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MURB1620CT/MURB1620CT-1
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
2× 8的FRED铂
TM
特点
MURB1620CT
MURB1620CT-1
超快恢复时间
低正向压降
低漏电流
175 ° C的工作结温
BASE
常见
阴极
2
BASE
常见
阴极
2
设计和工业级合格
说明/应用
MUR ..系列是最先进的超快恢复状态
整流器专门的性能优化设计
正向压降和超快恢复时间。
平面结构和铂掺杂寿命时间控制,
保证最佳的整体性能,耐用性和
可靠性的特点。
这些设备被设计用于输出整流用
的SMPS , UPS , DC - DC转换器的阶段,以及
在低电压逆变器和斩波续流二极管
电机驱动器。
他们非常优化的存储电荷和低恢复
电流最小化开关损耗和降低了
耗散在开关元件和缓冲电路。
1
2
3
阳极
2
1
2
3
阳极
2
共阳极
1阴极
共阳极
1阴极
D
2
PAK
TO-262
产品概述
t
rr
I
F( AV )
V
R
25纳秒
2x8A
200 V
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
每腿
设备总
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
I
FM
T
J
, T
英镑
为V
R
,方波, 20千赫,T
C
= 150 °C
测试条件
马克斯。
200
8.0
为V
R
, T
C
= 150 °C
16
100
16
- 65 175
°C
A
单位
V
每腿非重复峰值浪涌电流
每腿重复峰值正向电流
工作结温和存储温度
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压,
阻断电压
正向电压
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 A
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A,T
J
= 150 °C
V
R
= V
R
评级
T
J
= 150 C ,V
R
= V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
25
8.0
马克斯。
-
0.975
0.895
5
250
-
-
A
pF
nH
V
单位
反向漏电流
结电容
串联电感
I
R
C
T
L
S
文档编号: 93940
修订: 7月28日 - 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
MURB1620CT/MURB1620CT-1
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
2× 8的FRED铂
TM
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ,二
F
/ DT = 50 A / μs的,V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
REC
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 8 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 160 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
20
34
1.7
4.2
23
75
马克斯。
35
25
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻,
结每腿区分
热阻,
每个路口站到环境
热阻,
案件散热器
重量
安装力矩
打标设备
案例D型
2
PAK
机箱样式TO- 262
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面,平整,光滑,
脂润滑
测试条件
分钟。
- 65
-
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
0.5
2.0
0.07
-
马克斯。
175
3.0
50
-
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
° C / W
单位
°C
MURB1620CT
MURB1620CT-1
www.vishay.com
2
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文档编号: 93940
修订: 7月28日 - 08
MURB1620CT/MURB1620CT-1
超快整流器,
2× 8的FRED铂
TM
日前,Vishay高功率产品
100
100
反向电流 - I
R
(μA)
10
T J = 175℃
150C
1
125C
100C
0.1
25C
0.01
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0.001
T = 175℃
J
0
50
100
150
200
250
T
J
= 150C
T
J
= 25C
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
结电容 - C
T
(PF )
1
中T = 25℃
J
100
0.1
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
正向电压下降 - V
F
(V)
1.8
10
1
10
100
1000
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 典型正向压降特性
图。 3 - 典型结电容与反向电压
10
( ° C / W)
1
热阻抗Z
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
注意事项:
thJC
P
DM
t1
t2
0.1
单脉冲
(热电阻)
1.占空比系数D = T1 /吨2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号: 93940
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MURB1620CT/MURB1620CT-1
日前,Vishay高功率产品
超快整流器,
2× 8的FRED铂
TM
60
180
允许外壳温度( ℃)
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
I
F
=
8
A
50
170
DC
150
WAVE
(D = 0.50)
评级
Vr
应用的
TRR ( NS )
160
40
30
140
见注( 1 )
20
130
0
3
6
9
12
10
100
平均正向电流 - I
F
(AV)
(A)
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
1000
di
F
/ DT ( A / μs)内
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
200
10
平均功耗(瓦)
V
R
= 160V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
160
8
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
I
F
= 30 A
I
F
= 15 A
I
F
=
8
A
4
RMS限制
DC
QRR ( NC )
6
120
80
2
40
0
0
3
6
9
12
0
100
di
F
/ DT ( A / μs)内
平均正向电流 - I
F
(AV)
(A)
1000
图。 6 - 正向功率损耗特性
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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超快整流器,
2× 8的FRED铂
TM
V
R
= 200
V
日前,Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
曲线定义
by
t
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号: 93940
修订: 7月28日 - 08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MURB1620CTTRL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MURB1620CTTRL
Vishay
2025+
26820
TO-263-3
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MURB1620CTTRL
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
TO-263AB(D2PAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MURB1620CTTRL
IR
24+
9634
TO263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MURB1620CTTRL
IR
2024
18000
TO263
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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MURB1620CTTRL
IR
2024
18000
TO263
原装现货上海库存,欢迎咨询
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MURB1620CTTRL
IR
22+
32570
TO263
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
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MURB1620CTTRL
IR/ON
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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▲10/11+
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贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:刘先生
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MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductors
㊣10/11+
8132
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电话:0755-83035139
联系人:陈小姐
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MURB1620CTTRL
IR
01
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