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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2532页 > MURB820TRLPBF
VS- MURB820PbF , VS- MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超快整流器, 8的FRED铂
特点
VS-MURB820PbF
VS-MURB820-1PbF
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
BASE
阴极
2
2
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
符合RoHS指令2002/95 / EC
AEC- Q101标准
1
N / C
3
阳极
1
N / C
3
阳极
说明/应用
MUR ..系列是最先进的超快恢复状态
整流器专门优化的性能设计
的正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间
控制,保证了最佳的整体性能,
耐用性和可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的SMPS , UPS , DC - DC转换器的阶段,以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
D
2
PAK
TO-262
产品概述
t
rr
I
F( AV )
V
R
25纳秒
8A
200 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 150 °C
总的设备,为V
R
, T
C
= 150 °C
测试条件
马克斯。
200
8
100
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 μA
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
25
8.0
马克斯。
-
0.975
0.895
5
250
-
-
μA
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
文档编号: 94081
修订: 11 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1
VS- MURB820PbF , VS- MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
8一个FRED铂
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ,二
F
/ DT = 50 A / μs的,V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
REC
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
20
34
1.7
4.2
23
75
马克斯。
35
25
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻,
结到外壳
热阻,
结到环境
热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面,平整,光滑,
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
3.0
50
-
-
-
12
(10)
MURB820
MURB820-1
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94081
修订: 11 -MAR- 10
VS- MURB820PbF , VS- MURB820-1PbF
超快整流器,
8一个FRED铂
I
F
- 正向电流(A )
100
100
日前,Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流( μA )
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
10
1
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
50
100
150
200
250
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
F
- 正向压降( V)
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容(pF )
100
T
J
= 25 °C
10
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
.
1
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94081
修订: 11 -MAR- 10
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3
VS- MURB820PbF , VS- MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
180
超快整流器,
8一个FRED铂
50
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
允许外壳温度( ℃)
170
40
t
rr
(纳秒)
160
方波( D = 0.50 )
为V
R
应用的
DC
30
150
20
140
见注( 1 )
130
0
3
6
9
12
10
100
1000
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
10
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
200
V
R
= 160 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
平均功耗( W)
8
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
160
Q
rr
( NC )
6
120
4
80
2
DC
0
0
3
6
40
9
12
0
100
1000
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
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4
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文档编号: 94081
修订: 11 -MAR- 10
VS- MURB820PbF , VS- MURB820-1PbF
超快整流器,
8一个FRED铂
V
R
= 200 V
日前,Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号: 94081
修订: 11 -MAR- 10
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www.vishay.com
5
MURB820PbF/MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
8一个FRED铂
TM
特点
MURB820PbF
MURB820-1PbF
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
BASE
阴极
2
设计和合格的AEC Q101等级
2
说明/应用
MUR ..系列是最先进的超快恢复状态
整流器专门的性能优化设计
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制,
保证最佳的整体性能,耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的SMPS , UPS , DC - DC转换器的阶段,以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
1
N / C
3
阳极
1
N / C
3
阳极
D
2
PAK
TO-262
产品概述
t
rr
I
F( AV )
V
R
25纳秒
8A
200 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 150 °C
总的设备,为V
R
, T
C
= 150 °C
测试条件
马克斯。
200
8
100
16
- 65 175
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
C
T
L
S
I
R
= 100 A
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
25
8.0
马克斯。
-
0.975
0.895
5
250
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 94081
修订: 05 09月08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MURB820PbF/MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
8一个FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ,二
F
/ DT = 50 A / μs的,V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
REC
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
20
34
1.7
4.2
23
75
马克斯。
35
25
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻,
结到外壳
热阻,
结到环境
热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面,平整,光滑,
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
3.0
50
-
-
-
12
(10)
MURB820
MURB820-1
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94081
修订: 05 09月08
MURB820PbF/MURB820-1PbF
超快整流器,
8一个FRED铂
TM
I
F
- 正向电流(A )
100
100
日前,Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流( μA )
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
0.1
10
1
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
50
100
150
200
250
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
F
- 正向压降( V)
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容(pF )
100
T
J
= 25 °C
10
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
10
1
P
DM
0.1
单脉冲
(热电阻)
0.01
0.00001
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
.
1
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 94081
修订: 05 09月08
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3
MURB820PbF/MURB820-1PbF
日前,Vishay高功率产品
180
超快整流器,
8一个FRED铂
TM
50
V
R
= 160
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
允许外壳温度( ℃)
170
40
t
rr
(纳秒)
9
12
160
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
DC
30
150
20
140
见注( 1 )
130
0
3
6
10
100
1000
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
10
200
V
R
= 160
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 16 A
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
平均功耗( W)
8
RMS限制
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
160
Q
rr
( NC )
6
120
4
80
2
DC
0
0
3
6
40
9
12
0
100
1000
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
(1)
式中: T = - ( PD +钯
C
J
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
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4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94081
修订: 05 09月08
MURB820PbF/MURB820-1PbF
超快整流器,
8一个FRED铂
TM
V
R
= 200
V
日前,Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
曲线定义
by
t
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号: 94081
修订: 05 09月08
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