
-65到+175
40
pF
°C
电气特性：
特征
马克斯。正向电压（注1）
(I
F
= 3.0安培，T
J
= 150
°C)
(I
F
= 3.0安培，T
J
= 25
°C)
(I
F
= 4.0安培，T
J
= 25
°C)
马克斯。瞬时反向电流（注1）
（额定直流电压，T
J
= 150
°C)
（额定直流电压，T
J
= 25
°C)
马克斯。反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50A / μs）内
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0 A，I
REC
=0.25A)
马克斯。正向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 100 A / μs的，
恢复到1.0 V）
1.
符号
V
F
MURC
405
MURC
410
MURC
415
MURC
420
MURC
440
MURC
460
单位
V
0.71
0.88
0.89
150
5
35
25
25
1.05
1.25
1.28
250
10
75
50
50
A
nS
I
R
t
rr
T
fr
nS
脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%
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尺寸以英寸（毫米）
顶面金属化：
艾尔 - 25 KA最小或
钛/镍/银 - 30 KA最低
阳极
B一
底侧的金属化：
钛/镍/银 - 30 KA最低。
底侧是阴极，顶侧是阳极。
阳极
C
阴极
模具类型
(1)
面积（万
2
)
SI P -N芯片
65 x 65
公差为± 0.003 “ （ 0.076毫米）
(2)
公差为± 0.001 “英寸（0.025mm ）
尺寸A
(1)
英寸（毫米）的
0.065 (1.651)
维B
(1)
英寸（毫米）的
0.049 (1.254)
维C
(2)
英寸（毫米）的
0.009 (0.229)
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
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设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
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MURC405 ， MURC410 ， MURC415 ， MURC420
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