MURA105T3 , MURA110T3
首选设备
表面贴装
超快功率整流器
非常适用于高电压,高频率的整改,或
续流和保护二极管表面贴装应用
其中,紧凑的尺寸和重量是对系统的关键。
小型紧凑型表面贴装封装,带J-弯信息
矩形包装的自动化处理
高温玻璃钝化结
低正向压降( 0.66伏特最大值@ 1.0 A,T
J
= 150°C)
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机械特性:
超高速整流器
1安培
50-100伏
案例:环氧树脂,模压
体重:70毫克(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的:
260 ° C最大。为10秒
运12毫米磁带和卷轴, 5000单位每卷
极性:极性频带表示阴极引线
ESD保护:人体模型> 4000 V( 3级)
ESD保护:
机器型号> 400 V ( C类)
标记: U4A , U4B
记号
图
SMA
CASE 403D
塑料
U4x
X = A( 105T3 )
B( 110T3 )
订购信息
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MURA105T3
MURA110T3
平均正向电流整流
@ T
L
= 155°C
@ T
L
= 135°C
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下
半波,单相, 60赫兹)
工作结温范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
1.0
2.0
I
FSM
50
A
价值
单位
V
50
100
A
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
设备
MURA105T3
MURA110T3
包
SMA
SMA
航运
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
T
J
- 65
+175
°C
半导体元件工业有限责任公司, 2003
1
2003年1月 - 第3版
出版订单号:
MURA105T3/D
MURA105T3 , MURA110T3
热特性
特征
热阻,结到铅(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
符号
PSI
JL
(注2 )
R
θJA
最大
24
216
单位
° C / W
电气特性
最大正向电压(注3 )
(i
F
= 1.0 A,T
J
= 25°C)
(i
F
= 1.0 A,T
J
= 150°C)
最大瞬时反向电流(注3 )
(额定直流电压,T
J
= 25°C)
(额定直流电压,T
J
= 150°C)
最大反向恢复时间
(i
F
= 1.0 A, di / dt的= 50 A / μs)内
v
F
0.875
0.66
i
R
2.0
50
t
rr
30
ns
A
伏
1.等级适用面安装在推荐, PC板FR - 4的最小焊盘尺寸时。
2.在符合JEDEC 51 ,这些值(历史上以R表示
θJL
)现在引用为幽
JL
.
3.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
100
I
R
,反向电流(毫安)
T
J
= 175°C
100
I
R
,反向电流(毫安)
T
J
= 175°C
10
10
T
J
= 100°C
1
T
J
= 100°C
0.1
1
T
J
= 25°C
0.01
T
J
= 25°C
0
20
40
60
80
100
0.001
0.1
0
20
40
60
80
100
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图1.典型的反向电流
I
F
,正向电流(A)
I
F
,正向电流(A)
图2.最大反向电流
10
T
C
= 175°C
100°C
25°C
1
10
T
C
= 175°C
100°C
25°C
1
0.1
0.1
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
F
,瞬时电压(伏)
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
V
F
,瞬时电压(伏)
图3.典型正向电压
图4.最大正向电压
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2
MURA105T3 , MURA110T3
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
发出
S
A
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 403D -01已过时,新标准
403D02.
暗淡
A
B
C
D
H
J
K
S
英寸
民
最大
0.160
0.180
0.090
0.115
0.075
0.095
0.050
0.064
0.002
0.006
0.006
0.016
0.030
0.060
0.190
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
2.29
2.92
1.91
2.41
1.27
1.63
0.05
0.15
0.15
0.41
0.76
1.52
4.83
5.59
D
B
极性检测指示灯可选
根据需要
C
K
J
H
0.157
4.0
0.0787
2.0
0.0787
2.0
英寸
mm
SMA足迹
安森美半导体
和
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文学履行:
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