MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODEt
电源整流器
该系列是一个国家的最先进的设备设计用于使用
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为600 V
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培， 50-600伏
1
4
3
机械特性：
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的： 260 °C最大10秒
1
3
TO220AC
CASE 221B
塑料
标记图
AYWWG
U8xx
KA
A
Y
WW
U8xx
G
KA
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
XX为05 ，10，15 ，20，40或60个
= Pb-Free包装
=二极管极性
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 启示录7
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结温贮藏温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
J
, T
英镑
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
-65到+175
A
A
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
MUR
等级
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
805
810
3.0
815
820
840
2.0
860
单位
° C / W
电气特性
MUR
等级
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
805
810
815
820
840
860
单位
V
http://onsemi.com
2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
R
，反向电压（伏）
180 200
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150 200 250 300 350 400
V
R
，反向电压（伏）
450 500
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
T
J
= 150°C
100
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
400
300
500
V
R
，反向电压（伏）
600
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
http://onsemi.com
5
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ，
MUR820 ， MUR840 ， MUR860
首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
该系列是专为使用开关电源，
逆变器和续流二极管，一个国家的最先进的设备，这些
具有以下特点：
特点
http://onsemi.com
超快25 ， 50和75纳秒的恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压600伏
无铅包可用*
超高速整流器
8.0安培
50-600伏
1
4
3
机械特性
4
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
运50个单位的塑料管
CASE 221B
TO220AC
塑料
3
1
标记图
AYWW
U8xx
KA
A
Y
WW
U8
xx
KA
=汇编Locarion
=年
=工作周
=器件代码
= 10， 15 ，20，40或60个
=地点代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版5
出版订单号：
MUR820/D
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
最大额定值
MUR
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
总的设备， （额定V
R
), T
C
= 150°C
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫） ，T
C
= 150°C
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半，
单相， 60赫兹）
工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
805
50
810
100
815
150
820
200
840
400
860
600
单位
V
8.0
16
100
A
A
A
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
最大热阻，结到外壳
R
QJC
3.0
2.0
° C / W
电气特性
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0安培，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
J
= 150°C)
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0安培，的di / dt = 50安培/ MS ）
(I
F
= 0.5安培，我
R
= 1.0安培，我
REC
= 0.25安培）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
v
F
0.895
0.975
i
R
250
5.0
t
rr
35
25
60
50
500
10
ns
1.00
1.30
1.20
1.50
mA
V
订购信息
设备
MUR805
MUR810
MUR815
MUR815G
MUR820
MUR820G
MUR840
MUR840G
MUR860
MUR860G
包
TO220
TO220
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
100
10
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
1.0
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
图2.典型的反向电流*
3.0
2.0
T
J
= 175°C
1.0
0.7
0.5
100°C
25°C
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
0.3
0.2
0.1
0.2 0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
v
F,
瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
dc
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
dc
方波
方波
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450 500
V
R
，反向电压（伏）
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
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4
MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR860
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
T
J
= 150°C
30
I F ，正向电流（安培）
20
100°C
25°C
10
7.0
5.0
0.01
100
1000
100
T
J
= 150°C
10
100°C
1.0
25°C
0.1
200
300
400
500
600
V
R
，反向电压（伏）
图12.典型的反向电流*
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
方波
dc
为V
R
应用的
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F,
瞬时电压（伏）
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
图11.典型正向电压
图13.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
13
12
11
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
方
WAVE
dc
T
J
= 175°C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
T
A
，环境温度（ ° C）
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
图14.电流降额，环境
图15.功耗
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