SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4861 ， Rev.-
MURC1510-MURC1560
MURC1510-MURC1560
超快硅芯片
应用范围：
开关电源
通用
续流二极管
极性保护
二极管
产品特点：
玻璃钝化
外延建设。
低反向漏电流
高浪涌电流能力
低正向压降
快速反向恢复特性
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
MURC
1510
100
MURC
1515
150
MURC
1520
200
MURC
1540
400
MURC
1560
600
15 @ T
C
=
145°C
30 @ T
C
=
145°C
150
单位
V
A
A
A
最大额定值：
特征
峰值反向电压
平均整流器前向编
电流（额定V
R
)
峰值正向整流
电流（额定V
R
，方波， 20
千赫）
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
8.3毫秒，半正弦脉冲
经营JunctionTemperature和
储存温度
15 @ T
C
= 150°C
30 @ T
C
= 150°C
200
T
J,
T
英镑
-65到+175
°C
电气特性：
特征
符号
MURC
1510
MURC
1515
MURC
1520
MURC
1540
MURC
1560
单位
马克斯。瞬时正向电压
(Note1)
(I
F
= 15安培，T
J
= 150
°C)
(I
F
= 15安培，T
J
= 25
°C)
马克斯。瞬时反向电流
(Note1)
（额定直流电压，T
C
= 150
°C)
（额定直流电压，T
C
= 25
°C)
马克斯。结电容
@V
R
= 5V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz时， V
SIG
= 50mV的（ π-π ）
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50A / μs）内
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0 A，I
REC
=0.25A)
1.
V
F
0.85
1.05
I
R
500
10
C
T
t
rr
240
500
10
1000
10
1.12
1.25
1.20
1.50
V
A
pF
nS
35
25
60
50
脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2%
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尺寸以英寸（毫米）
阳极
B一
顶面金属化：
艾尔 - 25 KA最小或
钛/镍/银 - 30 KA最低
底侧的金属化：
钛/镍/银 - 30 KA最低。
底侧是阴极，顶侧是阳极。
阳极
C
阴极
模具类型
面积（万
2
)
SI P -N芯片
120 x 120
公差为± 0.003 “ （ 0.076毫米）
(2)
公差为± 0.001 “英寸（0.025mm ）
(1)
尺寸A
(1)
英寸（毫米）的
0.120 (3.048)
维B
(1)
英寸（毫米）的
0.094 (2.388)
维C
(2)
英寸（毫米）的
0.010 (0.254)
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
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设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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值超过绝对最大额定值。
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